电致发光显示装置的制作方法

电致发光显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本申请要求享有于2019年10月25日提交的韩国专利申请no.10-2019-0133406的权益，通过引用将该专利申请整体并入本文，如同在本文完全阐述一样。
技术领域
3.本发明涉及一种电致发光显示装置。


背景技术：

4.电致发光显示装置以这样的方式设置：发光层设置在阳极电极与阴极电极之间，并且发光层利用在上述两个电极之间产生的电场发光，由此显示图像。
5.发光层可由当通过电子和空穴的结合产生激子并且激子从激发态降至基态时发光的有机材料形成，或者可由诸如量子点之类的无机材料形成。
6.发光层可配置成通过每个子像素发射不同颜色的光，例如，红色光、绿色光和蓝色光，或者可配置成通过每个子像素发射相同颜色的光，例如，白色光。
7.然而，在相关技术的情况下，由于在相邻子像素之间传输电荷，可能产生漏电流，由此可导致画面质量的劣化。


技术实现要素：

8.鉴于上述问题进行了本发明，本发明的一个目的是提供一种能够减小由于相邻子像素之间的漏电流而导致的画面质量劣化的电致发光显示装置。
9.根据本发明的一个方面，可通过提供一种电致发光显示装置实现上述和其他目的，所述电致发光显示显示装置包括：基板；在所述基板上的第一子像素和第二子像素；在所述第一子像素和所述第二子像素之间的p型掺杂层；在所述基板上的第一子像素和第二子像素的每一个中的第一电极；在所述第一电极上的第一发光层；在所述第一发光层上的电荷生成层，所述电荷生成层包括位于所述第一发光层上的n型电荷生成层和位于所述n型电荷生成层上的p型电荷生成层；在所述电荷生成层上的第二发光层；和在所述第二发光层上的第二电极，其中设置在所述第一子像素中的n型电荷生成层和设置在所述第二子像素中的n型电荷生成层通过设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的边界区域中的p型掺杂层而彼此分隔开。
10.根据本发明的另一个方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板，在所述基板上具有第一子像素和第二子像素；在所述第一子像素和所述第二子像素之间的第一n型掺杂层；在所述基板上的第一子像素和第二子像素的每一个中的第一电极；在所述第一电极上的发光层；在所述发光层上的第二电极，其中在所述发光层中包括空穴传输层，其中设置在所述第一子像素中的空穴传输层和设置在所述第二子像素中的空穴传输层通过设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的边界区域中的第一n型掺杂层而彼此分隔开。
11.根据本发明的又一个方面，提供了一种显示装置，包括：基板；在所述基板上的第
一子像素和第二子像素；在所述第一子像素和所述第二子像素之间的掺杂层；在所述基板上的第一子像素和第二子像素的每一个中的第一电极；在所述第一电极上的具有p型极性或n型极性的有机层；和在所述有机层上的第二电极，其中设置在所述第一子像素中的有机层和设置在所述第二子像素中的有机层通过设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的边界区域中的掺杂层而彼此分隔开，并且所述掺杂层利用其极性与所述有机层的极性相反的掺杂剂进行掺杂。
12.根据本发明的又一个方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：具有第一子像素和第二子像素的基板；在所述基板上的第一子像素和第二子像素的每一个中的第一电极；在所述第一电极上的第一发光层；在所述第一发光层上的电荷生成层；在所述电荷生成层上的第二发光层；以及在所述第二发光层上的第二电极，其中所述电荷生成层包括在所述第一发光层上的n型电荷生成层、和在所述n型电荷生成层上的p型电荷生成层，并且设置在所述第一子像素中的n型电荷生成层和设置在所述第二子像素中的n型电荷生成层通过设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的边界区域中的p型掺杂层而彼此分隔开。
13.根据本发明的又一个方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：具有第一子像素和第二子像素的基板；在所述基板上的第一子像素和第二子像素的每一个中的第一电极；在所述第一电极上的具有空穴传输层的发光层；以及在所述发光层上的第二电极，其中设置在所述第一子像素中的空穴传输层和设置在所述第二子像素中的空穴传输层通过设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的边界区域中的n型掺杂层而彼此分隔开。
14.根据本发明的再一个方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：具有第一子像素和第二子像素的基板；在所述基板上的第一子像素和第二子像素的每一个中的第一电极；在所述第一电极上的具有p型极性或n型极性的有机层；以及在所述有机层上的第二电极，其中设置在所述第一子像素中的有机层和设置在所述第二子像素中的有机层通过设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的边界区域中的掺杂层而彼此分隔开，并且所述掺杂层利用其极性与所述有机层的极性相反的掺杂剂进行掺杂。
附图说明
15.将从下面结合附图的详细描述更清楚地理解本发明的上述和其他的目的、特征和其他优点，其中：
16.图1是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图；
17.图2a至图2c图解了根据本发明一个实施方式的电荷生成层中的lumo能级和homo能级；
