1.一种封装结构，其特征在于，包括：
一基板，具有一表面；
一片上系统，所述片上系统设于所述基板的所述表面上；
一薄膜层，设置于所述片上系统远离所述表面的一侧，所述薄膜层包覆所述片上系统；
一屏蔽层，设置于所述薄膜层远离所述表面的一侧，所述屏蔽层包覆所述薄膜层；
其中，所述薄膜层通过化学气相沉积方法覆盖于所述片上系统之上，且所述薄膜层绝缘隔离所述屏蔽层与所述片上系统。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述化学气相沉积方法为引发式化学气相沉积方法。
3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述表面包括一第一表面和一第二表面，其中所述第一表面和所述第二表面为所述基板的相对表面。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述薄膜层具有均匀厚度，所述薄膜层的厚度小于100μm。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述薄膜层具有多层薄膜结构。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述薄膜层由一种均聚物材料构成或一种共聚物材料构成。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述片上系统包括多个裸芯片，所述薄膜层还填充于所述多个裸芯片之间。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述屏蔽层具有均匀厚度，所述屏蔽层通过喷涂或溅射方式形成。
9.一种封装结构的制备工艺，其特征在于，包括：
步骤1，获取一设有片上系统的基板，并将所述基板设置于一真空室内；
步骤2，将气态单体和气态引发剂按一比例导入所述真空室中；
步骤3，将所述基板的表面与所述气态单体和所述气态引发剂接触；
步骤4，激活所述气态引发剂以聚合所述气态单体并形成一薄膜层，使所述薄膜层包覆所述片上系统；
步骤5，于所述薄膜层上覆盖一屏蔽层。
10.根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于，所述真空室的真空度的取值范围介于10~1000帕之间，所述比例的取值范围介于1:3~10:1之间。
11.根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于，所述单体包括聚甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸异氰基乙酯、甲基丙烯酸多异氰酸酯、对异氰酸酯基苯乙烯、聚全氟癸基丙烯酸酯、聚乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸乙二醇酯中的任意一种或任意两种及以上的组合。
12.根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于，所述引发剂包括叔丁基过氧化氢、二叔丁基过氧化物、二叔戊基过氧化物、过氧化苯甲酰、过氧化苯甲酰叔丁酯、全氟丁基磺酰氟、全氟辛基磺酰氟、过氧化二苯甲酰类的任意一种或任意两种及以上的组合。
13.根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于，所述片上系统包括多个裸芯片，所述薄膜层还填充于所述多个裸芯片之间。
14.根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于，所述激活所述气态引发剂的步骤还包括：
于所述真空室内设置一加热装置，通过所述加热装置对所述气态引发剂加热；其中，所述加热装置的加热温度范围介于150-300℃之间。
15.根据权利要求9-14任一所述的制备工艺，其特征在于，所述基板的表面与所述气态单体和所述气态引发剂接触时的温度范围介于20-40℃之间。