阵列基板、其制作方法及显示面板与流程

[0001]
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、其制作方法及显示面板。


背景技术：

[0002]
薄膜晶体管(thin film transistor，tft)用于驱动显示装置中的发光单元发光。tft包括顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管。顶栅型薄膜晶体管从下到上依次包括基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、中间绝缘层，还包括设置在有源层沟道区域以及中间绝缘层上的源极和漏极。然而，由于源极和漏极分别与有源层经由过孔连接，使得源极、漏极与有源层之间的接触为面接触，接触面积较小。当接触面上存在颗粒或中间绝缘层在刻蚀形成过孔时有刻蚀残留，将会减小源极、漏极与有源层之间的接触面积，影响信号传输，导致显示异常。
[0003]
因而如何增大源极、漏极与有源层之间的接触面积，进而提高信号传输的稳定性的问题亟待解决。


技术实现要素：

[0004]
本发明提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，增大了源极和漏极与有源层之间的接触面积，提高了信号传输的稳定性。
[0005]
本发明提供了一种阵列基板，包括：
[0006]
基板；
[0007]
遮光层，设于所述基板上，所述遮光层两侧设置有第一孔结构和第二孔结构；
[0008]
钝化层，覆盖所述遮光层，并于所述第一孔结构和所述第二孔结构上方形成有第一凹陷；
[0009]
有源层，设于所述钝化层上，并位于所述遮光层上方，且于两侧形成有源漏极接触区，所述源漏极接触区在垂直对应于所述第一孔结构和所述第二孔结构处形成有第二凹陷；
[0010]
栅极，设于所述有源层中间部位上方；
[0011]
源极和漏极，分别有一端连接所述有源层两侧的所述源漏极接触区，并填充于所述第二凹陷内。
[0012]
优选的，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；其中，
[0013]
所述第一钝化层的材料为氮化硅；
[0014]
所述第二钝化层的材料为氧化硅。
[0015]
优选的，所述有源层包括源漏极接触区和沟道区。
[0016]
优选的，所述阵列基板还包括中间绝缘层，所述中间绝缘层覆盖所述栅极，并对应于所述第二凹陷设置有通孔，所述源极和所述漏极穿过所述通孔填充于所述第二凹陷内。
[0017]
优选的，所述阵列基板还包括：
[0018]
第一平坦层，设于所述源极和所述漏极上；
[0019]
公共电极，设于所述第一平坦层上；
[0020]
第二平坦层，设于所述公共电极上，并设有接触孔以暴露所述漏极；以及
[0021]
像素电极，设于所述第二平坦层上，并通过所述接触孔与所述漏极相连接。
[0022]
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：
[0023]
提供基板；
[0024]
制备遮光层于所述基板上，所述遮光层两侧设置有第一孔结构和第二孔结构；
[0025]
制备钝化层以覆盖所述遮光层，所述钝化层于所述第一孔结构和所述第二孔结构上方形成有第一凹陷；
[0026]
制备有源层于所述钝化层上，并位于所述遮光层上方，且于两侧形成有源漏极接触区，所述源漏极接触区在垂直对应于所述第一孔结构和所述第二孔结构处形成有第二凹陷；
[0027]
制备栅极于所述有源层中间部位上方；
[0028]
制备源极和漏极，所述源极和所述漏极分别有一端连接所述有源层两侧的所述源漏极接触区，并填充于所述第二凹陷内。
[0029]
优选的，所述有源层包括源漏极接触区和沟道区。
[0030]
优选的，所述制作方法还包括制备中间绝缘层，所述中间绝缘层覆盖所述栅极，并对应于所述第二凹陷设置有通孔，所述源极和所述漏极穿过所述通孔填充于所述第二凹陷内。
[0031]
优选的，所述制作方法还包括：
[0032]
制备第一平坦层于所述源极和所述漏极上；
[0033]
制备公共电极于所述第一平坦层上；
[0034]
制备第二平坦层于所述公共电极上，并设有接触孔以暴露所述漏极；以及
[0035]
制备像素电极于所述第二平坦层上，并通过所述接触孔与所述漏极相连接。
[0036]
本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括如上述任一项所述的阵列基板。
[0037]