18.图3是根据本发明的一个实施方式，电流密度随驱动电压的变化的曲线图；
19.图4是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图；
20.图5是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图；
21.图6是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图；
22.图7是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
23.图8是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
24.图9a至图9c图解了根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置，其涉及头戴式显示(hmd)设备。
具体实施方式
25.将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
26.为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的要素。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。
27.在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”描述的情况下，可存在另外的部分，除非使用了“仅”。
28.在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。
29.在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在
……
上”、“在
……
上方”、“在
……
下方”、“在
……
之下”和“在
……
之后”时，可包括之间不接触的情况，除非使用了“正好”或“直接”。如果提到第一要素位于第二要素“上”，其不意味着在图中第一要素必然位于第二要素上方。所涉及对象的上部和下部可根据对象的取向而变化。因而，第一要素位于第二要素“上”的情况包括在图中或在实际构造中第一要素位于第二要素“下方”的情况以及第一要素位于第二要素“上方”的情况。
30.在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在
……
之后”、“随后”、“接着”和“在
……
之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
31.将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来将要素彼此区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一要素可能被称为第二要素，相似地，第二要素可能被称为第一要素。
32.应当理解，术语“至少一个”包括与任意一个项目相关的所有组合。例如，“第一要素、第二要素和第三要素之中的至少一个”可包括选自第一要素、第二要素和第三要素中的两个或更多个要素的所有组合以及第一要素、第二要素和第三要素的每一个要素。
33.如所属领域技术人员能够充分理解的，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。
34.在附图中，相同或相似的要素由相同的参考标记表示，即使它们被描绘在不同的附图中。
35.在本发明的实施方式中，为了便于说明，源极电极和漏极电极彼此区分开。然而，可互换地使用源极电极和漏极电极。因而，源极电极可以是漏极电极，漏极电极可以是源极电极。此外，本发明的任意一个实施方式中的源极电极在本发明的另一个实施方式中可以是漏极电极，本发明的任意一个实施方式中的漏极电极在本发明的另一个实施方式中可以是源极电极。
36.在本发明的一个或多个实施方式中，为了便于说明，源极区域与源极电极区分开，漏极区域与漏极电极区分开。然而，本发明的实施方式不限于此结构。例如，源极区域可以是源极电极，漏极区域可以是漏极电极。此外，源极区域可以是漏极电极，漏极区域可以是
源极电极。
37.下文中，将参照附图描述根据本发明的电致发光显示装置。
38.图1是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图。
39.如图1中所示，根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置包括基板100、电路器件层200、第一电极300、堤部400、第一发光层500、电荷生成层600、第二发光层700和第二电极800。
40.基板100可由玻璃或塑料形成，但不限于这些材料。基板100可由诸如硅晶片之类的半导体材料形成。基板100可由透明材料或不透明材料形成。在基板100上具有第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3。第一子像素sp1发射红色r光，第二子像素sp2发射绿色g光，第三子像素sp3发射蓝色b光，但不限于此结构。
41.根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置可形成为发射的光向上传播的顶部发光型。当电致发光显示装置形成为顶部发光型时，除了透明材料以外，基板100还可由不透明材料形成。
42.电路器件层200设置在基板100上。
43.在电路器件层200中，按照每个子像素(sp1、sp2、sp3)设置包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路器件。信号线可包括栅极线、数据线、电源线和基准线，薄膜晶体管可包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和感测薄膜晶体管。
