制造发光显示设备的方法和发光显示设备与流程

本申请要求于2019年10月11日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0126292号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

一个或多个实施例涉及显示设备，且更具体地，涉及制造发光显示设备的方法和发光显示设备。

背景技术：

与液晶显示设备不同，作为用于显示图像的显示设备的有机发光二极管显示设备具有自发射特性。因此，因为有机发光二极管显示设备不需要单独的光源，所以可以减小有机发光二极管显示设备的厚度和重量。另外，有机发光二极管显示设备可以具有诸如低功耗、高亮度和快速响应时间的高品质特性。

技术实现要素：

如上描述的有机发光二极管显示设备应当具有优异的对比度和亮度，但是在明亮的外部光中，对比度可能差。为了防止这种局限性，可以形成具有特定颜色(例如，黑色等)的像素限定层。由于在形成有色的像素限定层的工艺中出现的残余物，可能产生暗斑。一个或多个实施例可以提供发光显示设备及其制造方法，由此可以防止用于外部光的特性的劣化和由暗斑的产生所导致的缺陷，并且可以简化制造工艺。然而，这些局限性仅是示例，并且本公开的范围不限于此。

附加方面将在随后的描述中进行阐述，并且通过该描述，所述附加方面将部分地是明显的，或者可以通过实践本发明的实施例来获悉所述附加方面。

根据实施例，一种制造发光显示设备的方法包括：在导电材料层上形成第一光敏层；通过使用所述第一光敏层作为掩模蚀刻所述导电材料层以形成像素电极；对设置在所述像素电极上的所述第一光敏层进行灰化；形成像素限定层，所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘部分并包括与所述灰化后的第一光敏层重叠的第一开口；去除设置在所述第一开口中的所述灰化后的第一光敏层；在所述像素限定层上形成包括功能层和发射层的中间层；以及在所述中间层上形成相对电极。

在实施例中，所述形成所述像素限定层可以包括：在所述灰化后的第一光敏层上形成有色材料层；使所述有色材料层的一部分曝光；以及通过使所述有色材料层的所述曝光的部分显影以形成所述第一开口。

所述像素限定层可以包括负性光敏材料。

所述方法还可以包括：在所述形成所述第一开口之后，使所述像素限定层固化。

所述像素限定层还可以包括有色颜料或炭黑。

在实施例中，在平面图中，所述第一开口的形状可以与所述像素电极的形状基本上相同。

在实施例中，所述方法还可以包括：形成薄膜晶体管；以及在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间形成绝缘层。所述形成所述绝缘层可以包括：形成用于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的电连接的接触孔，并且所述第一开口可以与所述接触孔重叠。

所述方法还可以包括：形成光学功能层，所述光学功能层包括与所述第一开口重叠的滤色器和与所述滤色器相邻的黑矩阵，其中，所述黑矩阵可以与所述接触孔重叠。

在实施例中，所述方法还可以包括：在所述导电材料层上形成第二光敏层；以及通过使用所述第二光敏层作为掩模蚀刻所述导电材料层以形成布线。

所述方法还可以包括：对设置在所述布线上的所述第二光敏层进行灰化，其中，所述形成所述像素限定层可以包括：形成与所述灰化后的第二光敏层重叠并与所述第一开口间隔开的第二开口。

所述方法还可以包括：去除布置在所述第二开口中的所述灰化后的第二光敏层。

所述方法还可以包括：形成与所述第二开口重叠并设置在所述布线和所述中间层之间的绝缘层。

所述方法还可以包括：在所述功能层的可以与所述布线重叠的一部分中形成孔，其中，所述相对电极可以通过所述孔与所述布线电接触。

根据实施例，一种发光显示设备可以包括：基板；薄膜晶体管，位于所述基板上；像素电极，电连接到所述薄膜晶体管；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间；像素限定层，覆盖所述像素电极的边缘部分并包括与所述像素电极重叠的第一开口；中间层，包括与所述第一开口重叠的发射层以及功能层；以及相对电极，位于所述中间层上。

在实施例中，所述第一绝缘层可以包括用于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的电连接的接触孔，并且所述第一开口可以与所述接触孔重叠。