本发明的有益效果：本发明提供的阵列基板、其制作方法及显示面板，通过在所述遮光层的两侧设置有第一孔结构和第二孔结构，设置于所述遮光层之上的多个膜层：所述钝化层和所述有源层，在垂直对应于所述第一孔结构与所述第二孔结构处形成有所述第一凹陷和所述第二凹陷，从而使得所述源极和所述漏极与所述有源层之间的接触有别于现有的阵列基板中的平面接触，而是填充于所述第二凹陷内形成立体接触，增大了所述源极和所述漏极与所述有源层之间的接触面积，提高了信号传输的稳定性。
附图说明
[0038]
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0039]
图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0040]
图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图。
具体实施方式
[0041]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0042]
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0043]
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0044]
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0045]
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0046]
本发明针对现有的阵列基板中源极、漏极与有源层之间接触面积较小，导致信号传输不稳定，进而导致显示异常的问题，本发明实施例用以解决该问题。
[0047]
为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，参见图1所示，所述阵列基板包括：基板101；遮光层102，设于所述基板101上，所述遮光层102两侧设置有第一孔结构1021和第二孔结构1022；钝化层103，覆盖所述遮光层102，并于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022上方形成有第一凹陷；有源层104，设于所述钝化层103上，并位于所述遮光层102上方，且于两侧形成有源漏极接触区1042，所述源漏极接触区1042在垂直对应于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022处形成有第二凹陷；栅极106，设于所述有源层104中间部位上方；源极1081和漏极1082，分别有一端连接所述有源层104两侧的所述源漏极接
触区1042，并填充于所述第二凹陷内。
[0048]
在本发明实施例提供的阵列基板中，由于所述遮光层102的两侧设置有第一孔结构1021和第二孔结构1022，设置于所述遮光层102之上的多个膜层：所述钝化层103和所述有源层104，在垂直对应于所述第一孔结构1021与所述第二孔结构1022处分别形成有所述第一凹陷和所述第二凹陷，使得所述源极1081和所述漏极1082与所述有源层104之间的接触有别于现有的阵列基板中的平面接触，而是填充于所述第二凹陷内形成立体接触，增大了所述源极1081和所述漏极1082与所述有源层104之间的接触面积，从而提高了信号传输的稳定性。
[0049]
进一步地，如图1所示，所述钝化层103可以包括第一钝化层1031和第二钝化层1032；其中，所述第一钝化层1031的材料优选为氮化硅；所述第二钝化层1032的材料优选为氧化硅。
[0050]
在本发明其他实施例中，所述钝化层103也可以为只包括一层的结构，所述钝化层103的材料可以为氮化硅和氧化硅其中之一。
[0051]
在本发明实施例中，所述有源层104包括源漏极接触区和沟道区1041。进一步地，参见图1，所述源漏极接触区具体可以包括源极接触区1042和漏极接触区1043；所述沟道区1041可以包括位于中间的主体区域10411，与位于所述源极接触区1042与所述主体区域10411之间和所述漏极接触区1043与所述主体区域10411之间的两个轻掺杂区10412。
[0052]
具体地，所述栅极106具体位于所述主体区域10411上方，且二者在所述基板101上的垂直投影相重合；所述源极1081和所述漏极1082分别填充于所述有源层104两侧的所述源极接触区1042和所述漏极接触区1043中的所述第二凹陷，实现立体接触。
[0053]
在本发明其他实施例中，所述有源层104中的所述轻掺杂区10412可以仅位于所述漏极接触区1043与所述主体区域10411之间。
[0054]