44.开关薄膜晶体管利用提供至栅极线的栅极信号进行开关操作，并且开关薄膜晶体管将从数据线提供的数据电压提供至驱动薄膜晶体管。
45.驱动薄膜晶体管利用从开关薄膜晶体管提供的数据电压进行开关操作，并且驱动薄膜晶体管基于从电源线提供的电源产生数据电流并将数据电流提供至第一电极300。
46.感测薄膜晶体管感测驱动薄膜晶体管中的阈值电压的偏差，该偏差导致画面质量的劣化。感测薄膜晶体管响应于从栅极线或附加感测线提供的感测控制信号将驱动薄膜晶体管的电流提供至基准线。
47.电容器将提供至驱动薄膜晶体管的数据电压保持一个帧周期，并且电容器与驱动薄膜晶体管的栅极端子和源极端子的每一个连接。
48.第一电极300设置在电路器件层200上并且按照每个子像素(sp1、sp2、sp3)被图案化。就是说，在第一子像素sp1中形成一个第一电极300，在第二子像素sp2中形成另一个第一电极300，并且在第三子像素sp3中形成另一个第一电极300。第一电极300可用作电致发光显示装置的阳极。
49.第一电极300与设置在电路器件层200中的驱动薄膜晶体管连接。详细地说，第一电极300可与驱动薄膜晶体管的源极端子或漏极端子连接。为此，在电路器件层200中设置用于暴露驱动薄膜晶体管的源极端子或漏极端子的接触孔，并且第一电极300经由接触孔与驱动薄膜晶体管的源极端子或漏极端子连接。
50.当根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置形成为顶部发光型时，第一电极300可将从第一发光层500和第二发光层700发射的光向上反射。在这种情况下，第一电极300可形成为包括用于反射光的反射层和用于向第一发光层500提供空穴的导电层的双层结构。反射层和导电层可彼此接触，或者可在之间具有绝缘层的情况下彼此分隔开。
51.堤部400配置成覆盖电路器件层200上的第一电极300的两端。因此，可防止电流集
中到第一电极300的端部，由此防止发光效率的劣化。堤部400在多个子像素(sp1、sp2、sp3)的每一个之间的边界区域上形成为矩阵构造，并且堤部400用于限定发光区域。就是说，第一电极300的上表面的未被堤部400覆盖从而暴露的一些区域成为发光区域。
52.第一发光层500设置在第一电极300上的子像素(sp1、sp2、sp3)区域中。此外，第一发光层500的至少一些层可设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域上。就是说，第一发光层500的至少一些层可设置在与堤部400交叠的区域中。
53.第一发光层500可包括第一空穴传输层510、第一有机发光层520和第一电子传输层530。尽管未示出，但第一发光层500可进一步包括设置在第一空穴传输层510下方的附加空穴注入层。
54.第一空穴传输层510可设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域中。就是说，第一空穴传输层510可在相邻的子像素(sp1、sp2、sp3)之间形成为连接结构，由此第一空穴传输层510可在设置在第一电极300和堤部400上的同时与第一电极300和堤部400交叠。
55.第一有机发光层520设置在第一空穴传输层510上，并且第一有机发光层520可被图案化在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中。就是说，第一有机发光层520可包括：设置在第一子像素sp1中并且用于发射第一颜色光，例如红色r光的红色有机发光层；设置在第二子像素sp2中并且用于发射第二颜色光，例如绿色g光的绿色有机发光层；和设置在第三子像素sp3中并且用于发射第三颜色光，例如蓝色b光的蓝色有机发光层。红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层利用其间的堤部140彼此分隔开。
56.第一电子传输层530设置在第一有机发光层520上。尤其是，第一电子传输层530可设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中、以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域中。因而，第一电子传输层530可与堤部400交叠。在与堤部400交叠的区域中，第一电子传输层530可与第一空穴传输层510接触。
57.电荷生成层600设置在第一发光层500与第二发光层700之间。电荷生成层600控制第一发光层500与第二发光层700之间的电荷平衡。电荷生成层600包括n型电荷生成层610和p型电荷生成层620。
58.n型电荷生成层610设置在第一发光层500上。尤其是，n型电荷生成层610设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中。同时，n型电荷生成层610的一些部分可与堤部400交叠。
59.设置n型电荷生成层610用来向第一发光层500中注入电子。n型电荷生成层可由掺杂有诸如li、na、k或cs之类的碱金属或诸如mg、sr、ba或ra之类的碱土金属的有机层形成。
60.p型电荷生成层620设置在n型电荷生成层610上。尤其是，p型电荷生成层620设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中。同时，p型电荷生成层620的一些部分可与堤部400交叠。
61.设置p型电荷生成层620用来向第二发光层700中注入空穴。p型电荷生成层620可由掺杂有p型掺杂剂的具有空穴传输能力的有机材料形成。
