技术特征：
1.一种硅基背照pin器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、取p型硅晶圆片作为基片；s2、清洗基片，去除基片表面污垢；s3、通过光刻工艺在基片正面进行p+光刻；s4、在p+光刻区域进行p+离子注入；s5、通过氧化扩散进行p+离子主扩；s6、在基片表面生长外延层；s7、在外延层表面进行初始氧化，得到氧化层；s8、通过光刻工艺进行p阱光刻，p阱光刻位置与p+光刻位置相对应；s9、在p阱光刻位置进行p阱注入与推阱；s10、通过光刻工艺进行n环光刻，形成n保护环区图形；s11、通过离子注入技术进行n环注入；s12、通过光刻工艺进行p隔离光刻，形成p隔离区图形；s13、在p隔离区进行p隔离注入与推进；s14、通过光刻工艺进行n-光敏区光刻，形成n-光敏区图形；s15、进行n-光敏区注入与n-氧化；s16、通过光刻工艺进行孔光刻，形成引线孔图形；s17、正面金属化，利用溅射和光刻工艺，在引线孔图形位置形成铝引线，实现器件结构的自连与互连；s18、对基片背面进行减薄；s19、在基片背面沉积抗反射膜；s20、对背面金属化处理，将光敏区进行四象限隔离，得到所述硅基背照pin器件。2.根据权利要求1所述的一种硅基背照pin器件结构的制备方法，其特征在于，步骤s1基片选择为p型（100）6寸硅晶圆片，电阻率为8ω.cm~13ω.cm,厚度675μm
±
15μm。3.根据权利要求1所述的一种硅基背照pin器件结构的制备方法，其特征在于，步骤s3所述p+光刻按照以下步骤执行：s31、匀胶，选用正性光刻胶，先在硅片表面用hmds进行增粘处理，然后旋转涂胶，胶厚(1.0
±
0.1)μm；s32、前烘，将涂覆好光刻胶的硅片放热板上，温度设置为(100
±
5)℃，时间为1min；s33、曝光，用光刻掩模版在光刻机上进行图形套准曝光，套准精度为
±
0.5μm；s34、显影，显影温度20
±
)℃；显影时间1
±
0.1min；去离子水冲洗离心干燥，去离子水电阻率≥18mω.cm；s35、后烘，将显影后的硅片放入充氮烘箱中，温度120
±
5℃，时间为30
±
2min。4.根据权利要求1所述的一种硅基背照pin器件结构的制备方法，其特征在于，步骤s4所述p+离子注入利用离子注入技术,注入剂量为3e15的硼杂质，注入能量为70kev。5.根据权利要求1所述的一种硅基背照pin器件结构的制备方法，其特征在于，步骤s15所述n-光敏区注入利用离子注入技术,注入剂量为7e12的p
31＋
杂质,注入能量为250kev。6.根据权利要求1所述的一种硅基背照pin器件结构的制备方法，其特征在于，步骤s18
将基片减薄至200μm
±
10μm。