一个或两个所述轻掺杂区10412增加了所述源极1081和所述漏极1082之间的串联电阻，减小了阵列基板的漏电流。
[0055]
进一步地，本发明实施例提供的阵列基板还包括中间绝缘层107，所述中间绝缘层107覆盖所述栅极106，并对应于所述第二凹陷设置有通孔，所述源极1081和所述漏极1082穿过所述通孔填充于所述第二凹陷内。
[0056]
本发明实施例提供的阵列基板还包括位于所述栅极106与所述有源层104之间的栅极绝缘层105，所述栅极绝缘层105覆盖所述有源层104，且所述栅极绝缘层105在对应于所述第二凹陷亦设置有通孔，以使所述源极1081和所述漏极1082穿过多个所述通孔填充于所述第二凹陷内。
[0057]
进一步地，本发明实施例提供的阵列基板还包括：第一平坦层109，设于所述源极1081和所述漏极1082上；公共电极110，设于所述第一平坦层109上；第二平坦层111，设于所述公共电极110上，并设有接触孔以暴露所述漏极1082；以及像素电极112，设于所述第二平坦层111上，并通过所述接触孔与所述漏极1082相连接，以形成导电通路。
[0058]
本发明实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述实施例中所述的阵列基板。
[0059]
在显示面板中，所述源极1081和所述漏极1082作为信号传输的通道，与有源层104经过退火工艺(anneal)形成欧姆接触，将源端的信号通过所述沟道区1041传输到漏端，控
制液晶的旋转角度，从而起到显示作用。在现有的显示面板中，源极和漏极通过中间绝缘层的过孔与有源层直接接触，此接触为面接触，接触面积较小，当中间绝缘层有刻蚀残留或接触面上存在颗粒(particle)时，将会减小源极和漏极与有源层之间的接触面积，影响信号传输，进而导致显示异常。在本发明实施例提供的显示面板中，所述源极1081和所述漏极1082分别填充于所述有源层104两侧的所述源极接触区1042和所述漏极接触区1043中的所述第二凹陷，实现了立体接触，增大了接触面积，从而提高了信号传输的稳定性，减少显示异常现象的发生。
[0060]
另外，本发明实施例还提供了一种上述实施例所述的阵列基板的制作方法，具体地，参见图2所示，所述方法包括：
[0061]
步骤s101、提供基板101。
[0062]
步骤s102、制备遮光层102于所述基板101上，所述遮光层102两侧设置有第一孔结构1021和第二孔结构1022。
[0063]
步骤s103、制备钝化层103以覆盖所述遮光层102，所述钝化层103于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022上方形成有第一凹陷。
[0064]
步骤s104、制备有源层104于所述钝化层103上，并位于所述遮光层102上方，且于两侧形成有源漏极接触区，所述源漏极接触区在垂直对应于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022处形成有第二凹陷。
[0065]
步骤s105、制备栅极106于所述有源层104中间部位上方。
[0066]
步骤s106、制备源极1081和漏极1082，所述源极1081和所述漏极1082分别有一端连接所述有源层104两侧的所述源漏极接触区，并填充于所述第二凹陷内。
[0067]
具体地，参见图1和图2所示，所述方法包括：
[0068]
步骤s101、提供基板101。
[0069]
常用的所述基板101的材料可以为玻璃，为设置于所述基板101上的多个膜层提供支撑作用。
[0070]
步骤s102、制备遮光层102于所述基板101上，所述遮光层102两侧设置有第一孔结构1021和第二孔结构1022。
[0071]
传统的阵列基板制作过程中，所述遮光层102通常仅遮盖所述有源层104的所述沟道区1041，以减小光漏电流的产生。而在本发明实施例提供的方法中，将所述遮光层102在水平方向的长度加长，以遮盖整个所述有源层104，对所述遮光层102进行图案化处理，使得在所述遮光层102的两侧形成第一孔结构1021和第二孔结构1022。
[0072]
步骤s103、制备钝化层103以覆盖所述遮光层102，所述钝化层103于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022上方形成有第一凹陷。
[0073]
在本发明实施例中，制备的所述钝化层103可以包括第一钝化层1031和第二钝化层1032；其中，所述第一钝化层1031的材料优选为氮化硅；所述第二钝化层1032的材料优选为氧化硅。
[0074]
