技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，包括自下向上依次形成的下层衬底、绝缘埋层和上层衬底，所述上层衬底包括体接触区和器件有源区；栅介质层，形成于所述上层衬底上，所述栅介质层从所述器件有源区上延伸至所述体接触区上；以及，栅极层，至少形成于所述栅介质层上，且位于所述体接触区上方的所述栅极层的面积大于位于所述体接触区上方的所述栅介质层的面积。本发明的技术方案使得在对体区和源极区/漏极区之间实现隔离的同时，也使得寄生电容得到减小，从而使得截止频率得到提高。从而使得截止频率得到提高。从而使得截止频率得到提高。
技术研发人员：程亚杰
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2020.11.05
技术公布日：2021/2/8