芯片结构及电子装置的制作方法

文档序号:29452652发布日期:2022-03-30 12:10阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种芯片结构,其特征在于,包括:一基板,包括依序设置的一核心层及一复合材料层;一底部导电层,设置于所述核心层的底面;一半导体层,设置于所述基板之上;一层间介电层,设置于所述半导体层之上;至少一电极,设置于所述半导体层及所述层间介电层之间;以及至少一顶部电极,设置于所述层间介电层之上,且电连接至所述至少一电极。2.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述核心层的组成包括氮化铝、碳化硅、氧化铝、或前述的组合。3.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述复合材料层包括一绝缘层及一半导体接合层。4.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述底部导电层电绝缘于所述半导体层。5.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述底部导电层为单层结构或多层结构,其中所述单层结构的组成包括au、ag、或cu,所述多层结构选自由ti/ni/au、ti/cu、ti/au、cu/ni/au、ni/pd/au、ni/au、au/as、al/ni/ag及前述的组合所构成的群组。6.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述底部导电层用以通过焊料而焊接至一电路板。7.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述芯片结构另包括:一绝缘高分子层,设置于所述层间介电层之上,所述绝缘高分子层包括一开孔,其中所述至少一顶部电极的部分区域会被暴露出于所述开孔;以及至少一接合垫,设置于所述绝缘高分子层之上,且电连接至所述至少一顶部电极,其中所述至少一接合垫的俯视面积大于所述至少一顶部电极的所述部分区域的俯视面积。8.如权利要求7所述的芯片结构,其特征在于,所述绝缘高分子层具有暴露出所述至少一顶部电极的至少一开口。9.如权利要求7所述的芯片结构,其特征在于,所述至少一接合垫直接接触所述绝缘高分子层及所述至少一顶部电极。10.如权利要求7所述的芯片结构,其特征在于,所述至少一接合垫为单层结构或多层结构,其中所述单层结构的组成包括au、ag、或cu,所述多层结构选自由ti/ni/au、ti/cu、ti/au、cu/ni/au、ni/pd/au、ni/au、au/as、al/ni/ag及前述的组合所构成的群组。11.如权利要求7所述的芯片结构,其特征在于,所述至少一接合垫和所述底部导电层具有相同组成。12.如权利要求7所述的芯片结构,其特征在于,所述至少一接合垫用以通过焊接而电连接至一接合导线。13.如权利要求7所述的芯片结构,其特征在于,所述至少一电极包括一源极电极、一漏极电极、及一栅极电极;所述至少一顶部电极包括一第一顶部电极、一第二顶部电极、一第三顶部电极;以及所述至少一接合垫包括一第一接合垫、一第二接合垫、及一第三接合垫,其中所述第一接合垫电连接至所述第一顶部电极及所述源极电极,所述第二接合垫电连接至所述第二顶
部电极及所述漏极电极,且所述第三接合垫电连接至所述第三顶部电极及所述栅极电极,且所述至少一接合垫与所述至少一电极至少部分重叠。14.一种电子装置,其特征在于,包括:一电路板,包括复数个导电接垫;一第一封装结构,设置于所述电路板之上,包括一芯片结构及包覆所述芯片结构的一模封材料,所述芯片结构包括:一基板,包括依序设置的一核心层及一复合材料层;一底部导电层,设置于所述核心层的底面;以及至少一电极,设置于所述基板之上;一第二封装结构,设置于所述电路板之上,所述第二封装结构包括一封装体及一导电结构;一第一焊料,设置于所述电路板及所述第一封装结构之间,其中所述第一焊料将所述底部导电层焊接至一部分的所述些导电接垫;以及一第二焊料,设置于所述电路板及所述第二封装结构之间,其中所述第二焊料将所述导电结构焊接至另一部分的所述些导电接垫。15.如权利要求14所述的电子装置,其特征在于,所述复合材料层包括一绝缘层及一半导体接合层。16.如权利要求14所述的电子装置,其特征在于,所述底部导电层电绝缘于所述复合材料层。17.如权利要求14所述的电子装置,其特征在于,所述芯片结构另包括至少一顶部电极,设置于所述至少一电极之上,其中所述至少一顶部电极电连接至所述至少一电极且电连接至所述些导电接垫的其中之一。18.如权利要求17所述的电子装置,其特征在于,所述芯片结构另包括:一绝缘高分子层,设置于所述至少一顶部电极之上,所述绝缘高分子层包括一开孔,其中所述至少一顶部电极的部分区域会被暴露出于所述开孔;以及至少一接合垫,设置于所述绝缘高分子层之上,且电连接至所述至少一顶部电极,其中所述至少一接合垫的俯视面积大于所述至少一顶部电极的所述部分区域的俯视面积。19.如权利要求18所述的电子装置,其特征在于,所述底部导电层或所述至少一接合垫为单层结构或多层结构,其中所述单层结构的组成包括au、ag、或cu,所述多层结构选自由ti/ni/au、ti/cu、ti/au、cu/ni/au、ni/pd/au、ni/au、au/as、al/ni/ag及前述的组合所构成的群组。20.如权利要求14所述的电子装置,其特征在于,所述第一焊料及所述第二焊料包括相同的组成。

技术总结
一种芯片结构,包括基板、底部导电层、半导体层、层间介电层、至少一电极、至少一顶部电极。基板包括依序设置的核心层及复合材料层。底部导电层设置于核心层的底面,半导体层设置于基板之上,一层间介电层设置于半导体层之上。至少一电极设置于半导体层及层间介电层之间,且至少一顶部电极设置于层间介电层之上且电连接至至少一电极。电连接至至少一电极。电连接至至少一电极。


技术研发人员:游秀美 谢政倚 张维展 林长生 吴俊仪
受保护的技术使用者:世界先进积体电路股份有限公司
技术研发日:2020.09.23
技术公布日:2022/3/29
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