发光二极管封装结构的制作方法

本申请涉及一种发光二极管封装结构，特别是涉及一种能够缩短混光距离的发光二极管封装结构。

背景技术：

白光发光二极管(light-emittingdiode,led)封装结构所发出的白光通常是由红光、蓝光、绿光等三色光源进行混光而生成。一般来说，三色光源需要一段固定长度的混光距离才能形成均匀性较佳的白色光源，否则一旦混光距离不够，所产生的白色光源会因混光不完全而有其他颜色干扰。

故，如何通过结构设计的改良，来缩短发光二极管封装结构发出的白色光源所需的混光距离，提升发光二极管封装结构整体的混光效果，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

技术实现要素：

本申请所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管封装结构，包括第一发光区域、第二发光区域、分隔墙以及环形挡墙。第一发光区域包括第一发光二极管芯片，第一发光二极管芯片用以发出第一初始光束，第一初始光束经过第一发光区域而形成第一白光。第二发光区域包括发出第二初始光束的第二发光二极管芯片、发出第三初始光束的第三发光二极管芯片以及发出第四初始光束的第四发光二极管芯片。分隔墙设置在第一发光区域与第二发光区域之间。环形挡墙围绕分隔墙、第一发光区域及第二发光区域设置。第二初始光束、第三初始光束及第四初始光束与第一白光混合，且第一白光的发光角度的偏移量小于1度。

更进一步地，分隔墙的高度小于环形挡墙的高度。

更进一步地，第二发光区域的面积大于第一发光区域的面积。

更进一步地，第二初始光束为绿光，第三初始光束为红光，第四初始光束为蓝光。

更进一步地，第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片及第四发光二极管芯片距离分隔墙由近而远的顺序为第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片、第四发光二极管芯片。

更进一步地，第一白光的发光角度为110度。

更进一步地，第一白光与第二初始光束、第三初始光束及第四初始光束的发光角度的偏移量不大于7度。

更进一步地，分隔墙的高度范围介于各个发光二极管芯片的高度与环形挡墙高度的80％之间。

更进一步地，第一初始光束为蓝光。

更进一步地，发光二极管封装结构进一步包括含荧光粉的荧光胶体，荧光胶体覆盖第一发光二极管芯片。

更进一步地，荧光胶体的荧光粉含量约为5～45wt％。

更进一步地，发光二极管封装结构进一步包括封装胶体，封装胶体覆盖第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片及第四发光二极管芯片。

更进一步地，封装胶体更进一步覆盖分隔墙及荧光胶体。

更进一步地，封装胶体包含光扩散剂。

更进一步地，封装胶体中的光扩散剂含量约为0.1～5.0wt％。

更进一步地，封装胶体的透光度大于80％。

为了解决上述的技术问题，本申请所采用的其中一技术方案是提供一种发光二极管封装结构，包括壳体、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片及第四发光二极管芯片。壳体包括基底、环形挡墙以及分隔墙。环形挡墙设置于基底上，并且与基底形成凹槽。分隔墙设置于基底上，并且连接环形挡墙。分隔墙将凹槽内的部分空间区隔出第一腔室以及第二腔室。第一发光二极管芯片设置在第一腔室。第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片及第四发光二极管芯片设置在第二腔室。分隔墙的高度小于环形挡墙的高度。

更进一步地，第二腔室的容积大于第一腔室的容积。

更进一步地，第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片及第四发光二极管芯片距离分隔墙由近而远的顺序为第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片、第四发光二极管芯片。

更进一步地，基底包含多个引脚，第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片及第四发光二极管芯片分别设置在引脚上。

更进一步地，引脚包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚及第六引脚，其中，第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚及第六引脚各具有悬臂段与折脚段，所述折脚段连接于所述悬臂段的一边，所述第三引脚的所述悬臂段具有倒勾部。

