显示装置的制作方法

本发明涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法，尤其涉及一种产品的透射率得到提高的显示装置及该显示装置的制造方法。

背景技术：

近年来，显示装置的用途正在变得多样化。由于显示装置的厚度变薄且重量变轻，因此其使用的范围呈现越来越广泛的趋势。

例如，显示装置用作诸如移动电话的小型产品的显示部，或者用作诸如电视的大型产品的显示部，尤其以应用于汽车的平视显示器(hud：headupdisplay)或ai用电子装置等多种方式使用。这样的显示装置有时也会根据应用方法而要求具有使光透射的性质的透明显示装置。

技术实现要素：

但是，对于现有的显示装置而言，在为了提高显示装置的透射率而增加透射区域的尺寸的情况下，由于布置于像素区域和透射区域上的层之间的高度差而存在形成像素区域的平坦化层的有机物质流失的问题。

本发明用于解决包括如上所述的技术问题等多个技术问题，其目的在于提供一种在防止有机物质的流失的同时具有高透射率的显示装置。但是，该技术问题仅为示例性的，并不据此限定本发明的范围。

根据本发明的一观点，提供一种显示装置，包括：基板，包括像素区域及透射区域；多个绝缘层，布置于所述像素区域及所述透射区域上；第一导电层，布置于所述像素区域的所述多个绝缘层上，并且包括具有第一倾斜角的第一侧壁和具有与所述第一倾斜角不同的第二倾斜角的第二侧壁；第一间隔件，与所述第一导电层布置于同一层，并且从所述像素区域与所述透射区域的边界部向所述像素区域及所述透射区域延伸而布置；以及第一平坦化层，布置于所述第一导电层上。

在本实施例中，所述第一侧壁比所述第二侧壁更靠近所述透射区域，并且所述第一倾斜角可以为70度以上且90度以下，所述第二倾斜角小于70度。

在本实施例中，所述第一间隔件可以与所述第一导电层的所述第一侧壁直接接触。

在本实施例中，还可以包括：第二导电层，布置于所述像素区域的所述多个绝缘层上，并且包括具有第三倾斜角的第三侧壁和具有与所述第三倾斜角不同的第四倾斜角的第四侧壁。

在本实施例中，所述第四侧壁比所述第三侧壁靠近所述透射区域，并且所述第三倾斜角可以小于70度，所述第四倾斜角为70度以上且90度以下。

在本实施例中，还可以包括：第二间隔件，与所述第二导电层布置于同一层，并且从所述像素区域与所述透射区域的边界部向所述像素区域及所述透射区域延伸而布置。

在本实施例中，所述第二间隔件可以与所述第二导电层的所述第四侧壁直接接触。

在本实施例中，所述第一间隔件和所述第二间隔件可以布置于同一层。

在本实施例中，所述第一平坦化层可以位于所述第一间隔件及所述第二间隔件的内侧。

在本实施例中，所述多个绝缘层可以包括：第一绝缘层，布置于所述基板上；第二绝缘层，布置于所述第一绝缘层上；第三绝缘层，布置于所述第二绝缘层上；第四绝缘层，布置于所述第三绝缘层上；以及第五绝缘层，布置于所述第四绝缘层上。

在本实施例中，所述第一间隔件可以距离所述第五绝缘层的上表面具有第一高度，所述第一导电层距离所述第五绝缘层的上表面具有第二高度，所述第一高度与所述第二高度相同。

在本实施例中，还可以包括：第二平坦化层，布置于所述第一平坦化层上；像素电极，布置于所述第二平坦化层上；像素定义膜，布置于所述像素电极上，并且使所述像素电极的至少一部分暴露；中间层，布置于所述像素电极上；以及对电极，布置于所述中间层上。

在本实施例中，所述对电极的至少一部分可以向所述透射区域延伸。

在本实施例中，所述像素区域可以具有第一透射率，所述透射区域具有高于所述第一透射率的第二透射率。

根据本发明的另一观点，提供一种显示装置的制造方法包括如下步骤：准备包括像素区域及透射区域的基板；在所述像素区域及所述透射区域上形成多个绝缘层；在所述像素区域的所述多个绝缘层上形成第一导电层及第二导电层，其中，所述第一导电层包括具有第一倾斜角的第一侧壁和具有与所述第一倾斜角不同的第二倾斜角的第二侧壁，所述第二导电层包括具有第三倾斜角的第三侧壁和具有与所述第三倾斜角不同的第四倾斜角的第四侧壁；在所述第一导电层及所述第二导电层上形成无机膜；以及对所述无机膜进行蚀刻而形成第一间隔件及第二间隔件。

