显示面板及显示装置的制作方法

显示面板及显示装置
【技术领域】
[0001]
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

[0002]
随着oled技术的发展，越来越多的显示装置采用有机发光(oled)显示面板。例如：手机、平板和电视等产品。现有有机发光显示面板中包括覆晶薄膜(cof)，覆晶薄膜上设置有走线，由电化学腐蚀的机理可知，高温高湿可靠性验证时，腐蚀主要发生在相邻的电位存在一定的电位差的情况下。(高电位如：vgh，低电位如：vgl等)。


技术实现要素：

[0003]
有鉴于此，本发明实施例提供了一种，用以解决现有技术可靠性验证过程中出现的cof腐蚀问题。
[0004]
一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；
[0005]
所述非显示区包括覆晶薄膜，所述覆晶薄膜包括依次设置的基板、位于基板上的信号走线和覆盖所述信号走线的助焊剂；所述覆晶薄膜还包括虚拟走线，所述虚拟走线至少部分位于信号走线远离基板的一侧。
[0006]
另一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括：前述显示面板
[0007]
上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
[0008]
虚拟走线至少部分位于信号走线远离基板的一侧。延缓了水汽入侵的时间，避免在高温高湿情况下，高低电位的走线之间出现电子迁移，导致短路发生，从而影响显示面板的显示。
【附图说明】
[0009]
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0010]
图1是本申请的一个实施例的显示面板的示意图；
[0011]
图2是本申请的一个实施例的覆晶薄膜的示意图；
[0012]
图3是本申请的一个实施例的覆晶薄膜的截面示意图；
[0013]
图4是本申请的另一个实施例的覆晶薄膜的截面示意图；
[0014]
图5是本申请的又一个实施例的覆晶薄膜的截面示意图；
[0015]
图6是本申请的另一个实施例的覆晶薄膜的示意图；
[0016]
图7是本申请的又一个实施例的覆晶薄膜的示意图；
[0017]
图8是本申请的又一个实施例的覆晶薄膜的示意图；
[0018]
图9是本申请的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
[0019]
为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
[0020]
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0021]
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0022]
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0023]
应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述晶体管，但这些晶体管不应限于这些术语，这些术语仅用来将晶体管彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一晶体管也可以被称为第二晶体管，类似地，第二晶体管也可以被称为第一晶体管。
[0024]
取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在......时”或“当......时”或“响应于确定”或“响应于检测”。类似地，取决于语境，短语“如果确定”或“如果检测(陈述的条件或事件)”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当检测(陈述的条件或事件)时”或“响应于检测(陈述的条件或事件)”。
[0025]
有机发光显示面板为了提升屏占比需要尽可能的减小四周的边框宽度。而显示面板的下台阶会设置驱动芯片，影响了下台阶宽度的减小。为了减小下台阶的宽度，现有技术将设置覆晶薄膜，将驱动芯片设置在覆晶薄膜上，覆晶薄膜绑定在显示面板的下台阶，从而降低下台阶的宽度，实现窄边框的效果。然而覆晶薄膜(cof)，覆晶薄膜上设置有走线，由电化学腐蚀的机理可知，高温高湿可靠性验证时，在高温高湿的环境下，高低电平之间由电势差，腐蚀主要发生在相邻的电位存在一定的电位差的情况下。(高电位如：vgh，低电位如：vgl等)。为防止在进行出现覆晶薄膜本体上高低电信号之间的电化学腐蚀，在本申请中，请参考图1～图3，图1是本申请的一个实施例的显示面板的示意图；图2是本申请的一个实施例的覆晶薄膜的示意图；图3是本申请的一个实施例的覆晶薄膜的截面示意图；