更进一步地，第三引脚为共阳极或共阴极，且第三引脚的悬臂段是呈梯形形状，第三引脚的悬臂段具有相对两边，相对两边的长度比为1.1。

更进一步地，各悬臂段进一步包括阶梯部，各阶梯部的厚度约为各悬臂段的厚度的二分之一。

更进一步地，各折脚段的两侧皆具有内凹部。

更进一步地，环形挡墙具有第一长边及第二长边，第一长边的两端具有强化部，第二长边具有肋形部。

更进一步地，分隔墙的高度范围介于各个发光二极管芯片的高度与所述环形挡墙的高度的80％之间。

更进一步地，发光二极管封装结构进一步包括含荧光粉的荧光胶体，荧光胶体覆盖第一发光二极管芯片。

更进一步地，荧光胶体的荧光粉含量约为5～45wt％。

更进一步地，发光二极管封装结构进一步包括封装胶体，覆盖第二发光二极管芯片、第三发光二极管芯片及第四发光二极管芯片。

更进一步地，封装胶体更进一步覆盖分隔墙及荧光胶体。

更进一步地，封装胶体包含光扩散剂。

更进一步地，封装胶体中的光扩散剂含量约为0.1～5.0wt％。

更进一步地，封装胶体的透光度大于80％。

为使能更进一步了解本申请的特征及技术内容，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本申请加以限制。

附图说明

图1为本申请实施例的发光二极管封装结构的立体示意图。

图2为图1的俯视示意图。

图3为图1的前视示意图。

图4为图1的后视示意图。

图5为图1的左视示意图。

图6是本申请实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。

图7为现有技术的发光二极管封装结构的剖视示意图。

图8为本申请实施例的发光二极管封装结构的光线偏移示意图。

图9为现有技术的发光二极管封装结构的光线偏移示意图。

图10为本申请实施例的发光二极管封装结构的壳体的俯视示意图。

图11为图10的xi-xi截面的剖视示意图。

图12为本申请实施例的发光二极管封装结构的引脚的立体示意图。

图13为图12的前视示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本申请所公开有关“xx”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本申请的优点与效果。本申请可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本申请的构思下进行各种修改与变更。另外，本申请的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本申请的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本申请的保护范围。

应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

实施例

参阅图1至图5所示，图1为本申请实施例的发光二极管封装结构的立体示意图，图2为图1的俯视示意图，图3为图1的前视示意图，图4为图1的后视示意图，图5为图1的左视示意图。本申请实施例提供一种发光二极管封装结构100，如图1所示，包括第一发光区域1、第二发光区域2、分隔墙3以及环形挡墙4。第一发光区域1包括第一发光二极管芯片11，第二发光区域2包括第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22以及第四发光二极管芯片23。分隔墙3设置在第一发光区域1与第二发光区域2之间。环形挡墙4围绕分隔墙3、第一发光区域1及第二发光区域2设置。由另一方面来说，分隔墙3是把环形挡墙4所围绕的发光区域分隔成第一发光区域1与第二发光区域2，且第二发光区域2的面积大于第一发光区域1的面积。

进一步来说，如图2所示，发光二极管封装结构100主要包括壳体7以及设置在壳体7内部的第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22以及第四发光二极管芯片23。壳体7包括基底71、环形挡墙4、凹槽72以及分隔墙3。环形挡墙4设置于基底71上，并且与基底71形成凹槽72。分隔墙3设置于基底71上，并且连接环形挡墙4。分隔墙3将凹槽72内的部分空间区隔出第一腔室721以及第二腔室722，第二腔室722的容积大于第一腔室721的容积。第一发光二极管芯片11设置在第一腔室721，第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22以及第四发光二极管芯片23设置在第二腔室722。另外，对照图1与图2可知，第一腔室721对应第一发光区域1，第二腔室722对应第二发光区域2。