在本实施例中，所述第一导电层、所述第二导电层、所述第一间隔件及所述第二间隔件可以位于同一层。

在本实施例中，所述第一间隔件可以与所述第一导电层的所述第一侧壁直接接触，并且所述第二间隔件与所述第二导电层的所述第四侧壁直接接触。

在本实施例中，所述第一倾斜角及所述第四倾斜角可以为70度以上且90度以下，并且所述第二倾斜角及所述第三倾斜角小于70度。

在本实施例中，所述第一间隔件及所述第二间隔件可以从所述像素区域与所述透射区域的边界部向所述像素区域及所述透射区域延伸而布置。

在本实施例中，在形成所述第一间隔件及所述第二间隔件的步骤之后，还可以包括在所述第一导电层上形成第一平坦化层的步骤，并且所述第一平坦化层位于所述第一间隔件及所述第二间隔件的内侧。

在本实施例中，所述第一间隔件可以包围所述透射区域的外围而布置。

除了前述的记载之外的其他方面、特征、优点可从以下的用于实施发明的具体内容、权利要求书以及附图变得明确。

根据如上所述构成的本发明的一实施例，能够实现一种在防止有机物质的流失同时具有高透射率的显示装置。当然，本发明的范围没有被这些效果所限定。

附图说明

图1是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。

图2是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。

图3是根据本发明的一实施例的可以包括在显示装置中的像素的等效电路图。

图4是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。

图5是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。

图6是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。

图7是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。

图8是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。

图9是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。

图10a至图10f是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。

附图标记说明

pa：像素区域ta：透射区域

1：显示装置100：基板

101：缓冲层103：第一绝缘层

105：第二绝缘层107：第三绝缘层

109：第四绝缘层111：第五绝缘层

136：第一电极层137：第二电极层

138：第三电极层139：第一导电层

141：第二导电层143：第三导电层

113：第一平坦化层117：第二平坦化层

具体实施方式

本发明可以进行多种变换且可以具有多个实施例，特定实施例举例示出于在附图中并在具体实施方式中进行详细说明。参考与附图一起在后面详细描述的实施例，能够明确本发明的效果与特征以及达成所述效果与特征的方法。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。

以下，将参照附图详细说明本发明的实施例，且在参照附图进行说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记并省略对其的重复说明。

在以下实施例中，第一、第二等术语并不被使用为限定性含义，而是被使用为将一个构成要素与其他构成要素进行区分的目的。并且，只要在上下文中没有明确表示其他含义，则单数的表述包括复数的表述。

另外，“包括”或者“具有”等术语表示存在说明书中所记载的特征或构成要素，而不是预先排除一个以上的其他特征或构成要素附加的可能性。并且，当提及膜、区域、构成要素等的部分位于另一部分“上”或者“之上”时，不仅包括在另一部分的“紧邻的上方”或者“紧邻之上”的情形，还包括其中间夹设其他膜、区域、构成要素等的情形。

为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限于图示的内容。

x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的宽泛的含义。例如，x轴、y轴以及z轴虽然也可以垂直，但也可以指代彼此不垂直的彼此不同的方向。

在某个实施例能够以不同方式实现的情形下，特定工艺顺序可以按不同于所说明的顺序而执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时进行，也可以按与说明的顺序相反的顺序进行。

图1是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。

参照图1，显示装置1可以包括显示区域da以及布置于显示区域da周围的非显示区域nda。非显示区域nda可以包围显示区域da。显示装置1可以利用从布置于显示区域da的多个像素p发出的光来提供图像，并且非显示区域nda可以是不显示图像的区域。

以下，将有机发光显示装置作为根据本发明的一实施例的显示装置1的一例而进行说明，但本发明的显示装置并不局限于此。作为一实施例，本发明的显示装置1可以为无机发光显示装置(inorganiclightemittingdisplay，或者无机电致发光显示器(eldisplay))，或者诸如量子点发光显示装置(quantumdotlightemittingdisplay)的显示装置。例如，配备于显示装置1的显示要素的发光层可以包括有机物，或者包括无机物，或者包括量子点，或者包括有机物和量子点，或者包括无机物和量子点。

图1图示了具有平坦的显示面的显示装置1，但是本发明并不局限于此。作为一实施例，显示装置1也可以包括立体型显示面或弯曲型显示面。

在显示装置1包括立体型显示面的情况下，显示装置1可以包括指示互不相同的方向的多个显示区域，例如，也可以包括多棱柱形显示面。作为一实施例，在显示装置1包括弯曲型显示面的情况下，显示装置1可以实现为柔性显示装置、可折叠显示装置、可卷曲显示装置等多样的形态。

图1图示了能够应用于手机终端的显示装置1。虽然未图示，但是贴装于主板的电子模块、相机模块、电源模块等可以与显示装置1一同布置于支架/壳体等而构成便携式电话终端。根据本发明的显示装置1可以应用于诸如电视、监视器之类的大型电子装置以及诸如平板计算机、汽车导航仪、游戏机、智能手表之类的中小型电子装置等。

虽然图1图示了显示装置1的显示区域da为四边形的情形，但是显示区域da的形状可以是圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形之类的多边形。