62.在每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域中，在与n型电荷生成层610相同的层中设置p型掺杂层615，并且在与p型电荷生成层620相同的层中设置n型掺杂层625。因而，p型掺杂层615和n型掺杂层625设置在与堤部400交叠的区域中，并且n型掺杂层625可与p型掺杂层615的上表面接触。就是说，n型掺杂层625可与p型掺杂层615交叠。
63.详细地说，p型掺杂层615设置在位于第一子像素sp1的n型电荷生成层610与第二子像素sp2的n型电荷生成层610之间的区域、位于第二子像素sp2的n型电荷生成层610与第三子像素sp3的n型电荷生成层610之间的区域、以及位于第三子像素sp3的n型电荷生成层610与第一子像素sp1的n型电荷生成层610之间的区域的每一个中。因此，被图案化在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中的各个n型电荷生成层610通过其间的p型掺杂层615彼此分隔开。
64.根据n型电荷生成层610在设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的整个边界区域上以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域上的同时在子像素(sp1、sp2、sp3)之间形成为连接结构，在任意一个子像素(sp1、sp2、sp3)中产生的电荷可通过n型电荷生成层610传输至相邻的其他子像素(sp1、sp2、sp3)，由此可在其他子像素(sp1、sp2、sp3)中导致漏电流。根据本发明的一个实施方式，设置在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中的n型电荷生成层610通过其间的p型掺杂层615彼此分隔开，由此p型掺杂层615可用作阻挡层。因而，可防止在任意一个n型电荷生成层610中产生的电荷传输至相邻的其他n型电荷生成层610，由此减小与漏电流相关的问题。
65.可通过在基板100的表面的至少一部分上或者在基板100的整个表面上形成n型电荷生成层610、利用掩模暴露n型电荷生成层610的与堤部400交叠的一些部分而覆盖n型电荷生成层610的其他区域、以及利用p型掺杂剂将暴露的部分掺杂的依次执行的步骤获得n型电荷生成层610和p型掺杂层615。因此，n型电荷生成层610和p型掺杂层615可设置在同一层中，并且可以以相同或大致相同的厚度形成。
66.此外，n型掺杂层625设置在位于第一子像素sp1的p型电荷生成层620与第二子像素sp2的p型电荷生成层620之间的区域、位于第二子像素sp2的p型电荷生成层620与第三子像素sp3的p型电荷生成层620之间的区域、以及位于第三子像素sp3的p型电荷生成层620与第一子像素sp1的p型电荷生成层620之间的区域的每一个中。因此，被图案化在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中的各个p型电荷生成层620可通过其间的n型掺杂层625彼此分隔开。因而，根据本发明的一个实施方式，被图案化在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中的p型电荷生成层620通过其间的n型掺杂层625彼此分隔开，由此n型掺杂层625用作阻挡层。因而，可防止在任意一个p型电荷生成层620中产生的电荷传输至相邻的其他p型电荷生成层620，由此减小与漏电流相关的问题。
67.可通过在基板100的整个表面上形成p型电荷生成层620、利用掩模暴露p型电荷生成层620的与堤部400交叠的一些部分而覆盖p型电荷生成层620的其他区域、以及利用n型掺杂剂将暴露的部分掺杂的依次执行的步骤获得p型电荷生成层620和n型掺杂层625。因此，p型电荷生成层620和n型掺杂层625可设置在同一层中，并且可以以相同或大致相同的厚度形成。
68.第二发光层700设置在电荷生成层600上的子像素(sp1、sp2、sp3)区域中。此外，第二发光层700的至少一些层可在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中设置在n型掺杂层625上。就是说，第二发光层700的至少一些层可设置在与堤部400交叠的区域中。
69.第二发光层700可包括第二空穴传输层710、第二有机发光层720和第二电子传输层730。尽管未示出，但第二发光层700可进一步包括在第二电子传输层730上附加设置的电子注入层。
70.第二空穴传输层710可设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中以及每个子像素
(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中。就是说，第二空穴传输层710可在相邻的子像素(sp1、sp2、sp3)之间形成为连接结构，由此第二空穴传输层710可设置在p型电荷生成层620和n型掺杂层625上。换句话说，第二空穴传输层710可与堤部400交叠。
71.第二有机发光层720设置在第二空穴传输层710上。尤其是，第二有机发光层720可被图案化在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中。就是说，第二有机发光层720可包括：设置在第一子像素sp1中并且用于发射红色r光的红色有机发光层；设置在第二子像素sp2中并且用于发射绿色g光的绿色有机发光层；和设置在第三子像素sp3中并且用于发射蓝色b光的蓝色有机发光层。红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层可通过其间的堤部400彼此分隔开。
