1.一种用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长装置，其特征在于，包括：一晶舟和若干晶圆，所述若干晶圆按照预设的大片间距和小片间距装载于所述晶舟上，以获得在一次炉管薄膜氧化工艺中对所述大片间距和所述小片间距的晶圆进行不同膜厚生长；其中，所述大片间距和所述小片间距均为所述晶舟上相邻晶圆之间的间距，且所述大片间距大于所述小片间距。
2.根据权利要求1所述的用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长装置，其特征在于，所述若干晶圆按照预设的大片间距和小片间距装载于所述晶舟上包括：
将所述晶舟划分为下窗口区域、目标区域及上窗口区域；
按照各个所述晶圆的氧化层膜厚需求，将各个所述晶圆装载于所述晶舟相应的窗口区域中，并与相邻的晶圆之间保持相应地所述大片间距或所述小片间距。
3.根据权利要求2所述的用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长装置，其特征在于，所述大片间距为2～3pitch，所述小片间距为1pitch，其中，所述pitch为所述晶舟上设置的两片相邻晶圆之间的最小片间距。
4.根据权利要求2所述的用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长装置，其特征在于，同一区域中所述大片间距与所述小片间距之间的间距为8～10pitch，其中，所述pitch为所述晶舟上设置的两片相邻晶圆之间的最小片间距。
5.一种用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长方法，其特征在于，包括：
将若干晶圆按照预设的大片间距和小片间距装载于晶舟上，以在一次炉管薄膜氧化工艺中对所述大片间距和所述小片间距的晶圆进行膜厚生长，所述大片间距和所述小片间距均为所述晶舟上相邻晶圆之间的间距。
6.根据权利要求5所述的用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长方法，其特征在于，所述将若干晶圆按照预设的大片间距和小片间距装载于晶舟上包括：
将所述晶舟划分为下窗口区域、目标区域及上窗口区域；
按照各个所述晶圆的氧化层膜厚需求，将各个所述晶圆装载于所述晶舟相应的窗口区域中，并与相邻的晶圆之间保持相应地所述大片间距或所述小片间距。
7.根据权利要求6所述的用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长方法，其特征在于，所述大片间距为2～3pitch，所述小片间距为1pitch，其中，所述pitch为所述晶舟上设置的两片相邻晶圆之间的最小片间距。
8.根据权利要求6所述的用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长方法，其特征在于，同一区域中所述大片间距与所述小片间距之间的间距为8～10pitch，其中，所述pitch为所述晶舟上设置的两片相邻晶圆之间的最小片间距。
9.根据权利要求6所述的用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长方法，其特征在于，还包括：
根据炉管薄膜氧化工艺的工艺条件，以及所有晶圆的氧化层膜厚需求，确定下窗口区域、目标区域及上窗口区域的工艺温度设定。
10.根据权利要求9所述的用于炉管薄膜氧化工艺中的不同膜厚一次工艺生长方法，其特征在于，所述确定下窗口区域、目标区域及上窗口区域的工艺温度设定包括：
保持所述炉管薄膜氧化工艺的氧化时间，并保证所述目标区域的工艺温度为所述炉管薄膜氧化工艺设定的工艺温度；
根据氧化层薄膜对工艺温度的敏感性，调节所述下窗口区域和/或所述上窗口区域的工艺温度。