所述发光显示设备还可以包括：光学功能层，包括与所述第一开口重叠的滤色器；和黑矩阵，与所述滤色器相邻并与所述第一开口的一部分重叠。

所述黑矩阵可以与所述接触孔重叠。

在实施例中，所述像素限定层还可以包括有色颜料或炭黑。

在实施例中，当在垂直于所述基板的方向上观看时，所述第一开口的形状可以与所述像素电极的形状基本上相同。

在实施例中，从所述像素电极的第一边缘至所述第一开口的第一边缘的第一距离可以与从所述像素电极的第二边缘至所述第一开口的第二边缘的第二距离基本上相同。

在实施例中，所述发光显示设备还可以包括与所述像素电极间隔开的布线，其中，所述布线和所述像素电极可以包括相同的材料。

所述像素限定层还可以包括覆盖所述布线的边缘部分并与所述布线重叠的第二开口。

当在垂直于所述基板的方向上观看时，所述第二开口的形状可以与所述布线的形状基本上相同。

所述发光显示设备还可以包括：第二绝缘层，与所述第二开口重叠。

所述第二绝缘层可以设置在所述布线和所述中间层之间。

所述发光显示设备还可以包括：间隔件，设置在所述像素限定层上，其中，所述第二绝缘层和所述间隔件可以包括相同的材料。

所述像素限定层和所述间隔件可以包括不同的材料。

在实施例中，所述发光显示设备还可以包括：驱动薄膜晶体管，电连接到所述薄膜晶体管；初始化薄膜晶体管，电连接到所述驱动薄膜晶体管的栅电极或所述像素电极；以及初始化电压线，电连接到所述初始化薄膜晶体管，其中，所述布线可以包括所述初始化电压线。

在实施例中，所述功能层可以包括与所述第二开口重叠的孔。

所述相对电极可以通过所述孔与所述布线电接触。

附图说明

根据以下结合附图的描述，本公开的实施例的以上和其他方面、特征和优点将更明显，在附图中：

图1至图6是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的示意性截面图；

图7A至图7C是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的一部分的示意性截面图；

图8是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的平面图，其示出了像素电极和布线；

图9是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的平面图，其示出了形成在像素电极和布线上的像素限定层；

图10A至图10C是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的示意性截面图；

图11是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的平面图；

图12是示出了根据实施例的连接到发光显示设备的发光二极管(例如，有机发光二极管)的像素电路的等效电路的示意图；

图13A至图13E是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的示意性截面图；以及

图14是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的平面图。

具体实施方式

现在将详细地参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，这些实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施例，以解释本说明书的各方面。

如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任意组合。例如，“A和/或B”可以被理解为是指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以结合或分离的含义来使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

在下文中，将参照附图详细地描述实施例。在下面的描述中，同样的附图标记被赋予同样的组件，并且将省略其冗余描述。

将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。

如本文中使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。

还将理解的是，本文中使用的术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”说明存在陈述的特征或元件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征或元件。

将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，该层、区域或元件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或元件上。例如，可以存在中间层、区域或元件。

为了便于说明，可能夸大了附图中的元件的尺寸。例如，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。

当特定实施例可以被不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。

在下面的描述中，将理解的是，当膜、层、区域、元件或组件被称为“连接到”或“耦接到”另一膜、层、区域、元件或组件时，该膜、层、区域、元件或组件可以直接或间接地连接或耦接到所述另一膜、层、区域、元件或组件。例如，可以存在中间膜、层、区域、元件或组件。在下面的实施例中，将理解的是，当膜、层、区域、元件或组件被称为“电连接到”或“电耦接到”另一膜、层、区域、元件或组件时，该膜、层、区域、元件或组件可以直接或间接地电连接或电耦接到另一膜、层、区域、元件或组件。例如，可以存在中间膜、层、区域、元件或组件。

图1至图6是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的示意性截面图。

参照图1，在基板100上方形成导电材料层200，并且在导电材料层200上形成第一光敏层1100和第二光敏层1200。在一个实施例中，图1示出了导电材料层200形成在平坦化绝缘层170上。在形成导电材料层200之前，可以在基板100上形成薄膜晶体管TFT和存储电容器Cap。