[0026]
请参考图1，本申请的显示面板100包括显示区aa和围绕该显示区aa的非显示区na；显示区包括交叉设置的扫描线和数据线，以及用于显示的子像素和驱动子像素显示的像素驱动电路。像素驱动电路受控于扫描线传输的扫描信号，电源线传输的电源信号和数据线传输的数据信号，对应数据信号进行显示。而在非显示区包括移位寄存器电路，移位寄存器电路受控于高电平信号，低电平信号，时钟控制信号和起始信号等而产生扫描信号。这些信号经过主机传输到显示面板。而设置在非显示，与非显示区na绑定的覆晶薄膜就起到传输数据的作用。因此，在覆晶薄膜上设置有传输这些信号的信号走线10，信号走线10有些传输高电平信号，有些传输低电平信号，在高温高湿的环境下就会发生电化学腐蚀，从而造成阻抗异常，甚至是短路风险。这就导致了oled显示面板的显示异常。由于这些显示面板不能在高温高湿的环境下使用，也大大限制了oled显示面板的使用场景。例如：在运动手表，
车载，航空航天和户外大屏幕等领域，由于其复杂的环境条件和耐候性要求，目前的oled显示面板无法胜任。而在本申请中，在非显示区na包括覆晶薄膜cof，该覆晶薄膜cof上包括依次设置的基板1、位于基板1上的信号走线10和覆盖信号走线10的助焊剂30；该覆晶薄膜cof还包括虚拟走线20，虚拟走线20至少部分位于信号走线10远离基板1的一侧。在cof设计中，为了减小显示面板的下台阶，需要将驱动芯片ic绑定在覆晶薄膜cof上，因此，需要助焊剂30对信号走线10的表面进行覆盖，保护信号走线10的同时不影响驱动芯片ic的绑定。然而，助焊剂30致密度不高，不能够像基板1一样阻隔水氧，水氧会通过助焊剂渗透，在信号走线10中传输电信号，从而在水氧的作用下形成电化学腐蚀。而本申请中，设置虚拟走线20，并且虚拟走线20至少部分位于信号走线10远离基板1的一侧，使得水氧入侵过程中，物理上是先接触到虚拟走线20，因此，本实施例先对虚拟走线20进行腐蚀，可以大大延缓水氧进入到信号线10的时间，提升产品的可靠性。
[0027]
进一步的，虚拟走线20连接地电位。根据电化学腐蚀的远离，在高温高湿的条件下，虚拟走线20会优先接触水汽，而虚拟走线20的化学势更低，其作为负极而被优先腐蚀，先进行反应，延缓下方的信号走线10与水汽和氧气的接触。
[0028]
具体的，请进一步参考图3和图4，图3是本申请的一个实施例的覆晶薄膜的截面示意图；图4是本申请的另一个实施例的覆晶薄膜的截面示意图；图3和图4的实施例中，虚拟走线20位于基板1上，且在垂直于基板1的方向上，虚拟走线20的高度大于信号走线10的高度。信号走线10和虚拟走线20都承载于基板上，并且虚拟走线20具有一部分高出信号走线10，从而使得虚拟走线20更加靠近水氧入侵的方向，会优先被腐蚀到。另一方面，cof走线是由铜表面镀锡，当虚拟走线20设置在高电平信号走线和低电平信号走线之间的时候，由于电化学腐蚀的作用，会产生铜离子的迁移，在迁移的路径上积聚铜，或形成一个导电的路径从而发生短路。本实施例中虚拟走线20远离基板1一侧的顶部可以起到有限被腐蚀的作用，而虚拟走线20靠近基板的底部则可以阻挡铜离子迁移的路径，避免发生相邻信号线的短路，降低短路的风险，提升显示面板的可靠性。
[0029]
请继续参考图4，为了起到更好的阻挡水汽和氧气的作用，避免信号走线10腐蚀，本实施例中，虚拟走线20包括相互连接的底部201和遮盖部202，该底部201与该遮盖部202依次层叠设置在基板上1，遮盖部202的宽度大于底部201的宽度。形成了类似“t”字型的结构。遮盖部202一方面形成“顶棚”阻挡水汽和氧气入侵的路径，延缓水汽氧气的入侵；另一方面相较于直接提升虚拟走线20的高度，设置成“t”字形使得遮盖部202具备更大的覆盖面积，从而可以增加其和水汽，氧气接触的面积，增加虚拟走线被腐蚀的可能性，降低信号走线10被腐蚀的可能性，更好的起到牺牲的作用。
[0030]
优选的，虚拟走线20设置于相邻的信号走线10之间，遮盖部202至少覆盖部分相邻的信号走线10。遮盖部202覆盖至少部分的信号走线10，使得信号走线10可能接触到水汽、氧气和外界杂质的通道缩小，降低其接触水汽氧气的概率，提升了显示面板的可靠性，避免了显示不良的风险。可选的，本实施例可以先沉积第一金属层，对第一金属层进行图案化，形成信号走线10；再沉积第二金属层，对第二金属层采用under cut工艺进行图案化，形成“t”型结构，从而同时形成虚拟走线的底部201和遮盖部202；然后在涂覆助焊剂30，对于信号走线10和虚拟走线20进行覆盖。可选的，先沉积第一金属层，对第一金属层进行图案化形成信号走线10和虚拟走线的底部201；然后采用少量助焊剂填充信号走线10和虚拟走线的
