1.一种ldmos器件的制作方法，其特征在于，在所述器件相对的两侧分别形成源端区域和漏端区域，所述ldmos器件的制作方法包括以下步骤：
提供半导体基底，在所述器件半导体基底的周围形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构从所述半导体基底的正面向下延伸；
在被所述浅沟槽隔离结构包围的半导体基底中形成漂移区；
在所述器件源端区域的漂移区中形成体区；
形成跨接在所述体区和所述漏端区域之间的栅极结构；
在所述器件漏端区域的漂移区中形成高压ldd区；
在连接所述体区和高压ldd区的所述栅极结构侧边处分别形成侧墙；
在所述体区和高压ldd区中分别形成源区和漏区，所述源区和所述漏区与对应的侧墙形成交叠区域。
2.如权利要求1所述的ldmos器件的制作方法，其特征在于，在形成所述浅沟槽隔离结构之后，在形成所述漂移区之前还进行：
在所述器件的正面形成牺牲氧化层。
3.如权利要求1所述的ldmos器件的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度范围为
4.如权利要求1所述的ldmos器件的制作方法，其特征在于，所述在所述器件源端区域的漂移区中形成体区的步骤，包括：
在所述器件正面依次生长形成栅氧化层和多晶硅层；
通过第一光刻胶定义出所述器件的源端区域图形；
刻蚀所述源端区域图形位置处的所述栅氧化层和所述多晶硅层；
进行离子注入，在所述源端区域的漂移区中形成体区。
5.如权利要求4所述的ldmos器件的制作方法，其特征在于，所述形成跨接在所述体区和所述漏端区域之间的栅极结构的步骤包括：
通过第二光刻胶定义出的漏端区域图形；
刻蚀去除所述漏端区域图形位置处的栅氧化层和多晶硅层，剩余的栅氧化层和多晶硅层形成跨接在所述体区和所述漏端区域之间的栅极结构。
6.如权利要求1所述的ldmos器件的制作方法，其特征在于，所述在所述器件源端区域的漂移区中形成高压ldd区的步骤，包括：
通过第三光刻胶定义出高压ldd注入区域图形；
根据所述高压ldd注入区域图形进行高压ldd自对准离子注入，在所述漏端区域的漂移区中叠加形成高压ldd区。
7.如权利要求1或6所述的ldmos器件的制作方法，其特征在于，在杂质剂量为5×1012cm2-5×1013cm2，注入能量为20kev-80kev下进行离子注入，在所述器件源端区域的漂移区中形成高压ldd区。
8.如权利要求7所述的ldmos器件的制作方法，其特征在于，形成所述高压ldd区的离子注入角度为20度-45度。
9.一种ldmos器件，其特征在于，所述器件相对的两侧分别为源端区域和漏端区域，所述器件包括
半导体基底；
浅沟槽隔离结构，形成于所述半导体基底的周围；
漂移区，形成于被所述浅沟槽隔离结构包围的半导体基底中；
体区，形成于所述器件源端区域的漂移区中；
栅极结构，跨接在所述体区和所述漏端区域之间；
高压ldd区，自对准形成于所述器件漏端区域的漂移区中；
侧墙，分别形成于连接所述体区和高压ldd区的所述栅极结构侧边处；
源区和漏区，分别形成于所述体区和高压ldd区中，所述源区和所述漏区与对应的侧墙形成交叠区域。
10.如权利要求8所述的ldmos器件，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度范围为
11.如权利要求8所述的ldmos器件，其特征在于，所述漂移区的深度为0.4μm-2.0μm，杂质注入剂量范围为2×101cm12-2×1013cm2。
12.如权利要求8所述的ldmos器件，其特征在于，所述高压ldd区的杂质注入剂量范围为5×1012cm2-5×1013cm2，离子注入能量范围为20kev-80kev，注入的角度为15～45°。