基板100可以包括各种材料，诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料(例如，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚酰亚胺等)。缓冲层110、栅极绝缘层130、层间绝缘层150和平坦化绝缘层170可以形成在基板100上。缓冲层110防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层中。栅极绝缘层130使薄膜晶体管TFT的半导体层和栅电极彼此绝缘。层间绝缘层150使薄膜晶体管TFT的源电极、漏电极和栅电极彼此绝缘。平坦化绝缘层170覆盖薄膜晶体管TFT，并具有近似平坦的上表面。

导电材料层200可以包括反射膜，该反射膜包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或它们的任何化合物。导电材料层200可以包括包含上述材料的反射膜和设置在该反射膜上方和/或下方的透明导电膜。透明导电膜可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)等。在一个实施例中，导电材料层200可以具有多层结构，在该多层结构中顺序地堆叠有ITO膜、Ag膜和ITO膜。

第一光敏层1100和第二光敏层1200彼此间隔开。第一光敏层1100可以与被配置为将导电材料层200电连接到薄膜晶体管TFT的接触孔CNT重叠。

第一光敏层1100和第二光敏层1200可以包括正性光敏材料。可以通过在导电材料层200上涂覆光敏材料层并且使用包括光透射部分和光阻挡部分的掩模执行曝光工艺和显影工艺来形成第一光敏层1100和第二光敏层1200。可以在涂覆光敏材料层的工艺与曝光工艺之间在第一温度下执行前烘工艺，并且可以在形成第一光敏层1100和第二光敏层1200之后在第二温度下执行后烘工艺。第一温度可以在大约105℃至大约110℃的范围内，并且第二温度可以大于第一温度。例如，第二温度可以在大约130℃至大约135℃的范围内。通过后烘工艺，可以提高与导电材料层200的粘附力。

如图2中所示，可以蚀刻导电材料层200，以形成像素电极210和布线220。可以通过使用第一光敏层1100和第二光敏层1200作为掩模对导电材料层200执行蚀刻工艺(例如，湿法蚀刻工艺)。可以通过蚀刻工艺在第一光敏层1100下方形成像素电极210，并且可以通过蚀刻工艺在第二光敏层1200下方形成布线220。像素电极210可以具有与第一光敏层1100对应的平面形状，并且布线220可以具有与第二光敏层1200对应的平面形状。例如，像素电极210和布线220可以包括相同的材料。像素电极210可以通过平坦化绝缘层170的接触孔CNT电连接到薄膜晶体管TFT。

如图3中所示，可以将分别位于像素电极210和布线220上的第一光敏层1100和第二光敏层1200进行灰化。灰化可以使用氧。灰化后的第一光敏层1100和灰化后的第二光敏层1200可以在尺寸上减小。像素电极210的边缘部分和布线220的边缘部分可以通过灰化工艺被暴露。灰化可以不同于剥离工艺。灰化工艺可以在总体上减小第一光敏层1100和第二光敏层1200的厚度和宽度。

如图4中所示，可以在灰化后的第一光敏层1100和灰化后的第二光敏层1200上涂覆有色材料层180M，并且可以通过使用掩模1400将有色材料层180M曝光。掩模1400可以包括光透射部分1401和光阻挡部分1402。

有色材料层180M可以涂覆在整个基板100上，以覆盖第一光敏层1100和第二光敏层1200。有色材料层180M可以具有与第一光敏层1100和第二光敏层1200不同的光敏性。有色材料层180M可以包括负性光敏材料。

掩模1400的光透射部分1401可以不与第一光敏层1100和第二光敏层1200重叠，并且光阻挡部分1402可以与第一光敏层1100和第二光敏层1200重叠。因此，有色材料层180M的与第一光敏层1100和第二光敏层1200重叠的部分可以不被曝光，并且有色材料层180M的其余部分可以被曝光。

