显示面板母版及其制作方法、显示面板、显示装置与流程

本申请涉及显示技术领域，具体为一种显示面板母版及其制作方法、显示面板、显示装置。

背景技术：

有机电致显示(organiclightemittingdiode；oled)是继液晶显示(liquidcrystaldisplay；lcd)之后的第三代显示技术。oled显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，具有非常好的市场应用前景。

柔性多层结构(flexiblemulti-layeroncell；fmloc)技术由于具有轻薄化的优点，已逐步成为oled显示领域的主流技术，目前针对显示面板母版可采用柔性多层结构(flexiblemulti-layeroncell；fmloc)工艺设计触控结构，fmloc工艺制作的触控结构位于oled显示面板的封装层上，包括多层无机层。

但是，发明人发现，在经过fmloc工艺的多次水洗工艺后，面板与面板之间的切割区域(dummy)出现有机层上方无机层剥落的问题，造成设备腔室污染、良率损失；并且在绑定区(bonding)存在有机层吸水膨胀的问题，会导致绑定失效，显示异常。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请提供一种显示面板母版及其制作方法、显示面板、显示装置，用于解决现有技术中在切割区域出现有机层上方无机层剥落，造成设备腔室污染、良率损失，以及在绑定区存在绑定失效，显示异常的技术问题。

为了解决上述问题，本申请实施例主要提供如下技术方案：

在第一方面中，本申请实施例公开了一种显示面板母版，包括多个显示子基板，所述显示子基板包括背板和位于所述背板一侧的触控层；

所述背板包括衬底基板和有机层，所述有机层位于所述衬底基板与所述触控层之间，

所述触控层包括无机层，所述无机层位于所述有机层远离所述衬底基板一侧；

每一所述显示子基板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的绑定区，在所述绑定区，所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述无机层在所述衬底基板上的正投影无重叠区域；

相邻所述显示子基板之间设有切割区域，在所述切割区域，所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述无机层在所述衬底基板上的正投影无重叠区域；或，所述有机层被所述无机层包覆。

可选地，所述触控层包括位于所述无机层远离所述衬底基板一侧的导电层；

在所述绑定区，所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述导电层在所述衬底基板上的正投影无重叠区域。

可选地，所述触控层包括导电层；

在所述切割区域，当所述有机层被所述无机层包覆时，所述导电层位于所述无机层远离所述衬底基板一侧，且所述导电层在所述衬底基板上的正投影与所述无机层在所述衬底基板上的正投影重叠。

可选地，所述触控层包括有机保护层；

所述有机保护层位于所述导电层远离所述衬底基板一侧并包覆所述无机层和所述导电层，且在切割位置处断开设置。

可选地，所述触控层包括有机保护层；

在所述切割区域，当所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述无机层在所述衬底基板上的正投影无重叠区域时，所述有机保护层位于所述有机层远离所述衬底基板一侧，且在切割位置处断开设置。

可选地，所述触控层包括桥接层、导电层、有机保护层；所述无机层包括第一绝缘层和第二绝缘层；

在所述显示区，所述背板包括位于所述衬底基板一侧的发光层，位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的封装层；

所述第一绝缘层位于所述封装层远离所述衬底基板一侧；

所述桥接层位于所述第一绝缘层远离所述封装层一侧；

所述第二绝缘层位于所述桥接层远离所述第一绝缘层一侧；

所述导电层位于所述第二绝缘层远离所述桥接层一侧；

所述有机保护层位于所述导电层远离所述第二绝缘层一侧，且包覆所述导电层、所述第二绝缘层、所述桥接层和所述第一绝缘层。

在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示面板，通过切割第一方面所述的显示面板母版得到。

在第三方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。

在第四方面中，本申请实施例公开了一种第一方面所述的显示面板母版的制作方法，包括：

提供一背板，所述背板包括衬底基板，所述衬底基板上方制作有有机层；

在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作触控层，所述触控层包括无机层；其中：在所述绑定区，所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述无机层在所述衬底基板上的正投影无重叠区域；以及在所述切割区域，所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述无机层在所述衬底基板上的正投影无重叠区域；或，所述有机层被所述无机层包覆。