图2是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的平面图。

参照图2，显示装置1包括布置于显示区域da的多个像素p。多个像素p分别可以包括诸如有机发光二极管(oled：organiclight-emittingdiode)的显示元件。多个像素p分别可以通过有机发光二极管oled发出例如红色、绿色、蓝色或白色的光。如上文所述，本说明书中的像素p可以理解为发出红色、绿色、蓝色、白色中的任何一种颜色的光的像素。

各个像素p可以与布置在非显示区域nda的外围电路电连接。在非显示区域nda可以布置有第一扫描驱动电路110、第一发光驱动电路115、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源供应布线160及第二电源供应布线170。

第一扫描驱动电路110可以通过扫描线sl向各个像素p提供扫描信号。第一发光驱动电路115可以通过发光控制线el向各个像素p提供发光控制信号。第二扫描驱动电路120可以将显示区域da夹设在与第一扫描驱动电路110之间而与第一扫描驱动电路110对齐地布置。布置于显示区域da的像素p中的一部分可以与第一扫描驱动电路110电连接，其余部分可以电连接于第二扫描驱动电路120。作为一实施例，第二发光驱动电路(未图示)可以将显示区域da夹设在与第一发光驱动电路115之间而与第一发光驱动电路115对齐地布置。

第一发光驱动电路115可以在x方向上与第一扫描驱动电路110隔开，并布置于非显示区域nda上。作为一实施例，第一发光驱动电路115可以与第一扫描驱动电路110沿y方向隔开布置。

端子140可以布置于基板100的一侧。端子140可以不被绝缘层覆盖而暴露，从而与印刷电路板pcb电连接。印刷电路板pcb的端子pcb-p可以与显示装置1的端子140电连接。印刷电路板pcb将控制部(未图示)的信号或电源传递至显示装置1。在控制部生成的控制信号可以通过印刷电路板pcb分别被传递至第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120及第一发光驱动电路115。控制部可以通过第一连接布线161及第二连接布线171分别向第一电源供应布线160及第二电源供应布线170提供第一电源电压elvdd及第二电源电压elvss。第一电源电压elvdd可以通过与第一电源供应布线160连接的驱动电压线pl提供至像素p，并且第二电源电压elvss提供至与第二电源供应布线170连接的像素p的对电极。

数据驱动电路150电连接于数据线dl。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接于端子140的连接布线151以及与连接布线151连接的数据线dl提供至各个像素p。

虽然图2图示了数据驱动电路150布置于印刷电路板pcb的情形，但是作为一实施例，数据驱动电路150可以布置于基板100上。例如，数据驱动电路150可以布置于端子140与第一电源供应布线160之间。

第一电源供应布线160可以包括将显示区域da夹设于之间而沿x方向对齐地延伸的第一子布线162及第二子布线163。第二电源供应布线170可以以一侧开放的环形状局部地包围显示区域da。

图3是根据本发明的一实施例的可以包括在显示装置中的像素的等效电路图。

参照图3，各个像素p包括连接于扫描线sl及数据线dl的像素电路pc以及连接于像素电路pc的有机发光二极管oled。

像素电路pc包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2及存储电容器cst。开关薄膜晶体管t2连接于扫描线sl及数据线dl，并且根据通过扫描线sl输入的扫描信号sn将通过数据线dl输入的数据信号dm传递至驱动薄膜晶体管t1。

存储电容器cst连接于开关薄膜晶体管t2及驱动电压线pl，并且存储与从开关薄膜晶体管t2接收的电压与向驱动电压线pl供应的第一电源电压elvdd(或者，驱动电压)之差相对应的电压。

驱动薄膜晶体管t1可以连接于驱动电压线pl和存储电容器cst，并且与存储在存储电容器cst的电压值对应地控制从驱动电压线pl流动至有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发出具有预定亮度的光。

在图3中对像素电路pc包括两个薄膜晶体管及一个存储电容器的情形进行了说明，然而本发明并不局限于此。作为一实施例，像素电路pc可以多样地变形为包括七个薄膜晶体管及一个存储电容器，或者包括三个薄膜晶体管及两个存储电容器等情形。

图4是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的平面图，图5是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。

更具体而言，图4是放大图2的a部分的图，图5是沿图4的i-i'线截取的剖视图。

参照图4及图5，根据一实施例的显示装置的显示区域da可以包括：像素区域pa，布置有像素p而发射光；以及透射区域ta，未布置像素p而不发射光。为了提高显示装置的透射率，透射区域ta可以配备为大于包括像素p的像素区域pa。虽然在图4中图示了对应于一个透射区域ta而沿y方向布置有六个像素p的情形，但是可以实现多样的变形，作为一实施例，可以对应于一个透射区域ta而布置有四个像素p。

可以布置有：第一间隔件310及第二间隔件320，从像素区域pa与透射区域ta的边界部向像素区域pa及透射区域ta延伸而布置，用于防止构成布置于像素区域pa上的多个平坦化层的有机物质流失。第一间隔件310及第二间隔件320可以分别包围不同的透射区域ta的外围而布置。

