技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：形成在基底中的着陆焊盘；层叠在所述基底的上方的牺牲膜层；从上向下贯穿所述牺牲膜层后与所述着陆焊盘连通的电容孔；下电极，包括形成在所述电容孔内且与所述着陆焊盘接触的部分、和沿着所述电容孔的侧壁向上延伸到外露于所述电容孔外的部分。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述牺牲膜层上层叠有第一刻蚀阻挡层；所述电容孔从上向下依次贯穿所述第一刻蚀阻挡层及牺牲膜层后与所述着陆焊盘连通。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述牺牲膜层与所述基底之间还层叠有第二刻蚀阻挡层，且所述电容孔从上到下依次贯穿所述第一刻蚀阻挡层、牺牲膜层及第二刻蚀阻挡层后与所述着陆焊盘连通。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层及第二刻蚀阻挡层的材料为sin、sibn或sicn。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极中位于电容孔内的部分的高度为h1，所述下电极中外露于所述电容孔外的部分的高度为h2；其中，(h1+h2)
×
50％≤h1≤(h1+h2)
×
70％。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极的形状为筒状；其中，所述下电极的底壁与所述着陆焊盘接触；所述下电极的侧壁部分与所述电容孔的孔壁接触，部分外露于所述电容孔外；在所述下电极的底壁、内侧壁、以及外露于所述电容孔外部分的外侧壁上均形成有上电极、以及将所述下电极与上电极绝缘隔离的介质层。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为动态随机存取存储器。8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底中形成着陆焊盘；在所述基底的上方，形成覆盖所述基底的牺牲膜层；从上向下刻蚀所述牺牲膜层，形成与所述着陆焊盘连通的电容孔；在所述电容孔内形成与所述着陆焊盘接触的下电极；去除部分所述牺牲膜层，使所述下电极部分位于所述电容孔内，部分外露于所述电容孔外。9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲膜层的内部形成有第一刻蚀阻挡层，且所述电容孔从上向下贯穿所述牺牲膜层及所述第一刻蚀阻挡层后与所述着陆焊盘连通；所述去除部分所述牺牲膜层，使所述下电极部分位于所述电容孔内，部分外露于所述电容孔外具体为：去除所述牺牲膜层中位于所述第一刻蚀阻挡层的上方的部分，使所述下电极部分位于所述电容孔内，部分外露于所述电容孔外。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述牺牲膜层中位于所述第一刻蚀阻挡层的上方的部分，使所述下电极部分位于所述电容孔内，部分外露于所述电容孔外具体为：采用等离子体刻蚀或湿法刻蚀的方式刻蚀所述牺牲膜层中位于所述第一刻蚀阻挡层的上方的部分，使所述下电极部分位于所述电容孔内，部分外露于所述电容孔外。11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基底的上方，形成覆盖所述基底的牺牲膜层之前，所述制造方法还包括：在所述基底上形成覆盖所述基底的第二刻蚀阻挡层；所述从上向下刻蚀所述牺牲膜层，形成与所述着陆焊盘连通的电容孔具体为：从上向下刻蚀所述牺牲膜层、第一刻蚀阻挡层及第二刻蚀阻挡层，形成与所述着陆焊盘连通的电容孔。12.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在所述电容孔内形成与所述着陆焊盘接触的下电极包括：在所述牺牲膜层及所述电容孔的孔底及内壁上沉积下电极材料层；采用等离子体刻蚀或湿法刻蚀的方式去除所述下电极材料层中位于所述电容孔外的部分，形成所述下电极。
技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括层叠在基底的上方的牺牲膜层、以及从上向下贯穿牺牲膜层的电容孔。基底中形成有着陆焊盘，该电容孔与着陆焊盘连通。还包括下电极，该下电极包括形成在电容孔内且与着陆焊盘接触的部分、以及沿着电容孔的侧壁向上延伸到外露于电容孔外的部分。通过保留部分牺牲膜层，下电极由在电容孔内的部分、以及沿着电容孔的侧壁向上延伸到外露于电容孔外的部分组成，由于牺牲膜层部分保留，其环绕在下电极的下部分，能够对下电极进行支撑，防止下电极倾斜；后续工序中在下电极上沉积介质层及上电极时，环绕在下电极的下部分的牺牲膜层还防止下电极弯曲变形，从而防止电容器坍塌。塌。塌。
技术研发人员：郭炳容 杨涛 卢一泓 胡艳鹏
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.11.03
技术公布日：2022/5/25