可选地，在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作触控层，包括：

通过构图工艺在所述有机层远离所述衬底基板的一侧依次制作第一绝缘层、桥接层和第二绝缘层；

通过构图工艺在所述第二绝缘层上制作导电层，所述导电层位于所述显示区和所述绑定区，且在所述绑定区，所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述导电层在所述衬底基板上的正投影无重叠区域；

通过干法刻蚀工艺刻蚀所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，使得在所述绑定区，在所述衬底基板上的正投影方向上，所述有机层与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层无重叠区域；以及在所述切割区域，在所述衬底基板上的正投影方向上，所述有机层与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层无重叠区域；

在所述导电层上通过构图工艺制作有机保护层；

或，

在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作触控层，包括：

通过构图工艺在所述有机层远离所述衬底基板的一侧依次制作第一绝缘层、桥接层和第二绝缘层；

通过构图工艺在所述第二绝缘层上制作导电层，所述导电层位于所述显示区和所述绑定区，且在所述绑定区，所述有机层在所述衬底基板上的正投影与所述导电层在所述衬底基板上的正投影无重叠区域；以及在所述切割区域，所述导电层覆盖所述有机层；

通过干法刻蚀工艺刻蚀所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，使得在所述绑定区，在所述衬底基板上的正投影方向上，所述有机层与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层无重叠区域；以及在所述切割区域，所述有机层被所述无机层包覆；

在所述导电层上通过构图工艺制作有机保护层。

借由上述技术方案，本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点：

由于在本申请实施例的显示面板母版的绑定区中，有机层在衬底基板上的正投影与无机层在衬底基板上的正投影无重叠区域，从而避免了绑定过程中无机层发生断裂后，有机层吸水膨胀，导致有机层上方无机层剥离，形成绑定失效的问题。另外，在切割区域中，有机层在衬底基板上的正投影与无机层在衬底基板上的正投影无重叠区域，避免了有机层上方无机层剥落的问题，进而避免了对设备腔室的污染，提高了产品良率；或者，在切割区域中，有机层被无机层包覆，此时水汽很难进入到有机层，避免了有机层上方无机层剥落的问题，进而避免了对设备腔室的污染，提高了产品良率。

上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本申请实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本申请实施例的显示面板母版的结构示意图；

