冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用与流程

文档序号:23621839发布日期:2021-01-12 10:33阅读:444来源:国知局
冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用与流程

本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层及其制备方法和应用。



背景技术:

近10年来,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(oihps)的光电转换效率显著提升,从最初的3.8%提高到最近的25.2%,作为高效光伏器件的潜力巨大。

spiro-ometad是现今钙钛矿太阳能电池中使用最多的一种空穴传输材料,通常使用明星掺杂剂li-tfsi和tbp掺杂。li-tfsi能够显著提升spiro-ometad薄膜层的电导率和空穴迁移率,但li-tfsi的引入带来了下列问题:(1)li-tfsi的极端吸湿性严重加速了钙钛矿的分解和器件性能的下降;(2)li-tfsi在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中溶解性不高,导致其在spiro-ometad薄膜中聚集;(3)li+会从空穴传输层迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层,影响器件的稳定性。上述问题严重影响了器件的稳定性,限制了钙钛矿太阳能电池的广泛应用,因此,如何解决上述问题对钙钛矿太阳能电池的长期稳定性至关重要。

现阶段,主要的解决途径是掺杂新的材料辅助改善li-tfsi掺杂带来的一系列问题,如掺杂mos2作为物理吸附剂抑制li+迁移,同时mos2作为p型掺杂剂能够提高空穴传输层的电导率,但并不能改善li-tfsi的聚集和吸湿等问题;掺杂pbi2防止li-tfsi的聚集,但li+依然会向器件内部迁移且li-tfsi吸湿性的问题仍然存在;掺杂h3po4加速li-tfsi对spiro-ometad的氧化,提高导电性和迁移率且减少离子迁移,但是仍不能解决li-tfsi的聚集、吸湿等问题,并且掺杂新的材料可能会对器件的光电性能产生不良影响。目前,文献中尚未发现能同时解决以上问题的方法。



技术实现要素:

本发明的目的在于,针对背景技术存在的缺陷,提出了一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层及其制备方法和应用,可同时解决li-tfsi掺杂带来的上述问题。

为实现上述目的,本发明所采用的技术方案为:

一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层,其特征在于,所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的spiro-ometad,其中,冠醚类材料与spiro-ometad的摩尔比为(0.0003~0.0093):1。

进一步地,所述冠醚类材料为冠醚、杂原子冠醚和冠醚衍生物中的至少一种。

进一步地,所述冠醚选自12-冠醚-4、15-冠醚-5、苯并-15-冠醚-5、18-冠醚-6、苯并-18-冠醚-6、二苯并-18-冠醚-6、二苯并-21-冠醚-7、二苯并-24-冠醚-8、二苯并-30-冠醚-10中的一种或几种。

优选地,所述冠醚类材料为12-冠醚-4。

进一步地,所述杂原子冠醚为冠醚的环上含有除了碳、氧、氢之外的其他非金属元素的冠醚。优选地,所述杂原子冠醚为硫杂冠醚、氮杂冠醚、硒杂冠醚。

进一步地,所述冠醚衍生物为球醚或穴醚。

一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、将li-tfsi加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为400~600mg/ml的li-tfsi溶液;

步骤2、将spiro-ometad加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为50~100mg/ml的spiro-ometad溶液;

步骤3、量取步骤1的li-tfsi溶液、4-叔丁基吡啶(tbp)、冠醚类材料加入步骤2得到的spiro-ometad溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液a;其中,混合液a中,spiro-ometad的浓度为46~96mg/ml,li-tfsi的浓度为6~12mg/ml,tbp的浓度为0~30mg/ml,冠醚类材料的浓度为0.3~55mmol/l;