基板100可以包括像素区域pa和透射区域ta。基板100可以包括以sio2为主要成分的玻璃材料或者聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或者醋酸丙酸纤维素(celluloseacetatepropionate)等。包括聚合物树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。基板100可以是包括包含上述聚合物树脂的层以及无机层(未图示)的多层结构。

在基板100上可以布置有：薄膜晶体管，包括栅极电极、源极电极及漏极电极；以及存储电容器，包括上部电极及下部电极。

缓冲层101可以位于基板100上，从而减少或阻断异物、湿气或外部空气从基板100的下部渗透，并且可以在基板100上提供平坦面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机物或者有机物或者有机-无机复合物，并且可以构成为无机物和有机物的单层或多层结构。在基板100与缓冲层101之间还可以包括阻断外部空气渗透的阻挡层(未图示)。

在像素区域pa的缓冲层101上可以布置有阻光层130。阻光层130可以以对应于薄膜晶体管的方式布置，从而防止薄膜晶体管的栅极电极、源极电极及漏极电极从外部可见。可以向阻光层130施加电压。例如，阻光层130可以与薄膜晶体管的源极电极或漏极电极连接。阻光层130与薄膜晶体管的源极电极或漏极电极的电位联动而接收电压，据此可以使显示装置的薄膜晶体管稳定化。作为一实施例，阻光层130可以不与薄膜晶体管的源极电极或漏极电极连接，而与单独的布线连接。

在阻光层130上可以布置有第一绝缘层103。第一绝缘层103可以布置于像素区域pa及透射区域ta上。第一绝缘层103可以包括选自包含硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的组中的至少一种无机绝缘物。第一绝缘层103可以是包括上述无机绝缘物的单层或多层。

在像素区域pa的第一绝缘层103上可以布置有半导体层134。半导体层134可以包括与第一电极层136重叠的沟道区域131以及布置于沟道区域131的两侧且包括比沟道区域131更高浓度的杂质的源极区域132及漏极区域133。在此，杂质可以包括n型杂质或p型杂质。源极区域132和漏极区域133可以分别与源极电极及漏极电极电连接。

半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。在半导体层134利用氧化物半导体形成的情况下，例如可以包括选自包含铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)及锌(zn)的组中的至少一种物质的氧化物。例如，半导体层134可以是itzo(insnzno)、igzo(ingazno)等。在半导体层134利用硅半导体形成的情况下，例如可以包括非晶硅(a-si)或者将非晶硅(a-si)结晶化的低温多晶硅(ltps：lowtemperaturepoly-silicon)。

在半导体层134上可以布置有第二绝缘层105。第二绝缘层105可以布置于像素区域pa及透射区域ta上。第二绝缘层105可以包括选自包含硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的组中的至少一种无机绝缘物。第二绝缘层105可以是包括上述无机绝缘物的单层或多层。

在像素区域pa的第二绝缘层105上可以布置有第一电极层136。第一电极层136可以利用选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上的金属形成为单层或多层。第一电极层136可以与向第一电极层136施加电信号的栅极线连接。作为一实施例，第一电极层136可以是薄膜晶体管的栅极电极。

在第一电极层136上可以布置有第三绝缘层107。第三绝缘层107可以布置于像素区域pa及透射区域ta上。第三绝缘层107可以包括选自包含硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的组中的至少一种无机绝缘物。第三绝缘层107可以是包括上述无机绝缘物的单层或多层。

在像素区域pa的第三绝缘层107上可以布置有第二电极层137。第二电极层137可以利用选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上的金属形成为单层或多层。第二电极层137可以与向第二电极层137施加电信号的栅极线连接。作为一实施例，第二电极层137可以是栅极电极、扫描线sl、发光控制线el中的一个。

在第二电极层137上可以布置有第四绝缘层109。第四绝缘层109可以布置于像素区域pa及透射区域ta上。第四绝缘层109可以包括选自包含硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的组中的至少一种无机绝缘物。第四绝缘层109可以是包括上述无机绝缘物的单层或多层。

在像素区域pa的第四绝缘层109上可以布置有第三电极层138。第三电极层138可以利用选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上金属形成为单层或多层。第三电极层138可以与向第三电极层138施加电信号的栅极线连接。

在第三电极层138上可以布置有第五绝缘层111。第五绝缘层111可以布置于像素区域pa及透射区域ta上。第五绝缘层111可以包括选自包含硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的组中的至少一种无机绝缘物。第五绝缘层111可以是包括上述无机绝缘物的单层或多层。

在像素区域pa的第五绝缘层111上可以布置有第一导电层139及第二导电层141。第一导电层139及第二导电层141可以利用选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上金属形成为单层或多层。第一导电层139及第二导电层141可以与向第一导电层139及第二导电层141施加电信号的栅极线连接。