在掩模1400的光阻挡部分1402中，与第一光敏层1100重叠的光阻挡部分1402的第一宽度W1可以等于或类似于第一光敏层1100的第二宽度W2。第一宽度W1类似于第二宽度W2可以指第一宽度W1与第二宽度W2之间的差小于第一宽度W1的大约10％或者小于第二宽度W2的大约10％。

在掩模1400的光阻挡部分1402中，与第二光敏层1200重叠的光阻挡部分1402的第三宽度W3可以等于或类似于第二光敏层1200的第四宽度W4。第三宽度W3类似于第四宽度W4可以指第三宽度W3与第四宽度W4之间的差小于第三宽度W3的大约10％或者小于第四宽度W4的大约10％。

可以将曝光后的有色材料层180M进行显影。通过显影，如图5中所示，可以在基板100上方形成包括第一开口1801和第二开口1802的像素限定层180。

像素限定层180可以具有有色材料。例如，像素限定层180可以具有有色颜料，例如，诸如白色或黑色的特定颜色的颜料。在一个实施例中，像素限定层180可以具有黑色。例如，像素限定层180可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂以及其中混合有红色、绿色和蓝色的颜料。作为另一示例，像素限定层180可以包括卡哆类(cardo-based)粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料与蓝色颜料的混合物。作为另一示例，像素限定层180可以包括炭黑。

因为像素限定层180由有色材料层180M形成，所以像素限定层180可以具有负性光敏性。因为像素限定层180包括有色颜料，所以像素限定层180可以防止外部光的反射。包括有色颜料的像素限定层180可以防止从外部朝向发光显示设备行进的外部光的反射，并可以改善发光显示设备的对比度。

其上设置有像素限定层180、第一光敏层1100和第二光敏层1200的基板100可以被完全地曝光。因为第一光敏层1100和第二光敏层1200包括正性光敏材料，所以第一光敏层1100和第二光敏层1200易于通过上述曝光而溶于显影液中。第一光敏层1100和第二光敏层1200可以被显影，并且如图6中所示，第一光敏层1100和第二光敏层1200可以被去除。在通过显影将第一光敏层1100和第二光敏层1200去除之后，可以在特定温度下执行固化工艺。

像素电极210的边缘部分可以被像素限定层180覆盖。像素电极210的边缘部分可以与像素限定层180直接接触，同时与像素限定层180重叠。当去除第一光敏层1100之后，像素电极210的被第一光敏层1100覆盖的部分可以被暴露。像素电极210的中心部分可以与像素限定层180的第一开口1801重叠，并可以通过第一开口1801被暴露。

布线220的边缘部分可以被像素限定层180覆盖。布线220的边缘部分可以与像素限定层180重叠，并可以与像素限定层180直接接触。当去除第二光敏层1200时，布线220的被第二光敏层1200覆盖的部分可以被暴露。布线220的中心部分可以与像素限定层180的第二开口1802重叠，并可以通过第二开口1802被暴露。

第一开口1801的尺寸可以小于像素电极210的尺寸，并且第二开口1802的尺寸可以小于布线220的尺寸。在这方面，图6示出了第一开口1801的第五宽度W5小于像素电极210的第六宽度W6，并且第二开口1802的第七宽度W7小于布线220的第八宽度W8。

因为在上面参照图1至图6描述的工艺中，像素电极210的通过第一开口1801暴露的区域被第一光敏层1100覆盖，所以像素电极210的该区域不与构成像素限定层180的有色材料接触。

作为对比示例，存在这样的方法：通过在像素电极上完全地涂覆用于形成像素限定层的材料来形成该像素限定层，而省略了形成第一光敏层和第二光敏层的工艺，并且然后将涂覆的材料曝光和显影。像素限定层180的定位在与像素电极210的中心部分对应的区域中的部分被去除，以便形成第一开口，但是未被去除的残留物残存在像素电极210上。这种残留物会导致暗斑。为了使暗斑的产生最少化，可以执行除渣(descum)工艺以去除残留物。然而，当执行除渣工艺时，减少了在像素电极210的中心部分处的暗斑的产生，但是在像素电极210的边缘部分处仍产生暗斑，例如，在第一开口1801的边缘部分处仍产生暗斑。