72.第二电子传输层730设置在第二有机发光层720上。尤其是，第二电子传输层730可设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中、以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中。因而，第二电子传输层730可与堤部400交叠。在与堤部400交叠的区域中，第二电子传输层730可与第二空穴传输层710接触。
73.第二电极800设置在第二发光层700上。第二电极800可用作电致发光显示装置的阴极。第二电极800可设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)中并且还设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域中。
74.根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置可形成为顶部发光型，由此第二电极800可包括能够将从第一发光层500和第二发光层700发射的光向上透射的透明导电材料。此外，第二电极800可由半透明电极形成，由此可通过每个子像素(sp1、sp2、sp3)获得微腔效应。当第二电极800由半透明电极形成时，可通过第二电极800与第一电极300之间的重复反射和再反射来获得微腔效应，由此提高光效率。
75.尽管未示出，但可在第二电极800上附加设置封装层，以便防止外部湿气或氧气的渗透。封装层可由无机绝缘材料形成，或者可设置为通过交替沉积无机绝缘材料和有机绝缘材料获得的结构，但不限于此结构。
76.图2a至图2c图解了根据本发明一个实施方式的电荷生成层的lumo能级和homo能级。图2a图解了沿图1中的
①
箭头方向的电荷迁移率，图2b图解了沿图1中的
②
箭头方向的电荷迁移率，图2c图解了沿图1中的
③
箭头方向的电荷迁移率。在图2a至图2c中，左侧显示出在被施加电场e-field之前的能级，右侧显示出在被施加电场e-field之后的能级。此外，虚线示出的能级对应于费米能级。
77.如图2a中所示，在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中，在被施加电场e-field之前，在n型电荷生成层(n-cgl)与p型电荷生成层(p-cgl)之间存在较小的费米能级差e
f
。因而，如果即使在施加电场e-field之后费米能级仍保持相同，则由于n型电荷生成层(n-cgl)与p型电荷生成层(p-cgl)之间较小的能级差，可顺利地传输电荷。因此，在图1中，在子像素(sp1、sp2、sp3)区域中顺利地执行电荷传输，由此有利于第一发光层500和第二发光层700中的光发射。
78.如图2b中所示，在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中，在被施加电场e-field之前，在p型掺杂层(p-dop)与n型掺杂层(n-dop)之间存在较大的费米能级差e
f
。因而，如果即使在施加电场e-field之后费米能级仍保持相同，则由于p型掺杂层(p-dop)与n型掺杂层(n-dop)之间较大的能级差，不会顺利地传输电荷。因此，在图1中，在每个子像素
(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中不会顺利地执行电荷传输，由此不容易在第一发光层500和第二发光层700中进行光发射。
79.如图2c中所示，在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中，在被施加电场e-field之前，在n型电荷生成层(n-cgl)与p型掺杂层(p-dop)之间存在较大的费米能级差e
f
。因而，如果即使在施加电场e-field之后费米能级仍保持相同，则由于n型电荷生成层(n-cgl)与p型掺杂层(p-dop)之间较大的能级差，不会顺利地传输电荷。因此，在图1中，在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中沿左右方向不会顺利地传输电荷，由此可防止漏电流。
80.图3是根据本发明的一个实施方式，电流密度随驱动电压的变化的曲线图。图3是沿图1的
①
箭头方向、
②
箭头方向和
③
箭头方向，电流密度随驱动电压的变化的曲线图。
81.如图3中所示，在小于2伏的电压中，沿
①
箭头方向、
②
箭头方向和
③
箭头方向电流密度变化相似。然而，在2伏或大于2伏的电压中，仅沿
①
箭头方向显示出较高电流密度，沿
②
箭头方向和
③
箭头方向显示出较低电流密度。
82.因此，在2伏或大于2伏的电压中，在子像素(sp1、sp2、sp3)区域中容易执行第一发光层500和第二发光层700的光发射，而在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中不容易执行第一发光层500和第二发光层700的光发射，由此在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中沿左右方向不会顺利地传输电荷，由此可防止漏电流。
83.图4是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图。除了第一空穴传输层510和第二空穴传输层710的结构变化之外，图4的电致发光显示装置在结构上与前述图1的电致发光显示装置相同。因此，相同的要素由相同的参考标记表示，并且在下面将仅详细描述不同的结构。
84.如图4中所示，第一空穴传输层510设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中。在每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域中，在与第一空穴传输层510相同的层中设置n型掺杂层515。就是说，在与堤部400交叠的区域中设置n型掺杂层515。此外，n型掺杂层515可与前述n型掺杂层625和p型掺杂层615交叠。此外，第一空穴传输层510的一部分可与堤部400交叠。