第一导电层139及第二导电层141可以相互隔开而布置于同一层。作为一实施例，第一导电层139及第二导电层141可以分别为薄膜晶体管的源极电极或漏极电极。虽然图5图示了在第五绝缘层111上布置有两个导电层的情形，但是在第五绝缘层111上也可以布置有四个或六个导电层。

第一导电层139可以包括具有第一倾斜角θ1的第一侧壁139a和具有与第一倾斜角θ1不同的第二倾斜角θ2的第二侧壁139b，第二导电层141可以包括具有第三倾斜角θ3的第三侧壁141a和具有与第三倾斜角θ3不同的第四倾斜角θ4的第四侧壁141b。布置于像素区域pa上的第一导电层139的第一侧壁139a和第二侧壁139b中，作为靠近透射区域ta的侧壁的第一侧壁139a的倾斜角可以形成为与第二侧壁139b的倾斜角相比相对陡峭地倾斜。在布置于像素区域pa上的第二导电层141的第三侧壁141a和第四侧壁141b中，作为与透射区域ta接近的侧壁的第四侧壁141b的倾斜角可以形成为与第三侧壁141a的倾斜角相比相对陡峭地倾斜。作为一实施例，第一倾斜角θ1及第四倾斜角θ4可以为70度以上且90度以下，第二倾斜角θ2及第三倾斜角θ3可以小于70度。

与透射区域ta接近的侧壁的倾斜角形成为相对陡峭地倾斜，从而间隔件可以从像素区域pa与透射区域ta之间的边界部向像素区域pa及透射区域ta延伸而布置。对此将在显示装置的制造方法中进行详细说明。

在第五绝缘层111上可以布置有第一间隔件310及第二间隔件320，第一间隔件310及第二间隔件320从像素区域pa与透射区域ta之间的边界部向像素区域pa及透射区域ta延伸而布置。

第一导电层139、第二导电层141、第一间隔件310及第二间隔件320可以布置于同一层。第一间隔件310可以与第一导电层139的第一侧壁139a直接接触，并且从像素区域pa与透射区域ta之间的边界部向像素区域pa及透射区域ta延伸而布置于第五绝缘层111上，第二间隔件320可以与第二导电层141的第四侧壁141b直接接触，并且从像素区域pa与透射区域ta之间的边界部向像素区域pa及透射区域ta延伸而布置于第五绝缘层111上。作为一实施例，第一间隔件310可以与第一导电层139的第一侧壁139a隔开，并且从像素区域pa与透射区域ta之间的边界部向像素区域pa及透射区域ta延伸而布置于第五绝缘层111上，第二间隔件320可以与第二导电层141的第四侧壁141b间隔开，并且从像素区域pa与透射区域ta之间的边界部向像素区域pa及透射区域ta延伸而布置于第五绝缘层111上。

第一间隔件310可以距离第五绝缘层111的上表面具有第一高度h1，并且第一导电层139距离第五绝缘层111的上表面具有第二高度h2。作为一实施例，第一高度h1与第二高度h2可以相同。即，第一间隔件310和第一导电层139可以距离第五绝缘层111的上表面具有相同的高度。第一间隔件310及第二间隔件320可以包括选自包含硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的组中的至少一种无机绝缘物。

第三电极层138和第一导电层139可以将第五绝缘层111夹设在之间而彼此对向布置。通过使第三电极层138与第一导电层139对向布置，可以形成以第三电极层138为下部电极且以第一导电层139为上部电极的存储电容器cst。通过第三电极层138和第一导电层139以大面积形成存储电容器cst，从而能够增加存储电容器cst的累积容量。

在第一导电层139及第二导电层141上可以布置有第一平坦化层113。第一平坦化层113在剖视图上可以位于第一间隔件310及第二间隔件320的内侧。即，布置于第一导电层139及第二导电层141上的第一平坦化层113的末端可以位于第一间隔件310及第二间隔件320上，从而第一平坦化层113未布置到第一间隔件310及第二间隔件320的外侧，而是仅布置于第一间隔件310及第二间隔件320的内侧。

第一平坦化层113可以通过由有机物质或无机物质构成的膜形成为单层或多层。这样的第一平坦化层113可以包括诸如苯并环丁烯(bcb：benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(hmdso：hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma：polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(ps：polystylene)的一般通用聚合物、具有酚类基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其共混物等。另外，第一平坦化层113可以包括硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)等。在形成第一平坦化层113之后，为了提供平坦的上表面，可以执行化学机械抛光。

布置于第五绝缘层111上的第一间隔件310及第二间隔件320可以起到对齐点(alignpoint)作用，以使得第一平坦化层113可以仅布置于像素区域pa内。由于第一间隔件310及第二间隔件320起到对齐点(alignpoint)作用，因此能够防止构成第一平坦化层113的有机物质布置到透射区域ta侧，同时防止有机物质流失。

在第一平坦化层113上可以布置有第三导电层143。第三导电层143可以利用选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上金属形成为单层或多层。