然而，根据实施例，当执行上面参照图1至图6描述的工艺时，像素电极210的中心部分不与构成像素限定层180的材料接触。因此，无需执行上面描述的除渣工艺，并且能够防止由于构成像素限定层180的材料的残留物引起的暗斑的产生。

图7A至图7C是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的一部分的示意性截面图。

在上面参照图4描述的工艺中，由于诸如基板100与掩模1400之间的对准、曝光时间和曝光量的因素，如图7A中所示，有色材料层180M可以与第一光敏层1100的边缘部分重叠。类似地，像素限定层180可以与第二光敏层1200的边缘部分重叠。

如上面参照图5和图6描述的，当基板100被完全地曝光且然后显影时，可以去除第一光敏层1100和第二光敏层1200，并且如图7B中所示，像素限定层180可以包括倒锥形倾斜表面(参见图7B的部分A和部分B)。在像素限定层180包括倒锥形表面的情况下，有待在后续工艺中形成的功能层和/或相对电极可能破裂。然而，根据实施例，像素限定层180的一部分可以通过在去除第一光敏层1100和第二光敏层1200之后执行的固化工艺而回流。因此，如图7C中所示，像素限定层180的限定第一开口1801和第二开口1802的部分可以包括正锥形倾斜表面，同时与像素电极210的上表面和布线220的上表面接触或连接到像素电极210的上表面和布线220的上表面。

图8是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的平面图，其示出了像素电极和布线。图8的平面图可以对应于当在垂直于基板100的方向上观看在上面参照图2描述的工艺中形成的像素电极210和布线220时的平面图。为了便于描述，在图8中省略了图2中示出的第一光敏层1100和第二光敏层1200。

像素电极210为岛型，并可以与布线220间隔开。参照图2和图8，像素电极210可以包括用于与薄膜晶体管TFT电连接的第一部分210A以及连接到第一部分210A的第二部分210B。第一部分210A是用于与设置在像素电极210下方的薄膜晶体管TFT电连接的部分，并且第一部分210A可以通过接触孔CNT连接到薄膜晶体管TFT。第二部分210B可以一体地连接到第一部分210A，并且可以具有比第一部分210A的面积相对更大的面积。

图9是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的平面图，其示出了位于像素电极和布线上的像素限定层。图9的平面图可以对应于当在垂直于基板100的方向上观看上面参照图6和图7C描述的截面结构时的平面图。

像素限定层180可以设置在像素电极210和布线220上，并可以覆盖像素电极210的边缘部分和布线220的边缘部分。像素限定层180的第一开口1801与像素电极210重叠，并且第二开口1802与布线220重叠。

在上面参照图1至图6和图7A至图7C描述的工艺中，可以通过第一光敏层1100和第二光敏层1200来形成像素电极210和布线220，并且可以通过使用灰化后的第一光敏层1100和灰化后的第二光敏层1200来形成具有第一开口1801和第二开口1802的像素限定层180。因此，当在平面图中观看时，第一开口1801具有与像素电极210的尺寸不同的尺寸，但是可以具有与像素电极210的形状基本上相同的形状。类似地，当在平面图中观看时，第二开口1802具有与布线220的尺寸不同的尺寸，但是可以具有与布线220的平面形状基本上相同的平面形状。

第一开口1801还可以与用于像素电极210和薄膜晶体管TFT(图6和图7C)之间的电连接的接触孔CNT重叠。第一开口1801的边缘可以与像素电极210的边缘间隔开。例如，彼此相邻的第一开口1801的第一边缘和像素电极210的第一边缘可以以第一距离d1间隔开，并且第一开口1801的第二边缘和像素电极210的第二边缘可以以第二距离d2间隔开。第一开口1801的第三边缘和像素电极210的第三边缘可以以第三距离d3间隔开，第一开口1801的第四边缘和像素电极210的第四边缘可以以第四距离d4间隔开，并且第一开口1801的第五边缘和像素电极210的第五边缘可以以第五距离d5间隔开。因为通过如上描述的灰化通过使用小于像素电极210的第一光敏层1100(图2)来形成像素限定层180，所以上面描述的第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3、第四距离d4和第五距离d5可以彼此基本上相同。