接着，参阅图6所示，图6是本申请实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。第一发光二极管芯片11发出第一初始光束a，第二发光二极管芯片21发出第二初始光束b1、第三发光二极管芯片22发出第三初始光束b2以及第四发光二极管芯片23发出第四初始光束b3。第一初始光束a经过第一发光区域1会形成第一白光l1。本申请的发光二极管封装结构可视使用情境而定，可使第一白光l1、第二初始光束b1、第三初始光束b2或第四初始光束b3单独发射至到外部环境，亦可使多者混合后再发射至到外部环境。然而在混光的运用情境下，须考虑到混光距离(opticaldistance，od)。如将发光二极管封装结构应用在背光模块中时，若导光板与发光二极管封装结构的间距小于混光距离od时，会有严重的混光不均的现象产生，因此减少混光距离有助于后序产品的微型化发展。

详细来说，参阅图6与图7所示。图7为现有技术的发光二极管封装结构的剖视示意图。为图示简单起见且方便说明，原本在图1中所示的线材(导线73)并没有在图6与图7中示出。图7所示为等高墙(环形挡墙4与分隔墙3等高)的发光二极管封装结构，在此情况下，混光距离为约8毫米。然在图6所示的本申请发光二极管封装结构中，分隔墙3的高度h1小于环形挡墙4的高度h2。更进一步来说，分隔墙3的高度h1范围介于各发光二极管芯片的高度h0与环形挡墙4的高度h2的80％之间。通过本申请的分隔墙3高度限制的结构设计，能够更进一步缩短混光距离至约2毫米。

比较图6与图7，本申请中的分隔墙3的高度h1限制与图7所示出的分隔墙3的高度(与环状挡墙的高度等高)相比，本申请中的分隔墙3的高度h1较低。本申请的分隔墙3的高度h1设计的优点在于，除了能进一步缩短混光距离之外，还能够减少第一白光l1的发光角度的偏移量。

参阅图8与图9所示，图8为本申请实施例的发光二极管封装结构的发光角度示意图，对应图6所示的高矮墙结构(环形挡墙4高而分隔墙3矮)。图9为现有技术的发光二极管封装结构的发光角度示意图，对应图7所示的等高墙结构(环形挡墙4与分隔墙3等高)。在图8及图9中，显示出第一白光l1、第二初始光束b1(绿光)、第三初始光束b2(红光)与第四初始光束b3(蓝光)各自的发光范围(即虚线所画出的椭圆)。发光角度(viewangle)是指光源的最大发光强度的50％处与发光范围两侧界线所构成的夹角和。此外，发光角度的偏移量是指光源发出的最大发光强度与光源中心之间的角度，亦即光源发出的最大发光强度距离光源中心的偏移角度。

继续参阅图8与图9所示，并且配合参照下表1，进一步比较分隔墙3与环形挡墙4之间的高度差对于发光范围造成的影响。在图8所示，在高矮墙结构中，分隔墙3高度h1约为0.25mm，环形挡墙4的高度约为0.45mm，亦即分隔墙3的高度h1约为环形挡墙4的高度h2的56％，此时，第一白光l1的发光角度θ1为110度，第一白光l1的最大发光强度距离第一发光二极管芯片11中心的偏移角度(第一白光l1的发光角度的偏移量)θ2小于1度，更确切来说为0.9度。而如图9所示，在等高墙结构中，第一白光l1的发光角度θ1’为108.5度，第一白光l1的最大发光强度距离第一发光二极管芯片11中心的偏移角度(第一白光l1的发光角度的偏移量)θ2’为4.5度。这说明高矮墙结构有利于发光角度增加，并且发光偏移角度有效的接近于发光二极管芯片的中心位置，与等高墙结构相比接近3.6度。因此，比较的结果可知本申请的高矮墙结构更有利于混光均匀且有效缩短混光距离。

表1

此外，除了第一白光l1的发光角度偏移量小于1度，第二初始光束b1、第三初始光束b2及第四初始光束b3的发光角度的偏移量也都不大于7度。

继续参阅图6所示，在本申请中，第一发光二极管芯片11发出的第一初始光束a为蓝光，而发光二极管封装结构100进一步包括含荧光粉(phosphor)的荧光胶体5，荧光胶体5覆盖第一发光二极管芯片11且填满第一腔室721，或者说，荧光胶体5填满第一发光区域1。荧光粉可例如是黄色荧光粉，能让芯片发出的蓝光与黄色荧光粉发出的黄光混和形成白光。或者，荧光粉可例如红色及绿色荧光粉，能让芯片发出的蓝光与荧光粉发出的绿光和红光混和形成白光。因此，第一初始光束a经过第一发光区域1通过荧光胶体5，与荧光胶体5所含的荧光粉所产生的光束(黄光或红光及绿光)混和形成第一白光l1。荧光胶体5的荧光粉含量约为5％～45wt％。较佳者，本申请的实施例中，荧光胶体5的荧光粉含量约为15％。