85.详细地说，n型掺杂层515设置在位于第一子像素sp1的第一空穴传输层510与第二子像素sp2的第一空穴传输层510之间的区域、位于第二子像素sp2的第一空穴传输层510与第三子像素sp3的第一空穴传输层510之间的区域、以及位于第三子像素sp3的第一空穴传输层510与第一子像素sp1的第一空穴传输层510之间的区域的每一个中。因此，被图案化在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中的第一空穴传输层510可通过其间的n型掺杂层515彼此分隔开。
86.在这种情况下，第一空穴传输层510可由掺杂有p型掺杂剂的具有导电性的有机层形成。如果第一空穴传输层510设置在包括每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)的整个区域中，并且在子像素(sp1、sp2、sp3)之间形成为连接结构，则在任意一个子像素(sp1、sp2、sp3)中产生的电荷可通过第一空穴传输层510传输至另一个相邻的子像素(sp1、sp2、sp3)，由此在另一个相邻的子像素(sp1、sp2、sp3)中可具有与漏电流相关的问题。根据本发明的另一个实施方式，被图案化在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中的第一空穴传输层510可通过其间的n型掺杂层515彼此分隔开，由此n型掺杂层515用作
阻挡层。因而，可防止在任意一个子像素(sp1、sp2、sp3)中产生的电荷传输至另一个相邻的子像素(sp1、sp2、sp3)，由此减小漏电流问题。
87.可通过在基板100的整个表面上形成第一空穴传输层510、利用掩模暴露第一空穴传输层510的与堤部400交叠的一些部分而覆盖第一空穴传输层510的其他区域、以及利用n型掺杂剂将暴露的部分掺杂的依次执行的步骤获得第一空穴传输层510和n型掺杂层515。因此，第一空穴传输层510和n型掺杂层515可设置在同一层中，并且可以以相同或大致相同的厚度形成。
88.此外，第二空穴传输层710设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中。在每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域中，在与第二空穴传输层710相同的层中设置n型掺杂层715。就是说，在与堤部400交叠的区域中设置n型掺杂层715。第二空穴传输层710的一部分可与堤部400交叠。
89.详细地说，n型掺杂层715设置在位于第一子像素sp1的第二空穴传输层710与第二子像素sp2的第二空穴传输层710之间的区域、位于第二子像素sp2的第二空穴传输层710与第三子像素sp3的第二空穴传输层710之间的区域、以及位于第三子像素sp3的第二空穴传输层710与第一子像素sp1的第二空穴传输层710之间的区域的每一个中。因此，被图案化在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中的第二空穴传输层710可通过其间的n型掺杂层715彼此分隔开。
90.在这种情况下，第二空穴传输层710可由掺杂有p型掺杂剂的具有导电性的有机层形成。根据本发明的另一个实施方式，被图案化在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中的第二空穴传输层710可通过其间的n型掺杂层715彼此分隔开，由此n型掺杂层715用作阻挡层。因而，可防止在任意一个子像素的第二空穴传输层710中产生的电荷传输至相邻的另一个子像素的第二空穴传输层710，由此减小漏电流问题。
91.可通过在基板100的整个表面上形成第二空穴传输层710、利用掩模暴露第二空穴传输层710的与堤部400交叠的一些部分而覆盖第二空穴传输层710的其他区域、以及利用n型掺杂剂将暴露的部分掺杂的依次执行的步骤获得第二空穴传输层710和n型掺杂层715。因此，第二空穴传输层710和n型掺杂层715可设置在同一层中，并且可以以相同的厚度形成。
92.同时，第一空穴传输层510和第二空穴传输层710中的任意一个可如图1中所示在各个子像素(sp1、sp2、sp3)中以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域中形成为连续连接的结构。
93.图5是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图。图5的电致发光显示装置在第一有机发光层520和第二有机发光层720的结构上与图1的电致发光显示装置不同。因此，相同的要素由相同的参考标记表示，并且在下面将仅详细描述不同的结构。
94.如图5中所示，第一有机发光层520设置在第一空穴传输层510与第一电子传输层530之间，第一有机发光层520在结构上与第一空穴传输层510和第一电子传输层530一致。就是说，第一有机发光层520设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中。
95.此外，第二有机发光层720设置在第二空穴传输层710与第二电子传输层730之间，
第二有机发光层720在结构上与第二空穴传输层710和第二电子传输层730一致。就是说，第二有机发光层720设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中。