类似地，第二开口1802的一个边缘可以与布线220的一个边缘以第六距离d6间隔开，并且第二开口1802的另一边缘可以与布线220的另一边缘以第七距离d7间隔开。第六距离d6和第七距离d7可以彼此基本上相同。

图10A至图10C是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的示意性截面图。

参照图10A，可以在上面参照图6至图7C描述的像素限定层180上形成间隔件191。间隔件191可以包括与像素限定层180的材料不同的材料。在一个实施例中，间隔件191可以包括聚酰亚胺类树脂，例如，光敏聚酰亚胺类树脂。间隔件191可以与除了像素限定层180的开口之外的材料部分重叠。

在形成间隔件191的工艺中，可以形成绝缘层192以覆盖第二开口1802。绝缘层192可以包括与间隔件191的材料相同的材料。绝缘层192可以覆盖通过第二开口1802暴露的布线220。在实施例中，当在通过不形成绝缘层192而暴露的布线220上形成中间层(参见图10B)时，可能无法通过布线220提供有待提供给包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cap的像素电路的信号。因此，可以形成绝缘层192以覆盖布线220。

如图10B所示，可以形成中间层224和相对电极230。中间层224可以包括顺序地堆叠的第一功能层221、发射层222和第二功能层223。发射层222可以仅与像素电极210和/或第一开口1801重叠，但是第一功能层221和第二功能层223可以被形成为覆盖整个基板100。

发射层222可以包括有机材料。发射层222可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。可以使用掩模通过沉积工艺来形成发射层222。

第一功能层221可以为单层或多层。在第一功能层221由高分子量材料形成的情况下，第一功能层221是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并可以由聚-(3,4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。在第一功能层221由低分子量材料形成的情况下，第一功能层221可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层221可以通过例如热沉积形成。

第二功能层223可以是可选的。在第一功能层221和发射层222由高分子量材料形成的情况下，可以形成第二功能层223。第二功能层223可以为单层或多层。第二功能层223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层223可以通过例如热沉积形成。

相对电极230可以由具有相对低的功函数的导电材料形成。例如，相对电极230可以包括(半)透明层，该(半)透明层包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和/或它们的任何合金。可选地，相对电极230还可以包括位于包含上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在一个实施例中，相对电极230可以包括银(Ag)和镁(Mg)。在一个实施例中，相对电极230可以通过热沉积形成。

其中顺序地堆叠有像素电极210、中间层224和相对电极230的堆叠结构可以形成发光二极管，例如，有机发光二极管OLED。

参照图10C，可以在有机发光二极管OLED上形成薄膜封装层300和光学功能层400。

薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在一个实施例中，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积形成。

有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。例如，有机封装层320可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等的丙烯酸树脂。有机封装层320可以通过使单体固化或涂覆聚合物来形成。

光学功能层400是防止外部光的反射的元件，并可以包括滤色器410和黑矩阵420。与包括偏振板的显示设备相比，包括光学功能层400的发光显示设备可以显著地减小发光显示设备的厚度，光学功能层400包括滤色器410和黑矩阵420。在实施例中，黑矩阵420可以与滤色器410相邻。在另一实施例中，黑矩阵420可以围绕滤色器410。

滤色器410可以与像素限定层180的第一开口1801重叠，并且从有机发光二极管OLED发射的光穿过薄膜封装层300和滤色器410。

黑矩阵420可以与布线220和第二开口1802重叠，并且黑矩阵420的一部分可以与第一开口1801的一部分重叠。例如，黑矩阵420可以与第一开口1801的一部分和接触孔CNT重叠。当在垂直于基板100的方向上观看时，接触孔CNT与黑矩阵420重叠并被黑矩阵420覆盖。

图11是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的平面图。图11示出了形成在图9中所示的平面图上的光学功能层400的结构。