底部201之间的间隙；然后沉积第二金属层，对第二金属层进行图案化，以形成虚拟走线20的遮盖部202；最后涂覆助焊剂30，对于信号走线10和虚拟走线20进行覆盖。按照本申请的实施方式，可以降低工艺难度和成本，提高效率。
[0031]
在本申请的另一个实施例中，请参考图5，图5是本申请的又一个实施例的覆晶薄膜的截面示意图；在本实施例中，为了进一步提升提升虚拟走线20的覆盖面积，本实施例中，覆晶薄膜cof包括依次设置于基板1上的信号走线10、覆盖信号走线10的第一助焊剂层301、位于第一助焊剂层301上的虚拟走线20和覆盖虚拟走线20的第二助焊剂302。当水汽和氧气从第二助焊剂开始入侵，接触到虚拟走线20后先行腐蚀虚拟走线20，当水汽和氧气入侵到第一助焊剂层301和第二助焊剂层302的截面时，沿着第一助焊剂301和第二助焊剂302截面与虚拟走线20的底部接触，进一步腐蚀虚拟走线20的底部，因此，可以大大降低信号走线10被腐蚀的概率，提升显示面板的可靠性。
[0032]
进一步的，为了降低下台阶的宽度，需要将覆晶薄膜cof进行弯折，为了在增加与水汽和氧气接触的面积的同时，提升耐弯折性能，请参考图6～图8，图6是本申请的另一个实施例的覆晶薄膜的示意图；图7是本申请的又一个实施例的覆晶薄膜的示意图；图8是本申请的又一个实施例的覆晶薄膜的示意图；
[0033]
请参考图6，在本实施例中，虚拟走线20为折线形，虚拟走线20设置于相邻的信号走线10之间，折线的拐角与相邻的信号走线10至少部分交叠。一方面，虚拟走线20的尖端与信号走线10交叠，使得水汽和氧气向信号走线10入侵的过程中线碰到虚拟走线，并且沿着折线线腐蚀虚拟走线20，避免信号走线10被腐蚀，提升显示面板的可靠性。另一方面，折线形的虚拟走线在弯折过程中能够更好的释放应力，提升覆晶薄膜的耐弯折性能。
[0034]
进一步的，请参考图7的实施例，虚拟走线20为菱形，虚拟走线设置于相邻的信号走线10之间，菱形走线尖端与相邻的信号走线10至少部分交叠。一方面，虚拟走线20的菱形尖端与信号走线10交叠，使得水汽和氧气向信号走线10入侵的过程中线碰到虚拟走线，并且沿着菱形走线腐蚀虚拟走线20，避免信号走线10被腐蚀，提升显示面板的可靠性。另一方面，菱形的虚拟走线在弯折过程中能够更好的释放应力，提升覆晶薄膜的耐弯折性能。当一部分菱形走线断线，另一部分仍然连接在一起，当部分虚拟走线20被腐蚀之后，腐蚀会沿着虚拟走线进行，当连成一体的虚拟走线20被腐蚀之后，才会进一步腐蚀信号走线10。只有当在同一个菱形位置的两根虚拟走线20全部断开时，虚拟走线20才会真正的断开，阻挡腐蚀的进一步扩散。本实施例设置菱形的虚拟走线20，使得部分虚拟走线断开之后，菱形走线仍连接在一起，增加了虚拟走线20的腐蚀和扩散的时间，延缓了信号走线10被腐蚀的时间，提升了显示面板的可靠性。
[0035]
进一步的，请参考图8，相邻的虚拟走线20中，菱形走线的尖端相互电连接。形成网状结构，当一部分走线断线，另一部分仍然连接在一起，当部分虚拟走线20被腐蚀之后，腐蚀会沿着虚拟走线进行扩散，当连成网状的虚拟走线20被腐蚀之后，才会进一步腐蚀信号走线10。网状的虚拟走线20在同一位置处断完全断开的概率很低，不会阻挡腐蚀在虚拟走线20进一步扩散。本实施例设置网状的虚拟走线20，使得部分虚拟走线断开之后，网状虚拟走线仍连接在一起，网状的虚拟走线整体作为电化学腐蚀的负极，进一步增加了虚拟走线20被腐蚀和扩散的时间，延缓了信号走线10被腐蚀的时间，提升了显示面板的可靠性。
[0036]
进一步的，本申请中虚拟走线20设置于第一信号走线101和第二信号走线102之
前，该第一信号走线101为低电平信号走线，该第二信号走线102为高电平信号走线。由于电化学腐蚀的原理，在高电平信号线和低电平信号线之间形成电场，信号走线10被腐蚀产生的离子带电荷，在电场的驱动下迁移，容易造成短路。当两条信号线的电压差异越大时，其电场强度越大，越容易造成短路。因此，本实施例中，在高电平信号线和低电平信号线之间设置虚拟走线，可以使水汽和氧气从助焊剂一侧入侵的时候优先腐蚀虚拟走线，从而保护信号走线不被腐蚀，提高显示面板的可靠性。
[0037]
其中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机1000、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
[0038]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
[0039]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。