96.在这种情况下，第一有机发光层520配置成发射蓝色b光，第二有机发光层720配置成发射黄绿色yg光。因此，从第一有机发光层520发射的蓝色b光与从第二有机发光层720发射的黄绿色yg光混合，由此形成白色光。由于发射白色光，所以在每个子像素(sp1、sp2、sp3)中附加设置滤色器900。例如，在第一子像素sp1中设置红色r滤色器900，在第二子像素sp2中设置绿色g滤色器900，并且在第三子像素sp3中设置蓝色b滤色器900。滤色器900可设置在第二电极800上。尽管未示出，但可在第二电极800上附加设置封装层。在这种情况下，滤色器900可设置在封装层上。
97.同时，第一有机发光层520可设置成发射黄绿色yg光，第二有机发光层720可设置成发射蓝色b光。
98.图6是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图。图6的电致发光显示装置在第一有机发光层520和第二有机发光层720的结构上与图4的电致发光显示装置不同。因此，相同的要素由相同的参考标记表示，并且在下面将仅详细描述不同的结构。
99.如图6中所示，第一有机发光层520设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中。
100.此外，第二有机发光层720设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域中以及每个子像素(sp1、sp2、sp3)区域之间的边界区域中。
101.在这种情况下，第一有机发光层520配置成发射蓝色b光，第二有机发光层720配置成发射黄绿色yg光。因此，从第一有机发光层520发射的蓝色b光与从第二有机发光层720发射的黄绿色yg光混合，由此形成白色光。由于发射白色光，所以在每个子像素(sp1、sp2、sp3)中附加设置滤色器900。例如，在第一子像素sp1中设置红色r滤色器900，在第二子像素sp2中设置绿色g滤色器900，并且在第三子像素sp3中设置蓝色b滤色器900。滤色器900可设置在第二电极800上。尽管未示出，但可在第二电极800上附加设置封装层。在这种情况下，滤色器900可设置在封装层上。
102.同时，第一有机发光层520可设置成发射黄绿色yg光，第二有机发光层720可设置成发射蓝色b光。
103.尽管未示出，但根据本发明的另一个实施方式可包括：配置成发射红色光的第一发光层、配置成发射绿色光的第二发光层、配置成发射蓝色光的第三发光层、设置在第一发光层与第二发光层之间的第一电荷生成层、以及设置在第二发光层与第三发光层之间的第二电荷生成层。此时，以与前述实施方式的电荷生成层600相同的方式，第一电荷生成层和第二电荷生成层的每一个可包括通过其间的p型掺杂层615彼此分隔开的各个n型电荷生成层610、以及通过其间的n型掺杂层625彼此分隔开的各个p型电荷生成层620。此外，以与前述实施方式相同的方式，第一至第三发光层中的至少一个可包括通过其间的n型掺杂层515和715彼此分隔开的空穴传输层510和710。
104.此外，在本发明的另一个实施方式中，可在第一电极300与第二电极800之间设置一个发光层而没有电荷生成层，并且以与前述实施方式相同的方式，发光层可包括通过其
间的n型掺杂层515和715彼此分隔开的空穴传输层510和710。
105.图7是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图。
106.如图7中所示，根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置可包括沿上下方向彼此相邻的第一像素p1和第二像素p2。第一像素p1和第二像素p2的每一个包括第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3。第一像素p1的第一子像素sp1和第二像素p2的第一子像素sp1布置在同一列，第一像素p1的第二子像素sp2和第二像素p2的第二子像素sp2布置在同一列，并且第一像素p1的第三子像素sp3和第二像素p2的第三子像素sp3布置在同一列。
107.在这种情况下，在本发明前述各个实施方式中描述的n型掺杂层515、625和715以及p型掺杂层615设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的边界区域中、以及第二子像素sp3与第三子像素sp3之间的边界区域中。就是说，设置在第一空穴传输层510之间的n型掺杂层515、设置在p型电荷生成层620之间的n型掺杂层625、设置在第二空穴传输层710之间的n型掺杂层715、以及设置在n型电荷生成层610之间的p型掺杂层615设置在每个子像素(sp1、sp2、sp3)之间的边界区域中。
108.在这种情况下，n型掺杂层515、625和715以及p型掺杂层615可在第一像素p1与第二像素p2之间连续地设置，由此整体上可形成条纹(stripe)结构。
109.图8是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图。图8的电致发光显示装置与图7的电致发光显示装置的不同之处在于，n型掺杂层515、625和725以及p型掺杂层615附加设置在第一像素p1与第二像素p2之间的边界区域中。下文中，将仅详细描述不同的结构。
110.布置在同一列的第一像素p1的第一子像素sp1和第二像素p2的第一子像素sp1可配置成发射相同的第一颜色光，例如，红色r光。在这种情况下，即使在第一像素p1的第一子像素sp1与第二像素p2的第一子像素sp1之间产生漏电流，画面质量的劣化也不显著。
111.此外，布置在同一列的第一像素p1的第二子像素sp2和第二像素p2的第二子像素sp2可配置成发射相同的第二颜色光，例如，绿色g光。在这种情况下，即使在第一像素p1的第二子像素sp2与第二像素p2的第二子像素sp2之间产生漏电流，画面质量的劣化也不显著。
112.此外，布置在同一列的第一像素p1的第三子像素sp3和第二像素p2的第三子像素sp3可配置成发射相同的第三颜色光，例如，蓝色b光。在这种情况下，即使在第一像素p1的第三子像素sp3与第二像素p2的第三子像素sp3之间产生漏电流，画面质量的劣化也不显著。