参照图11，光学功能层400的滤色器410可以与第一开口1801重叠。在一个方向上测量的滤色器410的第九宽度W9可以等于或小于在如上所述的一个方向上测量的第一开口1801的第五宽度W5。在一个实施例中，图11示出了第九宽度W9小于第五宽度W5。

黑矩阵420可以与像素电极210的边缘部分和接触孔CNT重叠。另外，黑矩阵420可以与布线220、与布线220重叠的第二开口1802和覆盖第二开口1802的绝缘层192重叠。

图12是示出了根据实施例的连接到发光显示设备的发光二极管(例如，有机发光二极管)的像素电路的等效电路的示意图。

参照图12，像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器。根据实施例，如图12中所示，薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。

驱动薄膜晶体管T1的栅电极电连接到存储电容器Cap的电极。驱动薄膜晶体管T1的源电极和漏电极中的一个电极通过操作控制薄膜晶体管T5电连接到驱动电压线PL。驱动薄膜晶体管T1的源电极和漏电极中的另一电极通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并将驱动电流Id供应到有机发光二极管OLED。

开关薄膜晶体管T2的栅电极电连接到第一扫描线SWL。开关薄膜晶体管T2的源电极和漏电极中的一个电极电连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的源电极和漏电极中的另一电极电连接到驱动薄膜晶体管T1，并通过操作控制薄膜晶体管T5电连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2根据通过第一扫描线SWL接收的扫描信号GW而导通，并执行开关操作以将通过数据线DL接收的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1。

补偿薄膜晶体管T3的栅电极电连接到第一扫描线SWL。补偿薄膜晶体管T3的源电极和漏电极中的一个电极电连接到驱动薄膜晶体管T1，并通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的源电极和漏电极中的另一电极电连接到存储电容器Cap的电极、第一初始化薄膜晶体管T4和驱动薄膜晶体管T1。补偿薄膜晶体管T3根据通过第一扫描线SWL接收的扫描信号GW而导通，并将驱动薄膜晶体管T1的栅电极电连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和漏电极中的一个电极(例如，漏电极)，从而以二极管方式连接驱动薄膜晶体管T1。

第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极电连接到第二扫描线SIL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和漏电极中的一个电极电连接到第二初始化薄膜晶体管T7和初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和漏电极中的另一电极电连接到存储电容器Cap的电极、补偿薄膜晶体管T3和驱动薄膜晶体管T1。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过第二扫描线SIL接收的前一扫描信号GI而导通，并执行初始化操作以将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的栅电极，以使驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压初始化。

操作控制薄膜晶体管T5的栅电极电连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极和漏电极中的一个电极电连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极和漏电极中的另一电极电连接到驱动薄膜晶体管T1和开关薄膜晶体管T2。

发射控制薄膜晶体管T6的栅电极电连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极和漏电极中的一个电极电连接到驱动薄膜晶体管T1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极。发射控制薄膜晶体管T6的源电极和漏电极中的另一电极电连接到第二初始化薄膜晶体管T7和有机发光二极管OLED的像素电极。

操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时导通，并将驱动电压ELVDD传送到有机发光二极管OLED，使得驱动电流Id流经有机发光二极管OLED。

第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极电连接到第二扫描线SIL。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极和漏电极中的一个电极电连接到发射控制薄膜晶体管T6和有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极和漏电极中的另一电极电连接到第一初始化薄膜晶体管T4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7根据通过第二扫描线SIL接收的前一扫描信号GI而导通，并使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。

在图12中示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7电连接到第二扫描线SIL的实施例，但是实施例不限于此。在另一实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4可以电连接到第二扫描线SIL并且根据前一扫描信号GI而被驱动，第二初始化薄膜晶体管T7可以电连接到布置(或设置)在像素P的前一行或下一行中的像素的第一扫描线或第二扫描线。

存储电容器Cap的一个电极电连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的相对电极电连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流Id并且发光以显示图像。

已经参照图12描述了像素电路PC包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器的实施例，但是实施例不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而不同地改变。

上面参照图11描述的布线220可以是上面参照图12描述的线中的一种，所述线例如驱动电压线PL、初始化电压线VL和数据线DL。例如，布线220可以对应于被配置为提供初始化电压Vint的初始化电压线VL。