在第三导电层143上可以布置有第二平坦化层117。第二平坦化层117可以通过由有机物质或无机物质构成的膜形成为单层或多层。这样的第二平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(bcb：benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(hmdso：hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma：polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(ps：polystylene)的一般通用聚合物、具有酚类基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其共混物等。另外，第二平坦化层117可以包括硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)等。在形成第二平坦化层117之后，为了提供平坦的上表面，可以执行化学机械抛光。

在第二平坦化层117上可以布置有像素电极210。像素电极210可以是(半)透光性电极或反射电极。像素电极210可以配备有由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及其化合物等形成的反射膜以及形成于反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以配备有选自包含铟锡氧化物(ito：indiumtinoxide)、铟锌氧化物(izo：indiumzincoxide)、锌氧化物(zno：zincoxide)、铟氧化物(in2o3：indiumoxide)、铟镓氧化物(igo：indiumgalliumoxide)及铝锌氧化物(azo：aluminumzincoxide)的组中的至少一种。像素电极210可以配备为层叠为ito/ag/ito的结构。

在第二平坦化层117上可以布置有像素定义膜180，像素定义膜180可以具有使像素电极210的至少一部分暴露的开口。像素定义膜180可以通过增加像素电极210的边缘部位与像素电极210上部的对电极230(图9)之间的距离来防止在像素电极210的边缘部位发生电弧等。像素定义膜180例如可以利用诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(hmdso：hexamethyldisiloxane)及酚醛树脂等有机绝缘物质而通过旋涂等方法形成。

由于在像素区域pa布置有多个平坦化层，在透射区域ta未布置多个平坦化层，因此像素区域pa可以具有第一透射率，透射区域ta具有高于第一透射率的第二透射率。

图6是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。图6的实施例与图5的实施例的差异在于在缓冲层101上未布置阻光层130。针对图6的构成中与图5相同的构成省略其说明，以下以差异为主进行说明。

参照图6，在基板100上可以布置有缓冲层101，在缓冲层101上可以布置有第一绝缘层103，在第一绝缘层103上可以布置有半导体层134。作为一实施例，布置于缓冲层101与半导体层134之间的第一绝缘层103可以省略。

通过省略布置于缓冲层101与第一绝缘层103之间的阻光层130，能够简化显示装置的制造工艺，并且能够减小基板100与多个平坦化层(第一平坦化层113及第二平坦化层117)之间的高度，从而减少构成第一平坦化层113及第二平坦化层117的有机物质流失。

图7是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。图7的实施例与图5的实施例的差异在于在第一电极层136上与第一电极层136重叠地布置有第二电极层137。针对图7的构成中的与图5相同的构成省略其说明，以下以差异为主进行说明。

参照图7，在第一电极层136上可以布置有第二电极层137，并且第一电极层136与第二电极层137将第三绝缘层107夹设在之间而彼此对向布置。通过使第一电极层136与第二电极层137彼此对向布置，可以形成以第一电极层136为下部电极并以第二电极层137为上部电极的存储电容器cst。

图8是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。图8的实施例与图5的实施例相比，差异在于布置有包括阻光物质的有机膜181代替像素定义膜180。针对图8的构成中与图5相同的构成省略其说明，以下以差异为主进行说明。

参照图8，在基板100上可以布置有第二平坦化层117，并且在第二平坦化层117上布置有像素电极210，并且在第二平坦化层117上布置有使像素电极210的至少一部分暴露的有机膜181。有机膜181可以包括阻光物质，阻光物质可以是黑矩阵。黑矩阵可以包括多种材料，例如混合黑色颜料的有机物质、铬(cr)或者铬氧化物(crox)等。在利用铬或者铬氧化物形成黑矩阵的情况下，黑矩阵可以是铬或铬氧化物的单层膜或多层膜。在显示装置包括黑矩阵的情况下，可以充分防止外部光反射。

图9是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。图9的实施例与图5的实施例相比，差异在于在像素电极210上布置有中间层220及对电极230。针对图9的构成中与图5相同的构成省略其说明，以下以差异为主进行说明。

参照图9，在通过像素定义膜180暴露至少一部分的像素电极210上可以布置有中间层220。中间层220可以包括发光层，并且在发光层的下方及上方还可以选择性地包括诸如空穴传输层(htl：holetransportlayer)、空穴注入层(hil：holeinjectionlayer)、电子传输层(etl：electrontransportlayer)及电子注入层(eil：electroninjectionlayer)之类的功能层。

发光层可以包括包含发出红色、绿色、蓝色或白色的光的荧光或磷光物质的有机物。发光层可以是低分子有机物或高分子有机物。

在发光层包括低分子物质的情况下，中间层220可以具有以空穴注入层(hil：holeinjectionlayer)、空穴传输层(htl：holetransportlayer)、发光层(eml：emissionlayer)、电子传输层(etl：electrontransportlayer)、电子注入层(eil：electroninjectionlayer)等以单个或复合的结构层叠的结构，低分子有机物可以包括铜酞菁(cupc：copperphthalocyanine)、npb(n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(n,n'-di(napthalene-1-yl)-n,n'-diphenyl-benzidine))、alq3(三(8-羟基喹啉)铝(tris-8-hydroxyquinolinealuminum))等多种有机物质。这样的层可以通过真空沉积的方法形成。