具体制备过程中，首先沉积所述第一钝化层1031并覆盖所述遮光层102，由于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022的存在，故而所述第一钝化层1031于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022上方形成第一子凹陷，随后在所述第一钝化层1031上继续沉积所述第二钝化层1032，由于在所述第一钝化层1031两侧存在所述第一子凹陷，故而所述
第二钝化层1032在所述第一子凹陷上方形成所述第一凹陷。
[0075]
进一步地，在本发明其他实施例中，所述钝化层103也可以为只包括一层的结构，所述钝化层103的材料可以为氮化硅和氧化硅其中之一。具体制备过程中，沉积所述钝化层103并覆盖所述遮光层102，由于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022的存在，故而所述钝化层103于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022上方形成第一凹陷。
[0076]
步骤s104、制备有源层104于所述钝化层103上，并位于所述遮光层102上方，且于两侧形成有源漏极接触区，所述源漏极接触区在垂直对应于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022处形成有第二凹陷。
[0077]
具体地，在所述钝化层103上沉积有源层薄膜，经图案化处理后形成所述有源层104，并对所述有源层104进行掺杂，以形成源漏极接触区和沟道区1041。进一步地，参见图1，所述源漏极接触区具体可以包括源极接触区1042和漏极接触区1043；所述沟道区1041可以包括位于中间的主体区域10411，与位于所述源极接触区1042与所述主体区域10411之间和所述漏极接触区1043与所述主体区域10411之间的两个轻掺杂区10412。其中，掺杂的方法可以为离子注入，但不限于此。
[0078]
由于所述钝化层103于所述第一孔结构1021和所述第二孔结构1022上方形成有第一凹陷，沉积且经图案化处理后所得所述有源层104于所述第一凹陷上方形成有所述第二凹陷，且两个所述第二凹陷具体位于所述源极接触区1042和所述漏极接触区1043。
[0079]
步骤s105、制备栅极106于所述有源层104中间部位上方。
[0080]
具体地，在制备所述栅极106之前，所述方法还包括制备栅极绝缘层105以覆盖所述有源层104，且所述栅极绝缘层105于所述第二凹陷上方形成有通孔。在所述栅极绝缘层105上沉积栅极金属层，经图案化处理后形成所述栅极106，且所述栅极106位于所述有源层104中间部位上方，具体位于所述沟道区1041的所述主体区域10411上方。
[0081]
步骤s106、制备源极1081和漏极1082，所述源极1081和所述漏极1082分别有一端连接所述有源层104两侧的所述源漏极接触区，并填充于所述第二凹陷内。
[0082]
进一步地，在制备所述源极1081和所述漏极1082之前，所述方法还包括制备所述中间绝缘层107，所述中间绝缘层107覆盖所述栅极106，并对应于所述第二凹陷形成有通孔。沉积源漏极金属层于所述中间绝缘层107上，经图案化处理后形成所述源极1081和所述漏极1082，所述源极1081和所述漏极1082依次穿过位于所述中间绝缘层107和所述栅极绝缘层105中的多个所述通孔，填充于所述第二凹陷内。
[0083]
进一步地，所述方法还包括：制备第一平坦层109于所述源极1081和所述漏极1082上；制备公共电极110于所述第一平坦层109上；制备第二平坦层111于所述公共电极110上，并设有接触孔以暴露所述漏极1082；以及制备多个像素电极112于所述第二平坦层111上，并通过所述接触孔与所述漏极1082相连接，以形成导电通路。
[0084]
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板、其制作方法及显示面板，通过在所述遮光层的两侧设置有第一孔结构和第二孔结构，使得设置于所述遮光层之上的所述钝化层和所述有源层，在垂直对应于所述第一孔结构与所述第二孔结构处形成有所述第一凹陷和所述第二凹陷，从而使得所述源极和所述漏极与所述有源层之间的接触有别于现有的阵列基板中的平面接触，而是填充于所述第二凹陷内形成立体接触，增大了所述源极和所述漏极与所述有源层之间的接触面积，提高了信号传输的稳定性。
[0085]
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板、其制作方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。