1.一种倒装芯片封装结构，其特征在于，包括：
基板，所述基板自表面凸设柱体，所述柱体设置有容纳腔，所述容纳腔的开口小于所述容纳腔的底部；
芯片，所述芯片自表面凸设凸块，所述凸块能够插入所述容纳腔；
焊料，所述焊料设置于所述凸块与所述容纳腔之间，用于连接所述基板与所述芯片。
2.根据权利要求1所述的倒装芯片封装结构，其特征在于，所述柱体的截面呈凸字型，所述柱体包括第一部分和第二部分，
自所述柱体上表面向所述基板凹陷形成所述第一部分，
自所述第一部分的开口沿所述柱体的径向朝内延伸形成所述第二部分。
3.根据权利要求2所述的倒装芯片封装结构，其特征在于，所述第一部分的截面为圆环形，所述第二部分的截面为圆环形，所述第二部分的内径小于所述第一部分的内径，所述第二部分的外径等于所述第一部分的外径。
4.根据权利要求1所述的倒装芯片封装结构，其特征在于，所述凸块呈阶梯状，所述凸块包括第三部分和第四部分，所述第四部分用于插入所述容纳腔，所述第三部分用于密闭所述容纳腔的开口。
5.根据权利要求4所述的倒装芯片封装结构，其特征在于，所述第四部分的截面为圆形，所述第三部分的截面为圆形，所述第四部分的直径小于所述第三部分的直径。
6.根据权利要求5所述的倒装芯片封装结构，其特征在于，所述焊料包裹所述第四部分。
7.一种倒装芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上设置若干个具有容纳腔的柱体；
在芯片设置若干个凸块；
在所述凸块上设置焊料；
所述凸块插入于所述容纳腔，每一个所述凸块对应一个所述容纳腔；
熔融所述焊料，实现所述基板与所述芯片连接。
8.根据权利要求7所述的倒装芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述在基板上设置若干个具有容纳腔的柱体包括步骤：
在所述基板上设置第一金属焊盘；
第一钝化层覆盖所述基板，在所述第一钝化层相应位置形成第一开孔，以覆盖所述第一金属焊盘的边缘；
在所述第一钝化层和所述第一金属焊盘上覆盖第一保护层；
在所述第一保护层上形成第二开孔，以露出所述第一金属焊盘，所述第二开孔的尺寸小于所述第一开孔的尺寸；
在所述第一金属焊盘和所述第一保护层覆盖第一金属层；
在所述第一金属层旋涂第一光刻胶；
再对所述第一光刻胶选择性曝光，以得到第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案与所述柱体的第一部分相对应；
在所述第一光刻胶图案中电镀铜，以得到所述第一部分；
去除剩余的所述第一光刻胶；
在所述第一部分和所述第一金属层上旋涂第二光刻胶；
再对所述第二光刻胶选择性曝光，以得到第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案与所述柱体的第二部分相对应；
在所述第二光刻胶图案电镀铜，以得到所述第二部分；
去除剩余的所述第二光刻胶以露出所述第一金属层的表面，并去除所述第二光刻胶下的所述第一金属层。
9.根据权利要求7所述的倒装芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述在芯片设置若干个凸块包括步骤；
在所述芯片上设置第二金属焊盘；
第二钝化层覆盖所述芯片，在所述第二钝化层相应位置形成第三开孔，以覆盖所述第二金属焊盘的边缘；
在所述第二钝化层和所述第二金属焊盘上覆盖第二保护层；
在所述第二保护层上形成第四开孔，以露出所述第二金属焊盘，所述第四开孔的尺寸小于所述第三开孔的尺寸；
在所述第二金属焊盘和所述第二保护层覆盖第二金属层；
在所述第二金属层旋涂第三光刻胶；
再对所述第三光刻胶选择性曝光，以得到第三光刻胶图案，所述第三光刻胶图案与所述凸块的第三部分相对应；
在第三光刻胶中电镀铜，以得到所述第三部分；
去除剩余的所述第三光刻胶；
在所述第三部分和所述第二金属层上旋涂第四光刻胶；
再对所述第四光刻胶选择性曝光，以得到第四光刻胶图案，所述第四光刻胶图案与所述凸块的第四部分相对应；
在所述第四光刻胶图案电镀铜，以得到所述第四部分。
去除剩余的所述第四光刻胶。
10.根据权利要求7所述的倒装芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述在所述凸块上设置焊料包括步骤：
在所述凸块旋涂第五光刻胶；
再对所述第五光刻胶选择性曝光，以得到第五光刻胶图案；
在所述第五光刻胶图案电镀所述焊料；
去除剩余的所述第五光刻胶以露出所述第二金属层的表面，并去除所述第五光刻胶下的所述第二金属层。