技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠层，所述堆叠层包括层叠分布的固定层、隔离层及自由层；刻蚀所述堆叠层，形成分立的磁性隧道结，且所述磁性隧道结顶部的宽度大于底部的宽度；在所述磁性隧道结的侧壁形成侧墙，相邻所述侧墙之间具有缺口，所述缺口顶部的宽度小于底部的宽度；在所述缺口中填充电介质层，且所述电介质层中具有空气隙。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述磁性隧道结为底部钉扎，所述自由层的宽度大于所述隔离层、所述固定层的宽度，且所述隔离层和所述固定层的宽度相同，或者，所述自由层、所述隔离层及所述固定层的宽度依次逐渐递减。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述磁性隧道结为顶部钉扎，所述固定层的宽度大于所述自由层、所述隔离层的宽度，且所述自由层和所述隔离层的宽度相同，或者，所述固定层、所述隔离层及所述自由层的宽度依次逐渐递减。4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述缺口中填充电介质层的工艺包括：在所述缺口中沉积电介质材料，使所述缺口的顶部宽度逐渐减小，直至所述缺口的顶部封闭，在所述缺口的电介质材料中形成空气隙；平坦化所述电介质材料，使所述电介质材料的表面与所述磁性隧道结的顶面共面，形成电介质层。5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用多步沉积工艺在所述缺口中沉积电介质材料，且每一步沉积工艺均包括沉积步骤和紫外处理步骤。6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积步骤采用的方法为化学气相沉积或物理气相沉积。7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，每一步沉积工艺均形成一子电介质材料层，且每一所述子电介质材料层的厚度不大于500埃。8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电介质层的材料包括sio2、sion、sioc、sicoh及sicn中的至少一种。9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述磁性隧道结的侧壁形成侧墙的工艺包括：在所述磁性隧道结的表面、侧壁及相邻所述磁性隧道结之间的衬底表面沉积侧墙材料，且所述磁性隧道结相邻侧壁的侧墙材料之间具有缺口，所述缺口顶部的宽度小于底部的宽度；刻蚀所述侧墙材料，仅保留所述磁性隧道结侧壁的侧墙材料，形成侧墙。10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括sin、sic和sicn中的至少一种。11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括：层间介质层，所述层间介质层中具有第一导电层；第一介电层，位于所述层间介质层表面，所述第一介电层中具有贯穿所述第一介电层
的第二导电层，且所述第二导电层连接所述第一导电层和所述磁性隧道结。12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述缺口中填充电介质层之后，还包括：在所述电介质层和所述磁性隧道结的表面形成第二介电层；在所述第二介电层中形成贯穿所述第二介电层的通孔，且所述通孔暴露部分所述磁性隧道结的表面；在所述通孔中填满第三导电层。13.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；磁性隧道结，分立于所述衬底表面，所述磁性隧道结顶部的宽度大于底部的宽度，且所述磁性隧道结包括层叠分布固定层、隔离层及自由层；侧墙，位于所述磁性隧道结的侧壁；电介质层，位于相邻所述侧墙之间的衬底表面，所述电介质层的表面与所述磁性隧道结的顶面共面，且所述电介质层中具有空气隙。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述磁性隧道结为底部钉扎，所述自由层的宽度大于所述隔离层、所述固定层的宽度，且所述隔离层和所述固定层的宽度相同，或者，所述自由层、所述隔离层及所述固定层的宽度依次逐渐递减。15.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述磁性隧道结为顶部钉扎，所述固定层的宽度大于所述自由层、所述隔离层的宽度，且所述自由层和所述隔离层的宽度相同，或者，所述固定层、所述隔离层及所述自由层的宽度依次逐渐递减。16.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述电介质层包括若干层叠分布的子电介质层，且每一所述子电介质层的厚度不大于500埃。17.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括：层间介质层，所述层间介质层中具有第一导电层；第一介电层，位于所述层间介质层表面，所述第一介电层中具有贯穿所述第一介电层的第二导电层，且所述第二导电层连接所述第一导电层和所述磁性隧道结。18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二介电层，位于所述电介质层和所述磁性隧道结的表面；第三导电层，位于所述第二介电层中且贯穿所述第二介电层，所述第三导电层连接所述磁性隧道结。
技术总结
本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠层，所述堆叠层包括层叠分布的固定层、隔离层及自由层；刻蚀所述堆叠层，形成分立的磁性隧道结，且所述磁性隧道结顶部的宽度大于底部的宽度；在所述磁性隧道结的侧壁形成侧墙，相邻所述侧墙之间具有缺口，所述缺口顶部的宽度小于底部的宽度；在所述缺口中填充电介质层，且所述电介质层中具有空气隙。本申请的技术方案能够改善RC延迟，提高器件效率。提高器件效率。提高器件效率。
技术研发人员：刘晨子 徐亮
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.09.25
技术公布日：2022/3/29