1.一种半导体功率器件，包括：
一个外延层，其为所述的第一导电类型，且位于衬底之上；
多个第一类型栅沟槽，位于有源区内的所述外延层中，且每个所述的第一类型栅沟槽均填充以一个屏蔽栅结构，所述屏蔽栅结构包括一个位于沟槽较低部分、作为屏蔽电极的第一多晶硅层，以及一个位于较高部分、作为栅电极的第二多晶硅层，其中，所述屏蔽电极与所述外延层间通过第一绝缘层实现绝缘，所述栅电极与所述外延层间通过一层栅绝缘层实现绝缘，其中所述栅绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层，所述屏蔽电极和所述栅电极间通过第二绝缘层实现彼此间的绝缘。
一个沟槽式场板终端区，其包括至少一个围绕在所述有源区周围的第二类型栅沟槽，其中每个所述第二类型栅沟槽均填充以所述屏蔽栅电极并连接至所述源金属。
一个栅-漏(gd)箝位二极管，位于栅金属和沿着所述器件外围的漏金属之间。
一个栅-源(gs)箝位二极管，位于所述栅金属和所述源金属之间。
2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：
所述屏蔽电极掺杂以第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型的掺杂类型相反，且所述栅电极掺杂以所述第一导电类型。
3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：
所述屏蔽电极和所述栅电极均掺杂以所述第一导电类型。
4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：
还包括一个填充以所述屏蔽栅电极的第三类型栅沟槽，所述屏蔽栅电极直接对称地分布在所述gd和gs箝位二极管中阳极和阴极的沟槽接触区的正下方，起到缓冲层的作用，以防止栅-漏间的短路。
5.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：
所述gd和gs箝位二极管包括至少一对背靠背的齐纳二极管，所述齐纳二极管由多个交替排列的具有第一导电类型的掺杂区和具有第二导电类型的掺杂区构成，其中所述的第一类型和第二类型掺杂区的掺杂类型相反。
6.一种半导体功率器件，包括：
一个外延层，其为所述的第一导电类型，且位于衬底之上；
多个第一类型栅沟槽，位于有源区内的所述外延层中，且每个所述的第一类型栅沟槽均填充以一个屏蔽栅结构，所述屏蔽栅结构包括一个位于沟槽较低部分、作为屏蔽电极的第一多晶硅层，以及一个位于较高部分、作为栅电极的第二多晶硅层，其中，所述屏蔽电极与所述外延层间通过第一绝缘层实现绝缘，所述栅电极与所述外延层间通过一层栅绝缘层实现绝缘，其中所述栅绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层，所述屏蔽电极和所述栅电极间通过第二绝缘层实现彼此间的绝缘。
一个沟槽式场板终端区，其包括至少一个围绕在所述有源区周围的第二类型栅沟槽，其中每个所述第二类型栅沟槽均填充以所述屏蔽栅电极并连接至所述源金属。
一个源-漏(sd)箝位二极管，位于源金属和沿着所述器件外围的漏金属之间。
一个栅-源(gs)钳位二极管，位于所述栅金属和所述源金属之间。
7.如权利要求6所述的半导体功率器件，其特征在于：
所述屏蔽电极掺杂以第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型的掺杂类型相反，且所述栅电极掺杂以所述第一导电类型。
8.如权利要求6所述的半导体功率器件，其特征在于：
所述屏蔽电极和所述栅电极均掺杂以所述第一导电类型。
9.如权利要求6所述的半导体功率器件，其特征在于：
还包括一个填充以所述屏蔽栅电极的第三类型栅沟槽，所述屏蔽栅电极直接对称地分布在所述sd和gs箝位二极管中阳极和阴极的沟槽接触区的正下方，起到缓冲层的作用，以防止栅-漏间的短路。
10.如权利要求6所述的半导体功率器件，其特征在于：
所述sd和gs箝位二极管包括至少一对背靠背的齐纳二极管，所述齐纳二极管由多个交替排列的具有第一导电类型的掺杂区和具有第二导电类型的掺杂区构成，其中所述的第一类型和第二类型掺杂区的掺杂类型相反。