波导结构的制作方法

文档序号:27832047发布日期:2021-12-07 22:32阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种波导结构,其特征在于,包括:介电层,具有开口;多层线路层,配置于所述介电层上;多层绝缘层,与所述多层线路层交替堆叠;以及导体连接层,以垂直于所述多层线路层的方向覆盖所述开口的外壁且连接位于所述开口相对两侧的所述多层线路层至少其中二个,其中至少所述导体连接层与部分所述多层线路层于对应所述开口处定义出用以传递信号的空气腔。2.根据权利要求1所述的波导结构,其特征在于,所述介电层具有彼此相对的第一表面与第二表面,所述多层线路层包括第一内层线路层、第二内层线路层、第一增层线路层与第二增层线路层,而所述多层绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层,所述导体连接层连接所述第一内层线路层与所述第二内层线路层。3.根据权利要求2所述的波导结构,其特征在于,所述第一内层线路层配置于所述介电层的所述第一表面上,而所述第一绝缘层位于所述第一增层线路层与所述第一内层线路层之间,所述第一绝缘层具有连通所述开口的第一开口,所述第二内层线路层配置于所述介电层的所述第二表面上,而所述第二绝缘层位于所述第二增层线路层与所述第二内层线路层之间,所述第二绝缘层具有连通所述开口的第二开口,且所述第一开口的内壁与所述第二开口的内壁切齐所述导体连接层,而所述第一增层线路层延伸覆盖所述第一开口,所述第二增层线路层延伸覆盖所述第二开口,且部分所述第一增层线路层、所述第一开口的内壁、所述导体连接层、所述第二开口的内壁以及部分所述第二增层线路层定义出所述空气腔。4.根据权利要求3所述的波导结构,其特征在于,还包括:多个导电通孔,配置于所述空气腔的相对两侧,且贯穿所述第一增层线路层、所述第一绝缘层、所述第一内层线路层、所述介电层、所述第二内层线路层、所述第二绝缘层以及所述第二增层线路层,其中所述多个导电通孔电连接所述第一增层线路层、所述第一内层线路层、所述第二内层线路层以及所述第二增层线路层。5.根据权利要求2所述的波导结构,其特征在于,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层分别位于所述介电层的所述第一表面与所述第二表面上,所述第一增层线路层与所述第二增层线路层分别覆盖所述第一绝缘层与所述第二绝缘层,所述第一绝缘层延伸覆盖所述开口的第一部分位于所述第一内层线路层与所述第一增层线路层之间,所述第二绝缘层延伸覆盖所述开口的第二部分位于所述第二内层线路层与所述第二增层线路层之间,而部分所述第一增层线路层、部分所述第二增层线路层以及所述导体连接层定义出所述空气腔。6.根据权利要求2所述的波导结构,其特征在于,所述第一绝缘层位于所述第一增层线路层与所述第一内层线路层之间,所述第二绝缘层位于所述第二增层线路层与所述第二内层线路层之间,所述第二增层线路层覆盖所述介电层的所述第二表面且具有连通所述开口的耦合开口,而所述导体连接层连接所述第一内层线路层、所述第一增层线路层以及所述第二增层线路层。7.根据权利要求6所述的波导结构,其特征在于,所述多层线路层还包括第三增层线路层,而所述绝缘层还包括第三绝缘层,所述第三绝缘层覆盖所述第二增层线路层,而所述第三增层线路层覆盖部分所述第三绝缘层,且所述第二增层线路层、所述第三绝缘层与所述
第三增层线路层定义出微带线部。8.根据权利要求7所述的波导结构,其特征在于,还包括:多个导电通孔,配置于所述空气腔的周围,且贯穿所述第一增层线路层、所述第一绝缘层、所述第一内层线路层、所述第二内层线路层以及所述第二绝缘层,其中所述多个导电通孔电连接所述第一增层线路层、所述第一内层线路层、所述第二内层线路层以及所述第二增层线路层。9.根据权利要求7所述的波导结构,其特征在于,还包括:馈入部,贯穿所述第三绝缘层且穿过所述耦合开口而电连接所述第一内层线路层与所述第三增层线路层;以及保护层,包覆所述馈入部的周围表面,其中所述馈入部通过所述保护层电性绝缘于所述第二增层线路结构。10.根据权利要求6所述的波导结构,其特征在于,还包括:天线组件,包括至少一天线元件,所述绝缘层还包括第三绝缘层,所述第三绝缘层覆盖所述第二增层线路层且具有连通所述开口与所述耦合开口的绝缘开口,而所述天线组件覆盖所述第三绝缘层,且所述至少一天线元件对应所述绝缘开口设置,而所述导体连接层连接所述第一内层线路层、所述第一增层线路层、所述第二内层线路层以及所述第二增层线路层。

技术总结
本发明公开一种波导结构,包括介电层、多层线路层、多层绝缘层以及导体连接层。介电层具有开口。线路层配置于介电层上。绝缘层与线路层交替堆叠。导体连接层以垂直于线路层的方向覆盖开口的外壁且连接位于开口相对两侧的至少二层线路层。至少导体连接层与部分线路层于对应开口处定义出用以传递信号的空气腔。本发明提供的波导结构,其具有用以传递信号的空气腔,可降低信号传递时的能量耗损,且具有较高的平均功率容量,以及不受空气腔外的介质材料的影响。料的影响。料的影响。


技术研发人员:唐震寰 刘乃祯 林楹凯 李宗翰 张昭威
受保护的技术使用者:旭德科技股份有限公司
技术研发日:2020.10.26
技术公布日:2021/12/6
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