此外，发光二极管封装结构100进一步包括封装胶体6，封装胶体6覆盖第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22及第四发光二极管芯片23。进一步来说，封装胶体6覆盖分隔墙3及荧光胶体5，使得第一腔室721(或说第一发光区域1)具有两层胶体重叠(荧光胶体5与封装胶体6)。因此第一发光二极管芯片11发出的蓝光会先通过荧光胶体5形成第一白光l1，再通过封装胶体6而散射出去。封装胶体6可包含光扩散剂(diffuser)，让第一白光l1的出光角度更大，亦有助于提高第一白光l1、第二初始光束b1(绿光)、第三初始光束b2(红光)与第四初始光束b3之间的混光均匀性。

封装胶体6中的光扩散剂含量约为0.1～5.0wt％。较佳者，本申请的实施例中，封装胶体6中的光扩散剂含量约为0.5％。常见的光扩散剂可例如为二氧化钛(tio2)、氧化铝(al2o3)、二氧化硅(sio2)、氮化硼(bn)以及氧化锆(zro2)等等，但本申请不限于此。另外，封装胶体6的透光度大于80％，举例而言，可使用信越公司所生产，商品名为xxx的胶，其透光度为90％，折射率为1.54。

再参阅图2所示，壳体7中的基底71包括多个引脚70，第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22及第四发光二极管芯片23分别设置在各个引脚70上。第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22及第四发光二极管芯片23距离分隔墙3由近而远的顺序为第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22、第四发光二极管芯片23。换言之，分隔墙3是位于第一发光二极管芯片11与第二发光二极管芯片21之间。

承上述，由第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22及第四发光二极管芯片23的相对位置可知，蓝光芯片在壳体7内的最两侧，一侧是第一发光二极管芯片11发出的蓝光通过含荧光粉的荧光胶体5形成白色光源(第一白光l1)，另一侧是第四发光二极管芯片23发出的蓝光。这样的配置使得第四发光二极管芯片23在单独点亮时会距离第一白光l1较远，可避免第四发光二极管芯片23所发出的蓝光激发第一发光二极管芯片11上的荧光粉，从而改变第一白光l1的颜色。

参阅图10与图11所示。图10为本申请实施例的发光二极管封装结构的壳体的俯视示意图。图11为图10的xi-xi截面的剖视示意图。如图10所示，基底71是包含金属材料制成的引脚70以及塑料材料，其中，塑料材料可与环形挡墙4及分隔墙3为同一材质，并以模塑成型(molding)的方式同时形成于引脚70上，换言之，包含基底71、环形挡墙4、凹槽72及分隔墙3的壳体7实际上是一体成形的结构。然而，本申请并不限于此，在其他的实施例中，基底71也可以是带有引脚70的板材，如pcb板或陶瓷电路基板等。

继续参阅图10与图11所示，图10为本申请实施例的发光二极管封装结构的壳体的俯视示意图，图11为图10的xi-xi截面的剖视示意图。环形挡墙4具有第一长边41及第二长边42，第一长边41的两端都具有强化部43，而第二长边42具有肋形部44。强化部43与肋形部44是基于环形挡墙4的长方形结构而设计。如图11所示，肋形部44的高度h3为环形挡墙4的高度h2的1/3。肋形部44的“强化肋”结构能够最大化增强环形挡墙4的结构强度，而且不会影响固晶面积，而强化部43的“强化点”结构，亦能更进一步提供环形挡墙4的结构强化效果。

