技术特征：
1.一种具有空穴蓄积结构的深紫外led，其特征在于，所述具有空穴蓄积结构的深紫外led由下至上依次设置有蓝宝石衬底、aln本征层、n型algan电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、空穴蓄积层、电子阻挡层、p型algan空穴注入层和p型gan接触层；所述空穴蓄积层为mg掺杂的单层algan结构，生长温度为600～1000℃。2.根据权利要求1中所述的具有空穴蓄积结构的深紫外led，其特征在于，当所述量子阱有源层中势阱的al组分百分数为x，厚度为t
1
时；所述空穴蓄积层的al组分百分数为y，厚度为t
2
，并满足y＝x，t
2
＝t
1
·
(3～10)。3.根据权利要求1中所述的具有空穴蓄积结构的深紫外led，其特征在于，当所述量子阱有源层中势阱的al组分百分数为a，势垒的al组分百分数为b，厚度为t
3
时；所述空穴蓄积层的al组分百分数为c，厚度为t
4
，并满足a<c<b，t
4
＝t
3
·
(2～8)。4.根据权利要求1中所述的具有空穴蓄积结构的深紫外led，其特征在于，所述空穴蓄积层的生长过程中，掺杂mg源为二茂镁。5.根据权利要求1中所述的具有空穴蓄积结构的深紫外led，其特征在于，所述具有空穴蓄积结构的深紫外led还包括n电极和p电极；所述n型algan电子注入层与电流扩展层之间形成台阶状结构，且所述n型algan电子注入层的面积大于所述电流扩展层的面积，所述p电极设置于所述p型gan接触层上，所述n电极设置于所述n型algan电子注入层台阶结构处。6.一种如权利要求1～5中任一所述具有空穴蓄积结构的深紫外led的制备方法，其特征在于，其步骤包括：在400～800℃条件下，于蓝宝石衬底上生长aln本征层中的低温缓冲层，厚度为10～50nm；升温至1200～1400℃，于aln本征层中的缓冲层上生长aln本征层，所述aln本征层的总厚度为500～4000nm；降温至800～1200℃，于所述aln本征层上生长n型algan电子注入层，其中al组分百分数为20～90％，厚度为500～4000nm；降温至700℃～1100℃，于所述n型algan电子注入层上依次生长电流扩展层和量子阱有源层，所述n型algan层与电流扩展层之间形成台阶状结构，所述量子阱有源层的势垒厚度为5～30nm且势垒中al组分百分数为20～100％，势阱厚度为0.1～5nm，且势阱中al组分百分数为0～80％；降温至600℃～1000℃，于所述量子阱有源层上生长空穴蓄积层，且所述空穴蓄积层为mg掺杂的单层algan结构；升温至700℃～1100℃，于所述空穴蓄积层上生长电子阻挡层，其中al组分百分数为30～100％，厚度为5～50nm；在700～1100℃条件下，于所述电子阻挡层上生长p型algan空穴注入层，al组分百分数为0～100％，厚度为1～50nm，并采用mg作为p型掺杂剂；在400～900℃条件下，于所述p型algan空穴注入层上生长p型gan接触层，厚度为1～100nm，并采用mg作为p型掺杂剂；于所述p型gan接触层上设置p电极，于所述n型algan电子注入层台阶结构处设置n电极。
7.根据权利要求6中所述具有空穴蓄积结构的深紫外led的制备方法，其特征在于，所述于所述量子阱有源层上生长空穴蓄积层的步骤中满足：当所述量子阱有源层中势阱的al组分百分数为x，厚度为t
1
时；所述空穴蓄积层的al组分百分数为y，厚度为t
2
，且y＝x，t
2
＝t
1
·
(3～10)。8.根据权利要求6中所述具有空穴蓄积结构的深紫外led的制备方法，其特征在于，所述于所述量子阱有源层上生长空穴蓄积层的步骤中满足：当所述量子阱有源层中势阱的al组分百分数为a，势垒的al组分百分数为b，厚度为t
3
时；所述空穴蓄积层的al组分百分数为c，厚度为t
4
，并满足a<c<b，t
4
＝t
3
·
(2～8)。