1.一种形成半导体器件的源漏区外延层的方法，其特征在于，包括：
s1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构，由浅沟槽隔离结构隔离出有源区；
s2：在有源区内形成多个伪栅极结构；
s3：在伪栅极结构的两侧自对准形成有凹槽；
s4：在凹槽内形成外延层；
s5：形成介质层，介质层覆盖伪栅极结构的上表面和伪栅极结构之间的间隙，形成光刻胶，并进行曝光显影以将凹槽区域显开；
s6：进行刻蚀工艺，以将凹槽内的部分外延层刻蚀掉，使剩余的外延层构成第一层外延层，并使第一层外延层完全覆盖凹槽内壁；
s7：去除剩余的光刻胶和介质层；以及
s8：依次形成第二层外延层和第三层外延层，由第一层外延层、第二层外延层和第三层外延层构成源漏区的嵌入式外延层。
2.根据权利要求1所述的形成半导体器件的源漏区外延层的方法，其特征在于，步骤s2还包括首先在有源区内形成多个鳍体，在每一鳍体上形成所述多个伪栅极结构。
3.根据权利要求1所述的形成半导体器件的源漏区外延层的方法，其特征在于，在步骤s4中外延层填充凹槽。
4.根据权利要求3所述的形成半导体器件的源漏区外延层的方法，其特征在于，外延层完全填充凹槽。
5.根据权利要求1所述的形成半导体器件的源漏区外延层的方法，其特征在于，步骤s5中的介质层为底部抗反射层。
6.根据权利要求1所述的形成半导体器件的源漏区外延层的方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为各向同性刻蚀。
7.根据权利要求1所述的形成半导体器件的源漏区外延层的方法，其特征在于，所述第一层外延层、第二层外延层和第三层外延层为锗硅外延层。
8.根据权利要求1所述的形成半导体器件的源漏区外延层的方法，其特征在于，所述第一层外延层、第二层外延层和第三层外延层为磷硅外延层。
9.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，包括：
s1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构，由浅沟槽隔离结构隔离出有源区；
s2：在有源区内形成多个伪栅极结构；
s3：在伪栅极结构的两侧自对准形成有凹槽；
s4：在凹槽内形成外延层；
s5：形成介质层，介质层覆盖伪栅极结构的上表面和伪栅极结构之间的间隙，形成光刻胶，并进行曝光显影以将凹槽区域显开；
s6：进行刻蚀工艺，以将凹槽内的部分外延层刻蚀掉，使剩余的外延层构成第一层外延层，并使第一层外延层完全覆盖凹槽内壁；
s7：去除剩余的光刻胶和介质层；以及
s8：依次形成第二层外延层和第三层外延层，由第一层外延层、第二层外延层和第三层外延层构成源漏区的嵌入式外延层；
s9：在源漏区的嵌入式外延层中进行源漏注入，形成半导体器件的源极和漏极；以及
s10：进行金属栅置换工艺，将多晶硅栅置换为金属栅。
10.根据权利要求9所述的形成半导体器件的方法，其特征在于，所述半导体器件为鳍式场效晶体管。