参阅图12所示，图12为本申请实施例的发光二极管封装结构的引脚的立体示意图。引脚70包括第一引脚701、第二引脚702、第三引脚703、第四引脚704、第五引脚705及第六引脚706。第一引脚701、第二引脚702、第三引脚703、第四引脚704、第五引脚705及第六引脚706各具有悬臂段与折脚段，折脚段连接于悬臂段的一边。详细来说，第一引脚701具有悬臂段7011与折脚段7012，第二引脚702具有悬臂段7021与折脚段7022，第三引脚703具有悬臂段7031与折脚段7032，第四引脚704具有悬臂段7041与折脚段7042，第五引脚705具有悬臂段7051与折脚段7052，第六引脚706具有悬臂段7061与折脚段7062。

进一步参阅图12，第三引脚703的悬臂段7031具有倒勾部707。由外观来看，第三引脚703的悬臂段7031是形状为梯形或类梯形的大面积金属料片1。第三引脚703的悬臂段7031具有相对两边7032、7033，其相对两边(长边7032与短边7033)的长度比为1.1，且折脚段7032是连接在短边7033。倒勾部707设置在悬臂段7031的长边7032的两端。前述提到，壳体7是由金属材料制成的引脚70及塑料材料以模塑成型方式一体成形，而第三引脚703的悬臂段7031的大面积容易在射出成型时容易产生翘曲而造成结构崩塌，因此在悬臂段7031的长边7032的两端增加倒勾部707的设计，使倒勾部707在射出成型时埋入结构中，解决悬臂段7031面积大在射出成型时容易产生翘曲而造成结构崩塌的问题，提升由塑料与金属料片(引脚70)形成的基底71的稳定性以及之后发光二极管芯片固定在引脚70后进行打线的稳定性。

进一步言之，当第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22及第四发光二极管芯片23分别设置在各个引脚70上并且进行打线时，导线73的一端连接在发光二极管芯片，另一端连接在各个引脚70上。各引脚70具有不同的极性(阳极或阴极)，其中，本申请的其中一引脚70可具有共极性(共阳极或共阴极)的设计。

详细来说，在本申请的实施例中，第一引脚701为阴极。第二引脚702为阴极，其设置发出蓝光的第四发光二极管芯片23。第三引脚703为共阳极，其设置发出红光的第三发光二极管芯片22。第四引脚704为阴极，其设置发出绿光的第二发光二极管芯片21。第五引脚705为阴极，其设置发出蓝光的第一发光二极管芯片11。第六引脚706为阴极。第三引脚703的共阳极设计会在打线过程中，让第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22及第四发光二极管芯片23的阳极端导线73皆连接在第三引脚703的悬臂段7031上。因此，悬臂段7031的大面积梯形结构可以增加打线区域及固晶面积，在有限面积里争取最大利用率。

参阅图12与图13所示，图13为图12的侧视示意图。第一引脚701、第二引脚702、第三引脚703及第六引脚706进一步包括阶梯部708。其中，各阶梯部708的厚度t约为各引脚70厚度t的二分之一。阶梯部708的设计与倒勾部707相同，阶梯部708在射出成型会埋入塑料材料中，可增加引脚与塑料材料之间的结合性。

继续参阅图13所示，第二引脚702、第三引脚703、第四引脚704及第五引脚705中的各悬臂段(7021～7051)与各折脚段(7022～7052)的连接处具有内凹部709。或者说，各折脚段(7022～7052)的两侧具有内凹部709。内凹部709的结构设计主要抵抗折脚段(7022～7052)的应力残留，并且缩小折弯面积，有效增加壳体7在模塑成型时第二引脚702、第三引脚703、第四引脚704及第五引脚705的各折脚段(7022～7052)与塑料材料的结合性。