图2为本申请实施例的显示面板母版的绑定区的结构示意图；

图3为本申请实施例的显示面板母版的切割区域的一种实施例的第一结构示意图；

图4为本申请实施例的显示面板母版的切割区域的一种实施例的第二结构示意图；

图5为本申请实施例的显示面板母版的切割区域的另一种实施例的第一结构示意图；

图6为本申请实施例的显示面板母版的切割区域的另一种实施例的第二结构示意图；

图7为本申请实施例的显示面板母版的显示区的结构示意图；

图8为本申请实施例的封装层的结构示意图；

图9为本申请实施例的显示面板母版的制作方法的流程图；

图10为在第一实施方式中制备完成第一绝缘层、桥接层和第二绝缘层后显示区的结构示意图；

图11为在第一实施方式中制备完成第一绝缘层、桥接层和第二绝缘层后切割区域的结构示意图；

图12为在第一实施方式中制备完成第一绝缘层、桥接层和第二绝缘层后绑定区的结构示意图；

图13为对图10进行刻蚀处理后的结构示意图；

图14为对图11进行刻蚀处理后的结构示意图；

图15为对图12进行刻蚀处理后的结构示意图；

图16为对图13沉积导电膜层并对光刻胶曝光、显影后的结构示意图；

图17为对图14沉积导电膜层并对光刻胶曝光、显影后的结构示意图；

图18为对图15沉积导电膜层并对光刻胶曝光、显影后的结构示意图；

图19为刻蚀图16的导电膜层后的结构示意图；

图20为刻蚀图17的导电膜层后的结构示意图；

图21为刻蚀图18的导电膜层后的结构示意图；

图22为刻蚀图19的无机层后的结构示意图；

图23为刻蚀图20的无机层后的结构示意图；

图24为刻蚀图21的无机层后的结构示意图；

图25为去除图22中的光刻胶后的结构示意图；

图26为在第二实施方式中沉积导电膜层并对光刻胶曝光、显影后的结构示意图的结构示意图；

图27为刻蚀图26的导电膜层后的结构示意图；

图28为刻蚀图27的背板无机层后的结构示意图；

图29为去除图28中的光刻胶后的结构示意图。

附图标记介绍如下：

1-显示面板母版；2-显示子基板；21-显示区；22-绑定区；3-切割区域；30-背板驱动层；4-背板；41-衬底基板；42-聚酰亚胺层；43-背板无机层；5-有机层；6-触控层；7-无机层；71-第一绝缘层；72-第二绝缘层；8-导电层；9-有机保护层；10-桥接层；11-发光层；12-封装层；121-有机封装层；122-无机封装层；13-栅极；14-源漏极；15-光刻胶。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本申请的发明人发现，现有技术在经过fmloc工艺的多次水洗工艺后，由于在切割区域中存在有机层(pln)裸漏部分(切割区域的切割通道位置处)，该有机层在经过fmloc工艺的多次水洗工艺后，水汽会进入到有机层，出现有机层上方无机层剥落的问题，造成设备腔室污染、良率损失。

另外，发明人还发现，在每一面板上设置的绑定区，fmloc工艺后位于绑定区域的膜层存在高度差，因此在绑定时，由于绑定压力较大导致无机层发生断裂，在信赖性过程中，水汽会沿着断裂的裂缝进入有机层，有机层吸水膨胀，导致有机层上方无机层剥离，形成绑定失效，造成显示异常。

基于现有技术存在的以上问题，本申请实施例提供一种新的显示面板母版。

下面结合附图详细介绍本申请实施例提供的触控显示面板。

在第一方面中，图1-图7分别示出了本申请实施例的显示面板母版1在不同区域内的结构示意图。如图1-图7所示，该显示面板母版1包括多个显示子基板2，显示子基板2包括背板4和位于背板4一侧的触控层6。背板4包括衬底基板41和有机层5，有机层5位于衬底基板41与触控层6之间。触控层6包括无机层7，无机层7位于有机层6远离衬底基板41一侧。每一显示子基板包括显示区21和位于显示区21至少一侧的绑定区22，在绑定区22，有机层5在衬底基板41上的正投影与无机层7在衬底基板41上的正投影无重叠区域。相邻显示子基板2之间设有切割区域3，在切割区域3，有机层5在衬底基板41上的正投影与无机层7在衬底基板41上的正投影无重叠区域；或，有机层5被无机层7包覆。

由于在本申请实施例的显示面板母版1的绑定区22中，有机层5在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域，从而避免了绑定过程中无机层发生断裂后，有机层吸水膨胀，导致有机层上方无机层剥离，形成绑定失效的问题。另外，在切割区域3中，有机层5在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域，避免了有机层上方无机层剥落的问题，进而避免了对设备腔室的污染，提高了产品良率，且这种设置方式由于无机层厚度减薄，可以增加显示面板母版1的抗弯折能力；或者，在切割区域3中，有机层5被无机层7包覆，此时水汽很难进入到有机层，避免了有机层上方无机层剥落的问题，进而避免了对设备腔室的污染，提高了产品良率。

可选地，在本申请实施例中，继续参考图1-图7所示，本申请实施例的显示面板母版1中的触控层6包括位于无机层7远离衬底基板41一侧的导电层8。如图2所示，在绑定区22，有机层5在衬底基板41上的正投影与导电层8在衬底基板41上的正投影无重叠区域。

由于本申请实施例在绑定区22，有机层5在衬底基板上的正投影与导电层8在衬底基板上的正投影无重叠区域，能够降低绑定区22膜层的高度差，有利用绑定工艺的进行。

需要说明的是，如图2-图6所示，在切割区域3，本申请实施例的背板4包括衬底基板41、聚酰亚胺(pi)层42、背板无机层43和有机层5；在绑定区22，本申请实施例的背板4包括衬底基板41、聚酰亚胺层42、背板无机层43、栅极13、源漏极14和有机层5。

可选地，在切割区域3内，如图3和图4所示，触控层6包括导电层8。当有机层5被无机层7包覆时，导电层8位于无机层7远离衬底基板一侧，且导电层8在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影重叠。导电层8的设置，能够在具体制作工艺时充当刻蚀阻挡层，以防止无机层7被刻蚀掉，进而能够很好的保证有机层5的外围均被无机层7所包覆，这样能够防止水汽进入到有机层5中，进一步提到显示面板母版1的显示效果。