在发光层包括高分子物质的情况下，中间层220可以大概具有包括多个空穴传输层(htl)及发光层(eml)的结构。此时，空穴传输层可以包括pedot(聚(3,4-乙撑二氧噻吩))，发光层可以包括聚(对苯撑亚乙烯基)(ppv：poly-phenylenevinylene)系及聚芴(polyfluorene)系等高分子物质。这样的发光层可以通过丝网印刷或喷墨印刷方法、激光热转移法(liti：laserinducedthermalimaging)等形成。

在中间层220上可以布置有对电极230。对电极230可以布置于中间层220上，并且布置为覆盖中间层220的全部的形态。对电极230可以布置于像素区域pa上部，并且布置为覆盖像素区域pa的全部的形态。即，对电极230可以以覆盖布置于像素区域pa的多个像素p的方式形成为一体。作为一实施例，虽然未图示，但是对电极230的至少一部分可以向透射区域ta侧延伸，进而也布置于透射区域ta上。

图10a至图10f是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。

以下，参照图10a至图10f，对显示装置的制造方法依次进行说明。

参照图10a至图10f，根据一实施例的显示装置的制造方法可以包括如下步骤：准备包括像素区域pa及透射区域ta的基板100；在像素区域pa及透射区域ta上形成多个绝缘层；在像素区域pa的多个绝缘层上形成第一导电层139及第二导电层141，其中，第一导电层139包括具有第一倾斜角θ1的第一侧壁139a和具有与第一倾斜角θ1不同的第二倾斜角θ2的第二侧壁139b，第二导电层141包括具有第三倾斜角θ3的第三侧壁141a和具有与第三倾斜角θ3不同的第四倾斜角θ4的第四侧壁141b；在第一导电层139及第二导电层141上形成无机膜300；以及对无机膜300进行蚀刻而形成第一间隔件310及第二间隔件320。

参照图10a，基板100可以包括像素区域pa和透射区域ta。基板100可以包括以sio2为主要成分的玻璃材料或者聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或者醋酸丙酸纤维素(celluloseacetatepropionate)等。包括聚合物树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。基板100可以是包括包含上述聚合物树脂的层以及无机层(未图示)的多层结构。

参照图10b，在准备包括像素区域pa及透射区域ta的基板100的步骤之后，还可以执行在像素区域pa及透射区域ta上形成多个绝缘层的步骤。在像素区域pa及透射区域ta上形成多个绝缘层的步骤可以包括如下步骤：在像素区域pa及透射区域ta上形成缓冲层101；在像素区域pa的缓冲层101上形成阻光层130；在像素区域pa的阻光层130及透射区域ta的缓冲层101上形成第一绝缘层103；在像素区域pa的第一绝缘层103上形成半导体层134；在像素区域pa的半导体层134及透射区域ta的第一绝缘层103上形成第二绝缘层105；在像素区域pa的第二绝缘层105上形成第一电极层136；在像素区域pa的第一电极层136及透射区域ta的第二绝缘层105上形成第三绝缘层107；在像素区域pa的第三绝缘层107上形成第二电极层137；在像素区域pa的第二电极层137及透射区域ta的第三绝缘层107上形成第四绝缘层109；在像素区域pa的第四绝缘层109上形成第三电极层138；以及在像素区域pa的第三电极层138及透射区域ta的第四绝缘层109上形成第五绝缘层111。

缓冲层101可以位于基板100上，从而减少或阻断异物、湿气或外部空气从基板100的下部渗透，并且可以在基板100上提供平坦面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机物或者有机物或者有机-无机复合物，并且可以构成为无机物和有机物的单层或多层结构。在基板100与缓冲层101之间还可以包括阻断外部空气渗透的阻挡层(未图示)。

阻光层130可以以对应于薄膜晶体管的方式布置，从而防止薄膜晶体管的栅极电极、源极电极及漏极电极从外部可见。作为一实施例，也可以省略形成阻光层130的步骤。

第一绝缘层103、第二绝缘层105、第三绝缘层107、第四绝缘层109及第五绝缘层111可以包括选自包含硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的组中的至少一种无机绝缘物。第一绝缘层103、第二绝缘层105、第三绝缘层107、第四绝缘层109及第五绝缘层111可以是包括上述无机绝缘物的单层或多层。

第一电极层136；第二电极层137及第三电极层138可以利用选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上的金属形成为单层或多层。