需说明的是，在图12与图13中，倒勾部707在第三引脚703示出，阶梯部708在第一引脚701、第二引脚702、第三引脚703及第六引脚706示出，内凹部709在第二引脚702、第三引脚703、第四引脚704及第五引脚705示出。然而，本申请不限于此。实际上，倒勾部707、阶梯部708以及内凹部709的结构设计在所有的引脚70(第一引脚701～第六引脚706)皆适用。本领域的技术人士可考虑引脚70的悬臂段面积大小以及折脚段的折弯面积而将倒勾部707、阶梯部708以及内凹部709的结构应用在一个引脚70或全部引脚70。

此外，如图12所示，发光二极管封装结构的引脚70还具有切槽74。在本申请中，切槽74是设置在第二引脚702、第三引脚703、第四引脚704及第五引脚705，且切槽74的形状为一“v”型切槽。由于发光二极管芯片是通过固晶胶(导电银胶)固定在引脚70上。一旦固晶胶的用量过多，容易在固晶时造成胶溢流而接触到邻近的导线而造成短路。因此，切槽74的设置能够用来防止固晶胶过多造成溢流，以避免短路。

实施例的有益效果

本申请的其中一有益效果在于，本申请所提供的发光二极管封装结构100，其能通过“发光二极管封装结构100包括第一发光区域1、第二发光区域2、分隔墙3以及环形挡墙4”、“第一发光区域1包括第一发光二极管芯片11，第一发光二极管芯片11用以发出第一初始光束a，第一初始光束a经过第一发光区域1而形成第一白光l1”、“第二发光区域2包括发出第二初始光束b1的第二发光二极管芯片21、发出第三初始光束b2的第三发光二极管芯片22以及发出第四初始光束b3的第四发光二极管芯片23”、“分隔墙3设置在第一发光区域1与第二发光区域2之间。环形挡墙4围绕分隔墙3、第一发光区域1及第二发光区域2设置”、“第二初始光束b1、第三初始光束b2及第四始光束b3与第一白光l1混合形成第二白光”以及“第一白光l1的发光角度的偏移量小于1度”的技术方案，以缩短发光二极管封装结构100发出的白色光源所需的混光距离，并且提升发光二极管封装结构100的混光效果。

本申请的另一有益效果在于，本申请所提供的发光二极管封装结构100，其能通过“发光二极管封装结构100包括壳体7、第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22及第四发光二极管芯片23”、“壳体7包括基底71、环形挡墙4以及分隔墙3”、“环形挡墙4设置于基底71上，并且与基底71形成凹槽72”、“分隔墙3设置于基底71上，并且连接环形挡墙4”、“分隔墙3将凹槽72分隔为第一腔室721以及第二腔室722”、“第一发光二极管芯片11设置在第一腔室721”以及“分隔墙3的高度小于环形挡墙4的高度”、“第二发光二极管芯片21、第三发光二极管芯片22及第四发光二极管芯片23设置在第二腔室722”以及“分隔墙3的高度小于环形挡墙4的高度”的技术方案，以缩短发光二极管封装结构100发出的白色光源所需的混光距离，并且提升发光二极管封装结构100的混光效果。

更进一步来说，进一步来说，本申请在分隔墙3的高度h1约为环形挡墙4的高度h2的56％的条件下，能够达到最大发光范围(发光角度110度)与最小中心偏移量(偏移角度0.9度)的发光效率，使混光均匀且有效缩短混光距离(od)～2mm。因此，本申请所提供的发光二极管封装结构100所应用在的各种电子装置能够在缩短混光距离的前提下进一步达到短小轻薄的设计效果。此外，本申请通过rgb光源(第二初始光束b1、第三初始光束b2及第四初始光束b3)加上白光光源(第一白光)来缩短混光距离，能够减少发光二极管芯片的数量来降低成本。而且，分隔墙3的高度设计能让rgb光源(第二初始光束b1、第三初始光束b2及第四初始光束b3)同时可增加出光面积提升光效，例如使绿光光效增加～8％。另外，在封装胶体6加上荧光粉以及在荧光胶体5加上光扩散剂让第一白光l1的出光角度更大，进而使其与rgb光源混光后产生的第二白光更均匀。

以上所公开的内容仅为本申请的优选可行实施例，并非因此局限本申请的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本申请说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本申请的权利要求书的保护范围内。