可选地，进一步参考图3和图4，当有机层5被无机层7包覆时，在本申请实施例的切割区域3内，触控层6包括有机保护层9。有机保护层9位于导电层8远离衬底基板一侧并包覆无机层7和导电层8，且在切割位置处断开设置；有机保护层9能够对无机层7和导电层8起到保护的作用，且有机保护层9在切割位置处断开设置更有利于切割的进行。

另外，图4与如图3不同的是，图4中的有机保护层9设置有通孔，该通孔设置在切割位置处，以使得有机保护层9在切割位置处断开。

可选地，如图5和图6所示，在切割区域3，当有机层5在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域时，即当有机层5上方不设置无机层7时，有机保护层9位于有机层5远离衬底基板一侧，且在切割位置处断开设置；有机保护层9在切割位置处断开设置更有利于切割的进行。

另外，图6与如图5不同的是，图6中的有机保护层9设置有通孔，该通孔设置在切割位置处，以使得有机保护层9在切割位置处断开。

可选地，如图7所示，在显示区21，触控层6包括桥接层10、导电层8、有机保护层9；无机层7包括第一绝缘层71和第二绝缘层72。显示子基板2包括位于衬底基板一侧的背板驱动层30、发光层11和封装层12，背板驱动层30、发光层11和封装层12的具体设置方式与现有技术类似，这里不再赘述。

具体地，如图7所示，第一绝缘层71位于封装层12远离衬底基板一侧。桥接层10位于第一绝缘层71远离封装层12一侧。第二绝缘层72位于桥接层10远离第一绝缘层71一侧。导电层8位于第二绝缘层72远离桥接层10一侧。有机保护层9位于导电层8远离第二绝缘层72一侧，且包覆导电层8、第二绝缘层72、桥接层10和第一绝缘层71。在本申请实施例中，有机保护层9同时包裹了导电层8、第二绝缘层72、桥接层10和第一绝缘层71，有机保护层9能够很好的对导电层8、第二绝缘层72、桥接层10和第一绝缘层71起到保护作用。

另外，如图8所示，在本申请实施例中的封装层12具体包括：叠层设置的无机封装层122和有机封装层121，图中仅示出了两层无机封装层122和一层有机封装层121，实际设计时，可以设定更多的无机封装层122和有机封装层121，无机封装层122和有机封装层121交替叠层设置。

基于同一发明构思，在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示面板，通过切割第一方面的显示面板母版1得到。该显示面板即为显示子基板2，由于该显示子基板2的绑定区22中，有机层5在衬底基板41上的正投影与无机层7在衬底基板41上的正投影无重叠区域，因此该显示面板能够避免绑定过程中无机层7发生断裂后，有机层5吸水膨胀，导致有机层5上方无机层7剥离，形成绑定失效的问题。

基于同一发明构思，在第三方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括第二方面的显示面板。由于第三方面的显示装置包括了第二方面的显示面板，使得第三方面的显示装置具有与第二方面的显示面板相同的有益效果。因此，第三方面的显示装置的有益效果不再重复赘述。

基于同一发明构思，在第四方面中，图9示出了本申请实施例第一方面的显示面板母版1的制作方法。如图9所示，该方法包括：

s101：提供一背板4，背板4包括衬底基板，衬底基板上方制作有有机层5，有机层5位于显示区21、绑定区22和切割区域3。

s102：在有机层5远离衬底基板的一侧制作触控层6，触控层6包括无机层7；其中：在绑定区22，有机层5在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域；以及在切割区域3，有机层5在衬底基板的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域；或，有机层5被无机层7包覆。

由于在本申请实施例的制作方法中，有机层5在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域，从而避免了绑定过程中无机层发生断裂后，有机层吸水膨胀，导致有机层上方无机层剥离，形成绑定失效的问题。另外，在切割区域3中，有机层5在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域，避免了有机层上方无机层剥落的问题，进而避免了对设备腔室的污染，提高了产品良率；或者，在切割区域3中，有机层5被无机层7包覆，此时水汽很难进入到有机层，避免了有机层上方无机层剥落的问题，进而避免了对设备腔室的污染，提高了产品良率。