步骤4、采用旋涂的方法将步骤3得到的混合液a涂覆至电子传输层上,旋涂转速为2000~4000rpm,时间为20~40s,即可得到所述空穴传输层。

进一步地,步骤1所述有机溶剂为乙腈、γ-丁内酯等。

进一步地,步骤2所述有机溶剂为氯苯、二氯苯、氯仿、甲苯等。

进一步地,步骤4所述空穴传输层的厚度为20~200nm。

一种钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极,其特征在于,所述空穴传输层为上述空穴传输层。

进一步地,所述导电基底为fto、ito等。

进一步地,所述电子传输层包括致密tio2层和位于致密tio2层之上的介孔tio2层,其中,致密tio2层厚度为10~100nm。

进一步地,所述钙钛矿吸光层选自mapbi3、mapbbr3、mapbcl3、fapbi3、fapbbr3、fapbcl3、cspbi3、maxfa1-xpb(iybr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、maxcs1-xpb(iybr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、faxcs1-xpb(iybr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、cszfaxmaypb(inbr1-n)3(0<x<1,0<y<1,0<z<1,0<n<1,且x+y+z=1)、ba2man-1pbni3n+1(n≥1)、pea2man-1pbni3n+1(n≥1)、ava2man-1pbni3n+1(n≥1)、edaman-1pbni3n+1(n≥1)、pdaman-1pbni3n+1(n≥1)中的一种或多种。

进一步地,所述顶电极为银、金、铝、铜等高导电金属材料,或者高导电的碳材料。

一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、将导电基底依次采用洗洁精、koh溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,吹干;

步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理10~20min;

步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密tio2层和介孔tio2层,得到电子传输层;

步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;

步骤5、采用上述方法在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;

步骤6、在空穴传输层上制备顶电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。

与现有技术相比,本发明的有益效果为:

1、本发明提供了一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层,与未掺杂的空穴传输层相比,冠醚类材料能够与li+形成大环螯合结构,促进li-tfsi在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中的溶解,能够有效阻止li-tfsi的聚集;此外,这样的螯合结构能够有效改善li-tfsi的吸湿性以及有效抑制li+迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层。

2、本发明提供了一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad空穴传输层的制备方法及在钙钛矿太阳能电池中的应用,工艺简单,得到的太阳能电池的稳定性大大提升。

附图说明

图1为本发明提供的基于冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的结构示意图;

图2为实施例1(掺杂18.1mmol/l12-冠醚-4)、实施例2(掺杂54.5mmol/l12-冠醚-4)、对比例1(未掺杂12-冠醚-4)中制备的钙钛矿太阳能电池的性能对比图;

图3为实施例1(掺杂18.1mmol/l12-冠醚-4)制备的钙钛矿太阳能电池放置3h和放置170h后的性能对比图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。

实施例1

一种基于冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,具体包括以下步骤:

步骤1、将fto导电基底依次采用洗洁精、koh溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,氮气吹干;

步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理15min;

步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密tio2层和介孔tio2层,得到电子传输层;具体过程为:首先,将盐酸、乙醇和四异丙醇钛配制的溶液旋涂在导电基底上,旋涂转速为4000rpm,时间为50s;旋涂完成后,得到的基片先在150℃下退火15min、再升温至500℃退火30min,得到致密tio2层;然后,将tio2浆料与乙醇按照质量比1:7的比例配制成旋涂液,旋涂至致密层上,旋涂转速为5000rpm,时间为30s,旋涂完成后,得到的基片先在125℃下退火10min、再升温至500℃退火30min,得到介孔tio2层;

步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;具体过程为:

将pbi2、pbbr、fai、mabr、csi按照质量比31.05:4.36:10.76:1.24:1的比例加入体积比4:1的dmf和dmso的混合溶剂中,搅拌混合均匀,得到的混合液旋涂至步骤3得到的电子传输层上,旋涂条件为:先以1300rpm的转速旋涂10s、再以5000rpm的转速旋涂45s,在旋涂完成前15s滴加0.2ml氯苯作为反溶剂;旋涂完成后,在110℃下退火60min,得到钙钛矿吸光层;

步骤5、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;具体过程为:

5.1将li-tfsi加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/ml的li-tfsi溶液;

5.2将spiro-ometad加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/ml的spiro-ometad溶液;

5.3量取17.5μl步骤5.1的li-tfsi溶液、28.8μl的4-叔丁基吡啶(tbp)、1.6μl的12-冠醚-4加入1ml步骤5.2得到的spiro-ometad溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液a;

5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液a涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层;

步骤6、在空穴传输层上制备顶电极:采用蒸镀法在步骤5得到的空穴传输层上制备500nm的金电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。

实施例2

本实施例与实施例1相比,区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:

5.1将li-tfsi加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/ml的li-tfsi溶液;

