技术特征：
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：衬底层；在所述衬底层的一面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，在所述第一透明导电层上设置有正面电极；其中，所述第一掺杂层包括第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，所述第一掺杂子层靠近所述第一本征层，所述第三掺杂子层靠近所述第一透明导电层，所述第二掺杂子层设置在所述第一掺杂子层和所述第三掺杂子层之间；所述第二掺杂子层的光学带隙大于所述第一掺杂子层的光学带隙、所述第三掺杂子层的光学带隙。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂子层的光学带隙取值范围为1.5ev≤e1≤1.9ev。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂子层的光学带隙取值范围为1.9ev≤e2≤2.2ev。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第三掺杂子层的光学带隙取值范围为1.5ev≤e3≤1.9ev。5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂子层的光透过率大于等于85％。6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂子层的厚度大于所述第一掺杂子层的厚度、所述第三掺杂子层的厚度。7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂子层的厚度取值范围为0nm＜h1≤5nm，所述第三掺杂子层的厚度为0nm＜h2≤5nm，所述第二掺杂子层的厚度取值范围为0nm＜h3≤15nm。8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂子层的掺杂浓度小于所述第一掺杂子层的掺杂浓度、所述第三掺杂子层的掺杂浓度。9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，在所述衬底层的另一面上叠层设置有第二本征层、第二掺杂层和第二透明导电层，在所述第二透明导电层上设置有背面电极。10.一种制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，包括：在衬底层的一面上制备第一本征层；在所述第一本征层上依次制备第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，其中，所述第二掺杂子层的光学带隙大于所述第一掺杂子层的光学带隙、所述第三掺杂子层的光学带隙；在所述第三掺杂子层上沉积第一透明导电层；在所述第一透明导电层上形成正面电极。11.根据权利要求10所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，在所述第一本征层上依次制备第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，包括：在所述第一本征层上制备第一掺杂子层，其中，所述第一掺杂子层的制备条件满足：以sh4和ph3为反应气体，以h2为稀释气体，h2的体积占比取值范围为50％≤v1≤100％。12.根据权利要求11所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，在所述第一本
征层上依次制备第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，包括：在所述第一掺杂子层上制备第二掺杂子层，其中，所述第二掺杂子层的制备条件满足：以sh4和ph3为反应气体，以co2和h2混合气体为稀释气体，co2和h2的体积比例取值范围为0.01≤v2≤10。13.根据权利要求12所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，在所述第一本征层上依次制备第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，包括：在所述第二掺杂子层上制备第三掺杂子层，其中，所述第三掺杂子层的制备条件满足：以sh4和ph3为反应气体，以h2为稀释气体，h2的体积占比取值范围为50％≤v3≤100％。14.根据权利要求13所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，所述第二掺杂子层的厚度大于所述第一掺杂子层的厚度、所述第三掺杂子层的厚度，所述第二掺子层的掺杂浓度小于所述第一掺杂子层的掺杂浓度、所述第三掺杂子层的掺杂浓度。15.根据权利要求10所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述衬底层的另一面上制备第二本征层；在所述第二本征层上制备第二掺杂层；在所述第二掺杂层上制备第二透明导电层；在所述第二透明导电层上形成背面电极。
技术总结
本发明公开了一种异质结太阳能电池及制备其的方法，所述异质结太阳能电池，包括衬底层；在所述衬底层的一面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，在所述第一透明导电层上设置有正面电极；其中，所述第一掺杂层包括第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，所述第一掺杂子层靠近所述第一本征层，所述第三掺杂子层靠近所述第一透明导电层，所述第二掺杂子层设置在所述第一掺杂子层和所述第三掺杂子层之间；所述第二掺杂子层的光学带隙大于所述第一掺杂子层的光学带隙、所述第三掺杂子层的光学带隙。该异质结太阳能电池可以降低掺杂层对光的寄生吸收，提升异质结太阳能电池性能。太阳能电池性能。太阳能电池性能。
技术研发人员：张美荣 姚铮 吴华德 张达奇 吴坚 蒋方丹
受保护的技术使用者：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
技术研发日：2020.09.01
技术公布日：2022/3/18