技术特征：
1.一种三维存储器的漏电分析方法，其特征在于，所述存储器的堆叠结构包括交替层叠设置的绝缘层和导电的k个栅极层，k为正整数，所述堆叠结构的第一端具有第一台阶区，所述堆叠结构的第二端具有第二台阶区；所述方法包括：在所述第一台阶区，形成与所述k个栅极层一一对应接触的k个导电第一插塞；在所述第二台阶区，形成与多个所述栅极层一一对应接触的多个导电的第二插塞；其中，与第二插塞接触的相邻的栅极层之间存在一个未与第二插塞接触的栅极层；向所述第一插塞注入导电的第一粒子，向所述第二插塞注入导电的第二粒子；其中，所述第一粒子的电性与所述第二粒子的电性相反；对所述第一插塞进行电性检测，基于检测结果，进行漏电分析。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一插塞进行电性检测，基于检测结果，进行漏电分析，包括：对所述第一插塞进行电子束检测，获取所述检测结果；基于所述检测结果中所述第一插塞呈现的图像，进行漏电分析。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述检测结果中所述第一插塞呈现的图像，进行漏电分析，包括：所述检测结果中相邻两个第一插塞呈现的图像相同时，对应于所述相邻两个第一插塞中，与上层栅极层接触的一个第一插塞漏电；所述检测结果中相邻两个第一插塞呈现的图像不同，且一个第一插塞呈现的图像亮度小于或等于第一亮度阈值，另一个第一插塞呈现的图像亮度大于或等于第二亮度阈值时，对应于所述相邻两个第一插塞不漏电；所述检测结果中相邻两个第一插塞呈现的图像不同时，呈现的图像亮度小于或等于所述第一亮度阈值的一个第一插塞不漏电，呈现的图像亮度大于所述第一亮度阈值且小于所述第二亮度阈值的另一个第一插塞漏电；所述检测结果中相邻两个第一插塞呈现的图像不同时，呈现的图像亮度大于或等于所述第二亮度阈值的一个第一插塞不漏电，呈现的图像亮度大于所述第一亮度阈值且小于所述第二亮度阈值的另一个第一插塞漏电；其中，所述第一亮度阈值小于所述第二亮度阈值。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述栅极层包括第一类栅极层和第二类栅极层；其中，所述第一类栅极层与一个不漏电的所述第一插塞接触，且所述第一类栅极层不与所述第二插塞电连接；与所述第一类栅极层电连接的不漏电的所述第一插塞呈现的图像亮度为所述第一亮度阈值；所述第二类栅极层与另一个不漏电的所述第一插塞接触，且所述第二类栅极层与所述第二插塞电连接；与所述第二类栅极层电连接的不漏电的所述第一插塞呈现的图像亮度为所述第二亮度阈值。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述第一插塞注入导电的第一粒子，向所述第二插塞注入导电的第二粒子，包括：在所述第一插塞表面喷洒所述第一粒子，并在所述第一插塞上加载第一电压；其中，所
述第一电压的电性与所述第一粒子的电性一致；在所述第二插塞表面喷洒所述第二粒子，并在所述第二插塞上加载第二电压；其中，所述第二电压的电性与所述第二粒子的电性一致。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一粒子的电性为正电性；所述第二粒子的电性为负电性。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当检测到所述三维存储器包括至少一个漏电的第一插塞时，采用透射电子显微镜对所述漏电的第一插塞进行检测，以确定所述三维存储器的漏电位置。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠结构位于所述三维存储器的虚拟存储块；和/或，所述堆叠结构位于所述三维存储器的存储块；其中，所述存储块用于执行存储功能。9.一种三维存储器，其特征在于，包括：堆叠结构，包括：交替层叠设置的绝缘层和导电的k个栅极层；其中，k为正整数，所述堆叠结构的第一端具有第一台阶区，所述堆叠结构的第二端具有第二台阶区；k个导电的第一插塞，垂直于所述栅极层，且分别与所述第一台阶区中的k个所述栅极层一一对应接触，用于传输控制信号；多个导电的第二插塞，垂直于所述栅极层，且在所述第二台阶区与多个所述栅极层一一对应接触；其中，分别与不同第二插塞对应接触的相邻的栅极层之间存在一个未与第二插塞接触的栅极层；其中，所述第一插塞和所述第二插塞，用于对所述三维存储器进行漏电分析。10.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构、所述第一插塞和所述第二插塞，位于所述三维存储器的虚拟存储块和/或存储块内；其中，所述存储块，用于进行电荷存储。