参照图10c，在像素区域pa及透射区域ta上形成多个绝缘层的步骤之后，还可以执行在像素区域pa的多个绝缘层上形成第一导电层139及第二导电层141的步骤，其中，第一导电层139包括具有第一倾斜角θ1的第一侧壁139a和具有与第一倾斜角θ1不同的第二倾斜角θ2的第二侧壁139b，第二导电层141包括具有第三倾斜角θ3的第三侧壁141a和具有与第三倾斜角θ3不同的第四倾斜角θ4的第四侧壁141b。

形成于像素区域pa上的第一导电层139的第一侧壁139a和第二侧壁139b中，作为靠近透射区域ta的侧壁的第一侧壁139a的倾斜角可以形成为与第二侧壁139b的倾斜角相比相对陡峭地倾斜。在形成于像素区域pa上的第二导电层141的第三侧壁141a和第四侧壁141b中，作为与透射区域ta接近的侧壁的第四侧壁141b的倾斜角可以形成为与第三侧壁141a的倾斜角相比相对陡峭地倾斜。作为一实施例，第一倾斜角θ1及第四倾斜角θ4可以为70度以上且90度以下，第二倾斜角θ2及第三倾斜角θ3可以小于70度。

第三电极层138和第一导电层139可以将第五绝缘层111夹设在之间而彼此对向布置。通过使第三电极层138与第一导电层139对向布置，可以形成存储电容器cst。第三电极层138和第一导电层139以大面积形成存储电容器cst，从而能够增加存储电容器cst的累积容量。

参照图10d，在像素区域pa的多个绝缘层上形成第一导电层139及第二导电层141的步骤(其中，第一导电层139包括具有第一倾斜角θ1的第一侧壁139a和具有与第一倾斜角θ1不同的第二倾斜角θ2的第二侧壁139b，第二导电层141包括具有第三倾斜角θ3的第三侧壁141a和具有与第三倾斜角θ3不同的第四倾斜角θ4的第四侧壁141b)之后，还可以执行在第一导电层139及第二导电层141上形成无机膜300的步骤。无机膜300形成于第一导电层139和第二导电层141上，并且还可以形成于透射区域ta上。无机膜300可以包括选自包含硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的组中的至少一种无机绝缘物。

参照图10e，在第一导电层139及第二导电层141上形成无机膜300的步骤之后，还可以执行对无机膜300进行蚀刻而形成第一间隔件310及第二间隔件320的步骤。

在通过干式蚀刻工艺对布置于第一导电层139及第二导电层141的无机膜300进行蚀刻的情况下，在相对陡峭的第一导电层139的第一侧壁139a布置的无机膜300可以残留而形成第一间隔件310，位于第二导电层141的第四侧壁141b的无机膜300可以残留而形成第二间隔件320。作为一实施例，第一间隔件310可以与第一导电层139的第一侧壁139a直接接触，并且第二间隔件320与第二导电层141的第四侧壁141b直接接触。位于第一导电层139的第二侧壁139b的无机膜300以及位于第二导电层141的第三侧壁141a的无机膜300可以被去除。

对布置于第一导电层139及第二导电层141上的无机膜300进行干式蚀刻而形成的第一间隔件310和第二间隔件320可以从像素区域pa与透射区域ta的边界部向像素区域pa及透射区域ta延伸而布置。第一导电层139、第二导电层141、第一间隔件310及第二间隔件320可以位于同一层。

在形成第一间隔件310及第二间隔件320的步骤之后，还可以执行在第一导电层139上形成第一平坦化层113的步骤。第一平坦化层113在剖视图上可以位于第一间隔件310及第二间隔件320的内侧。即，布置于第一导电层139及第二导电层141上的第一平坦化层113的末端可以位于第一间隔件310及第二间隔件320上，从而第一平坦化层113未布置到第一间隔件310及第二间隔件320的外侧，而是仅布置于第一间隔件310及第二间隔件320的内侧。

由于在像素区域pa布置有多个平坦化层，在透射区域ta未布置多个平坦化层，因此像素区域pa可以具有第一透射率，并且透射区域ta具有高于第一透射率的第二透射率。

在为了提高显示装置的透射率而增加透射区域的尺寸的情况下，由于布置于像素区域和透射区域上的层之间的高度差，导致在像素区域上存在形成多个平坦化层的有机物质流失的问题。

本发明为了解决如上所述的问题而提出，利用当进行干式蚀刻工艺时无机膜不会从具有相对大的倾斜角的侧壁被去除而残留的现象，使得靠近透射区域的导电层的侧壁的倾斜角相对较大，从而可以不采用额外的掩模而布置从像素区域与透射区域的边界部向像素区域及透射区域延伸的间隔件，进而防止有机物质的流失。并且，通过将从像素区域与透射区域的边界部向像素区域及透射区域延伸而布置的间隔件作为对齐点(alignpoint)来形成平坦化层，从而能够防止构成平坦化层的有机物质溢出到透射区域侧。

以附图中所示的实施例为参考说明了本发明，但这仅为示例性的，只要是在本技术领域中具有普通知识的人便可以理解，可以对其进行多种变形且能够实现为等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据记载的权利要求书的技术思想而被确定。