需要说明的是，制作完成显示面板母版1后，需要进行切割，以形成单个独立的显示子基板2。

在一种可选的实施方式中，在有机层5远离衬底基板的一侧制作触控层6，包括：

通过构图工艺在有机层5远离衬底基板的一侧依次制作第一绝缘层71、桥接层10和第二绝缘层72；

通过构图工艺在第二绝缘层72上制作导电层8，导电层8位于显示区21和绑定区22，且在绑定区22，有机层5在衬底基板4上的正投影与导电层8在衬底基板4上的正投影无重叠区域；

通过干法刻蚀工艺刻蚀第一绝缘层71和第二绝缘层72，使得在绑定区22，在衬底基板4上的正投影方向上，有机层5与第一绝缘层71和第二绝缘层72无重叠区域；以及在切割区域3，在衬底基板4上的正投影方向上，有机层5与第一绝缘层71和第二绝缘层72无重叠区域；

在导电层8上通过构图工艺制作有机保护层9。

在另一种可选的实施方式中，在有机层5远离衬底基板的一侧制作触控层6，包括：

通过构图工艺在有机层5远离衬底基板的一侧依次制作第一绝缘层71、桥接层10和第二绝缘层72；

通过构图工艺在第二绝缘层72上制作导电层8，导电层8位于显示区21和绑定区22，且在绑定区22，有机层5在衬底基板4上的正投影与导电层8在衬底基板4上的正投影无重叠区域；以及在切割区域3，导电层8覆盖有机层5；

通过干法刻蚀工艺刻蚀第一绝缘层71和第二绝缘层72，使得在绑定区22，在衬底基板4上的正投影方向上，有机层5与第一绝缘层71和第二绝缘层72无重叠区域；以及在切割区域3，有机层5被无机层7包覆；

在导电层8上通过构图工艺制作有机保护层9。

本申请实施例的显示面板母版1包括三个区域，分别是：显示区21、切割区域3和绑定区22，以下通过图10至图29详细说明本申请实施例显示面板母版1的具体制作方法：

首先，通过常规工艺制作oled显示基板，制作形成的oled显示基板在显示区21包括背板驱动层30、发光层11和封装层12，在切割区域3包括衬底基板41、聚酰亚胺层42、背板无机层43和有机层5；在绑定区22包括衬底基板41、聚酰亚胺层42、背板无机层43、栅极13、源漏极14和有机层5。

接着，在制作形成的oled显示基板上采用fmloc工艺制作触控层。下面结合附图详细说明本申请实施例中触控层的具体制作方法。

本申请实施例可以采用如下两种方式制作触控层。

实施方式一：

步骤1-采用常规工艺制备第一绝缘层71、桥接层10和第二绝缘层72。具体地，第一绝缘层71的材料可以为氮化硅材料，桥接层10的材料可以为钛(ti)/铝(al)/钛(ti)材料，第二绝缘层72的材料也可以为氮化硅材料。完成该步骤后，在显示区21，如图10所示，显示面板母版1包括位于封装层12上的第一绝缘层71、桥接层10和第二绝缘层72。在切割区域3，如图11所示，显示面板母版1包括位于有机层5上的无机层7(包括第一绝缘层71和第二绝缘层72)。在绑定区22，如图12所示，显示面板母版1包括位于有机层5上的无机层7。

步骤2-采用构图工艺对无机层7进行图形化，本申请实施例中的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀以及去除光刻胶的部分或全部过程，具体实施时，采用干法刻蚀去除部分无机层7。完成该步骤后，在显示区21，如图13所示，部分桥接层10暴露在外。在切割区域3，如图14所示，部分背板无机层43暴露在外，无机层7包覆有机层5。在绑定区22，如图15所示，部分源漏极14暴露在外，无机层7包覆有机层5。

步骤3-沉积导电膜层，导电膜层的材料可以为ti/al/ti材料，在导电膜层上涂覆光刻胶15，并对光刻胶15曝光、显影。完成该步骤后，在显示区21，如图16所示，光刻胶15覆盖部分导电膜层(导电层8未图形化之前的膜层)，光刻胶15覆盖区域为后续需要形成导电层8的区域。在切割区域3，如图17所示，无机层7被整个导电膜层覆盖，且导电膜层上方无光刻胶。在绑定区22，如图18所示，光刻胶15覆盖部分导电膜层，光刻胶15覆盖区域为后续需要形成导电层8的区域。