5.2将spiro-ometad加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/ml的spiro-ometad溶液;

5.3量取17.5μl步骤5.1的li-tfsi溶液、28.8μl的4-叔丁基吡啶(tbp)、4.8μl的12-冠醚-4加入1ml步骤5.2得到的spiro-ometad溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液a;

5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液a涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。

实施例3

一种基于冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,具体包括以下步骤:

步骤1、将fto导电基底依次采用洗洁精、koh溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,氮气吹干;

步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理20min;

步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密tio2层和介孔tio2层,得到电子传输层;具体过程为:首先,将盐酸、乙醇和四异丙醇钛配制的溶液旋涂在导电基底上,旋涂转速为4500rpm,时间为50s;旋涂完成后,得到的基片先在150℃下退火15min、再升温至500℃退火30min,得到致密tio2层;然后,将tio2浆料与乙醇按照质量比1:7的比例配制成旋涂液,旋涂至致密层上,旋涂转速为4500rpm,时间为30s,旋涂完成后,得到的基片先在110℃下退火10min、再升温至500℃退火30min,得到介孔tio2层;

步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;具体过程为:

将pbi2、pbbr、fai、mabr、csi按照质量比31.05:4.36:10.76:1.24:1的比例加入体积比4:1的dmf和dmso的混合溶剂中,搅拌混合均匀,得到的混合液旋涂至步骤3得到的电子传输层上,旋涂条件为:先以1500rpm的转速旋涂10s、再以5000rpm的转速旋涂45s,在旋涂完成前10s滴加0.2ml氯苯作为反溶剂;旋涂完成后,在110℃下退火60min,得到钙钛矿吸光层;

步骤5、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;具体过程为:

5.1将li-tfsi加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/ml的li-tfsi溶液;

5.2将spiro-ometad加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为80mg/ml的spiro-ometad溶液;

5.3量取20μl步骤5.1的li-tfsi溶液、20μl的4-叔丁基吡啶(tbp)、1μl的15-冠醚-5加入1ml步骤5.2得到的spiro-ometad溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液a;

5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液a涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3500rpm,时间为35s,即可得到所述空穴传输层;

步骤6、在空穴传输层上制备顶电极:采用蒸镀法在步骤5得到的空穴传输层上制备300nm的银电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。

实施例4

本实施例与实施例1相比,区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:

5.1将li-tfsi加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/ml的li-tfsi溶液;

5.2将spiro-ometad加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/ml的spiro-ometad溶液;

5.3量取17.5μl步骤5.1的li-tfsi溶液、0.34μl的12-冠醚-4加入1ml步骤5.2得到的spiro-ometad溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液a;

5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液a涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。

对比例1

对比例1与实施例1的区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:

5.1将li-tfsi加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/ml的li-tfsi溶液;

5.2将spiro-ometad加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/ml的spiro-ometad溶液;

5.3量取17.5μl步骤5.1的li-tfsi溶液、28.8μl的4-叔丁基吡啶(tbp)、加入1ml步骤5.2得到的spiro-ometad溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液a;

5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液a涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。

对实施例1、实施例2、对比例1制备的太阳能电池均在一个标准太阳光下进行光电性能测试。

实施例1、对比例1制备的钙钛矿太阳能电池放置一周后,未掺杂12-冠醚-4的钙钛矿太阳能电池(对比例1)钙钛矿层已经开始发生退化,而掺杂后的钙钛矿太阳能电池(实施例1)和一周前基本一致,空气稳定性得到大幅提高。

图2为实施例1(掺杂18.1mmol/l12-冠醚-4)、实施例2(掺杂54.5mmol/l12-冠醚-4)、对比例1(未掺杂12-冠醚-4)中制备的钙钛矿太阳能电池的性能对比图;由图可知,12-冠醚-4掺杂后的钙钛矿太阳能电池效率和未掺杂的钙钛矿太阳能电池相比,开路电压(voc)、短路电流密度(jsc)、填充因子(ff)只有细微差别。

图3为实施例1(掺杂18.1mmol/l12-冠醚-4)制备的钙钛矿太阳能电池放置3h和放置170h后的性能对比图;由图可知,掺杂后的钙钛矿太阳能电池放置长时间后,其性能基本没有退化,稳定性增强。

本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

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