在另一实施例中，布线220可以对应于被配置为提供与连接到像素电路的线(例如，驱动电压线、初始化电压线和数据线等)的信号或电压不同的信号或电压的线。布线220上的截面和平面的结构可以不同于上面参照图10C和图11描述的结构，并且将参照图13A至图13C和图14来描述该结构。

图13A至图13E是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的示意性截面图。

参照图13A，可以在上面参照图6或图7C描述的像素限定层180上形成间隔件191。间隔件191可以包括与像素限定层180的材料不同的材料。在一个实施例中，间隔件191可以包括聚酰亚胺类树脂，例如，光敏聚酰亚胺类树脂。间隔件191可以与除了像素限定层180的开口(例如，第一开口1801和第二开口1802)之外的材料部分重叠。

如图13B中所示，可以形成中间层224。中间层224可以包括顺序地堆叠的第一功能层221、发射层222和第二功能层223。发射层222可以与像素电极210重叠，但是第一功能层221和第二功能层223可以被形成为覆盖整个基板100。发射层222、第一功能层221和第二功能层223的材料与上面描述的那些材料相同。

例如第一功能层221和/或第二功能层223的中间层224的一部分可以通过第二开口1802定位在布线220上。第一功能层221可以通过第二开口1802与布线220直接接触。

如图13C中所示，可以去除位于布线220上的第一功能层221的一部分和位于布线220上的第二功能层223的一部分，以形成第一功能层221的第一孔221h和第二功能层223的第二孔223h。第一孔221h和第二孔223h可以与第二开口1802重叠，并且布线220可以通过第一孔221h和第二孔223h被暴露。可以通过照射激光束来形成第一孔221h和第二孔223h。

如图13D中所示，形成相对电极230。相对电极230的材料与上面描述的材料相同。

其中顺序地堆叠有像素电极210、中间层224和相对电极230的堆叠结构可以形成发光二极管，例如，有机发光二极管OLED。相对电极230的一部分可以电连接到布线220。相对电极230的一部分可以与通过第一孔221h和第二孔223h暴露的布线220直接接触。布线220可以是能够提供公共电压ELVSS(图12)的总线。当发光显示设备具有相对大的尺寸时，总线可以设置为与显示区域中的像素电极相邻，以防止相对电极的电压下降。显示区域是指发光显示设备能够在其上提供图像的图像平面或屏幕区域。图13D中示出的布线220可以对应于上面描述的总线，并可以被配置为将公共电压ELVSS提供到相对电极230。

如图13E中所示，可以在有机发光二极管OLED上形成薄膜封装层300和光学功能层400。薄膜封装层300和光学功能层400的详细结构与上面参照图10C描述的那些详细结构相同。

滤色器410可以与像素限定层180的第一开口1801重叠，并且从有机发光二极管OLED发射的光穿过薄膜封装层300和滤色器410。

黑矩阵420可以与布线220和第二开口1802重叠，并且黑矩阵420的一部分可以与第一开口1801的一部分重叠。黑矩阵420可以与第一开口1801的一部分和接触孔CNT重叠。当在垂直于基板100的方向上观看时，接触孔CNT与黑矩阵420重叠并被黑矩阵420覆盖。

图14是示出了根据实施例的制造发光显示设备的工艺的平面图。图14可以对应于当在垂直于基板100的方向上观看图13E中示出的结构时的平面结构。

参照图14，光学功能层400的滤色器410可以与第一开口1801重叠。在同一方向上测量的滤色器410的第九宽度W9可以等于或小于第一开口1801的第五宽度W5。在一个实施例中，图14示出了第九宽度W9小于第五宽度W5。

黑矩阵420可以与像素电极210的边缘部分和接触孔CNT重叠。黑矩阵420可以与布线220、与布线220重叠的第二开口1802以及与第二开口1802重叠的第一孔221h和第二孔223h重叠。

实施例可以提供能够在不增加掩模的情况下防止暗斑的产生并防止对比度的劣化的发光显示设备。

应当理解，本文中描述的实施例应仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。对每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由本公开限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。