步骤4-使用气体cl2，刻蚀导电膜层，形成导电层8。桥接层10通过搭接孔与导电层8连接形成驱动电极或感应电极通道，导电层8通过跨过桥接层10形成感应电极或驱动电极通道，通过手指感应驱动电极和感应电极节点互电容从而实现触控功能；完成该步骤后，在显示区21，如图19所示，未被光刻胶15覆盖区域的导电膜层被刻蚀去除。在切割区域3，如图20所示，导电膜层均被刻蚀去除。在绑定区22，如图21所示，未被光刻胶15覆盖区域的导电膜层被刻蚀去除，形成的导电层8在衬底基板上的正投影与有机层在衬底基板上的正投影无重叠区域。

步骤5-在步骤4的基础上，增加一步干法刻蚀，通过反应气体cf4和o2对步骤4中的无机层7进行进一步地刻蚀。完成该步骤后，在显示区21，如图22所示，利用反应气体cf4和o2刻蚀去除未被光刻胶15覆盖的第一绝缘层71和第二绝缘层72。在切割区域3，如图23所示，利用反应气体cf4和o2刻蚀去除无机层7，以及暴露在外的背板无机层43，此时由于无机层厚度减薄，可以增加显示面板母版1的抗弯折能力。在绑定区22，如图24所示，利用反应气体cf4和o2刻蚀去除未被光刻胶15覆盖的无机层7。

步骤6-去除光刻胶15。完成该步骤后，显示区21的膜层结构如图25所示。

步骤7-采用构图工艺制作有机保护层9，完成该步骤后，显示区21的膜层结构如图7所示，切割区域3的膜层结构如图5和图6所示，绑定区22的膜层结构如图2所示。

实施方式二：

该实施方式二与实施方式一的区别点主要在切割区域3，显示区21和绑定区22每一步制作过程以及制作完成后的膜层结构与实施方式一相同，这里不再赘述相同部分。

在切割区域3，该实施方式二与实施方式一的区别点主要在步骤3到步骤7，步骤3中，实施方式二对光刻胶15曝光、显影后，光刻胶15需要覆盖部分导电膜层，如图26所示；步骤4中，由于光刻胶15覆盖了部分导电膜层，因此使用气体cl2刻蚀导电膜层后，被光刻胶15覆盖区域的导电膜层并未被刻蚀，具体膜层结构如图27所示；步骤5中，增加一步干法刻蚀，通过反应气体cf4和o2对背板无机层43刻蚀，以保证后续能够更好的完成切割，具体膜层结构如图28所示；步骤6中，去除光刻胶15后的膜层结构如图29所示；步骤7中，采用构图工艺制作有机保护层9，完成该步骤后，具体膜层结构如图3和图4所示。

应用本申请实施例所获得的有益效果包括：

1、由于在本申请实施例的显示面板母版1的绑定区22中，有机层5在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域，从而避免了绑定过程中无机层发生断裂后，有机层吸水膨胀，导致有机层上方无机层剥离，形成绑定失效的问题。另外，在切割区域3中，有机层5在衬底基板上的正投影与无机层7在衬底基板上的正投影无重叠区域，避免了有机层上方无机层剥落的问题，进而避免了对设备腔室的污染，提高了产品良率，且这种设置方式由于无机层厚度减薄，可以增加显示面板母版1的抗弯折能力；或者，在切割区域3中，有机层5被无机层7包覆，此时水汽很难进入到有机层，避免了有机层上方无机层剥落的问题，进而避免了对设备腔室的污染，提高了产品良率。

2、由于本申请实施例在绑定区22，有机层5在衬底基板上的正投影与导电层8在衬底基板上的正投影无重叠区域，能够降低绑定区22膜层的高度差，有利用绑定工艺的进行。

3、有机保护层9位于导电层8远离衬底基板一侧并包覆无机层7和导电层8，且在切割位置处断开设置。有机保护层9能够对无机层7和导电层8起到保护的作用，且有机保护层9在切割位置处断开设置更有利于切割的进行。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。