113.因此，在图7的情形中，在第一像素p1的第一子像素sp1与第二像素p2的第一子像素sp1之间的边界区域、在第一像素p1的第二子像素sp2与第二像素p2的第二子像素sp2之间的边界区域、以及在第一像素p1的第三子像素sp3与第二像素p2的第三子像素sp3之间的边界区域中未设置用作阻挡层的n型掺杂层515、625和715以及p型掺杂层615。
114.同时，在图8的情形中，在第一像素p1的第一子像素sp1与第二像素p2的第一子像素sp1之间的边界区域、在第一像素p1的第二子像素sp2与第二像素p2的第二子像素sp2之间的边界区域、以及在第一像素p1的第三子像素sp3与第二像素p2的第三子像素sp3之间的边界区域中设置n型掺杂层515、625和715以及p型掺杂层615，由此防止了第一像素p1与第
二像素p2之间的漏电流。
115.因此，在图8的情形中，n型掺杂层515、625和715以及p型掺杂层615可设置为与前述堤部400相同的矩阵构造。
116.图9a至图9c涉及根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置，其涉及头戴式显示(hmd)设备。图9a是示意性透视图，图9b是虚拟现实(vr)结构的示意性平面图，图9c是增强现实(ar)结构的示意性剖面图。
117.如图9a中可见，根据本发明的hmd设备可包括容纳壳体10和头戴式带子(band)30。
118.容纳壳体10可容纳诸如显示装置、透镜阵列和目镜之类的元件。
119.头戴式带子30可固定至容纳壳体10。头戴式带子30被示出为设置成围绕用户的上表面和两个侧表面，但不限于此。头戴式带子30可将hmd设备固定至用户的头部，头戴式带子30可用眼镜架型结构或头盔型结构代替。
120.如图9b中可见，根据本发明的具有vr结构的hmd设备可包括左眼显示设备12、右眼显示设备11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
121.左眼显示设备12、右眼显示设备11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b可容纳到容纳壳体10中。
122.左眼显示设备12和右眼显示设备11可显示相同的图像，在这种情况下，用户可观看二维(2d)图像。可选择地，左眼显示设备12可显示左眼图像并且右眼显示设备11可显示右眼图像。左眼显示设备12和右眼显示设备11的每一个可配置为如上所述的电致发光显示装置。在这种情况下，与显示图像的表面对应的上部部分可面对透镜阵列13。
123.透镜阵列13可与左眼目镜20a和左眼显示设备12的每一个分隔开并且可设置在左眼目镜20a与左眼显示设备12之间。就是说，透镜阵列13可设置在左眼目镜20a前方且在左眼显示设备12后方。此外，透镜阵列13可与右眼目镜20b和右眼显示设备11的每一个分隔开并且可设置在右眼目镜20b与右眼显示设备11之间。就是说，透镜阵列13可设置在右眼目镜20b前方且在右眼显示设备11后方。
124.透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可由针孔阵列代替。通过使用透镜阵列13，可按照某一放大倍率缩放由左眼显示设备12或右眼显示设备11显示的图像，因而用户可看到缩放的图像。
125.用户的左眼le可定位在左眼目镜20a处，并且用户的右眼re可定位在右眼目镜20b处。
126.如图9c中可见，根据本发明的具有ar结构的hmd设备可包括左眼显示设备12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透反射部14和透射窗15。在图9c中，为了方便起见仅示出了左眼元件，右眼元件可与左眼元件相同。
127.左眼显示设备12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透反射部14和透射窗15可容纳到容纳壳体10中。
128.左眼显示设备12可设置在透反射部14的一侧(例如，上侧)，而不覆盖透射窗15。因此，左眼显示设备12可在不覆盖通过透射窗15观看的外部背景的情况下向透反射部14提供图像。
129.左眼显示设备12可配置为如上所述的电致发光显示装置。在这种情况下，与显示图像的表面对应的上部部分可面对透反射部14。
130.透镜阵列13可设置在左眼目镜20a与透反射部14之间。
131.用户的左眼可定位在左眼目镜20a处。
132.透反射部14可设置在透镜阵列13与透射窗15之间。透反射部14可包括透射光的一部分并反射光的其他部分的反射表面14a。反射表面14a可设置成使得由左眼显示设备12显示的图像传播至透镜阵列13。因此，用户可观看到由左眼显示设备12显示的图像以及透过透射窗15的外部背景的全部。就是说，用户可观看到包括真实背景和虚拟图像的一个图像，因而可实现ar。
133.透射窗15可设置在透反射部14的前方。
134.根据本发明的一个实施方式，设置在第一子像素中的有机层和设置在第二子像素中的有机层通过设置在第一子像素与第二子像素之间的边界区域中的掺杂层彼此分隔开，有机层具有n型极性或p型极性，掺杂层利用其极性与有机层的极性相反的掺杂剂进行掺杂，由此掺杂层用作阻挡层。因此，可防止彼此相邻的第一子像素与第二子像素之间经由有机层出现漏电流，由此防止漏电流导致的画面质量的劣化。
135.对于所属领域的技术人员显而易见的是，上述本发明不受上述实施方式和附图的限制，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中做出各种替换、修改和变化。因此，本发明的范围由所附权利要求书限定，从权利要求书的含义、范围和等同概念得到的所有变化或修改都意在落入本发明的范围内。