一种干法刻蚀制备硅基OLED阳极及OLED器件的方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其是一种干法刻蚀制备硅基oled阳极及oled器件的方法。

背景技术：

微型有机发光二极管（oled）显示器具有自发光，宽视角，高亮度，高流明效率，低操作电压，反应时间快等特点，被认为是具有潜力的显示技术之一且能满足消费者对显示技术的新需求并逐渐成为主流方向。有机电致发光器件的全彩化技术主要有白光器件结合彩色滤光片法、rgb像素独立发光法和下转换法等，其中以白光为背光，再加上彩色滤光片的方法能有效解决rgb像素金属荫罩对准精度问题，是目前业内公认实现全色彩显示最简单的方法。

一般白光器件结合彩色滤光片法的阳极像素点制造是由剥离技术（lift-off）完成，然而由于在大尺寸基片上使用溶液腐蚀技术，剥离的均匀性取决于溶液的温度、浓度等，因此会造成在大尺寸基片上像素图形不均匀，甚至有些金属无法被剥离。另外，使用剥离技术制备的子像素间距较大，导致微型显示器达不到更高的分辨率。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是：使用传统剥离技术制备的oled阳极像素图形不均匀，像素点间距较大等问题。

本发明解决该技术问题采用的技术方案如下。

一种干法刻蚀制备硅基oled阳极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，用去离子水清洗硅基板；

步骤二，在所述硅基板上形成金属膜层，所述金属膜层包括钛膜层、镍膜层、铝膜层、铂膜层、氮化钛膜层、氮化铝膜层中的至少一种导电膜层；

步骤三，在所述阳极层上均匀旋涂0.8微米的碱溶性抗发射涂层和1.5微米的正性光刻胶层；

步骤四，对所述光刻胶层和所述抗发射涂层进行光刻、显影获得像素点的图形；

步骤五，采用刻蚀性气体轰击底部不被所述光刻胶层和所述抗发射涂层保护的所述金属膜层，再用显影液去除所述光刻胶层和所述抗发射涂层，形成阳极像素点；

步骤六，对所述硅基板进行清洗、烘干。

作为优选，所述步骤五中，所述刻蚀性气体为氯气和三氯化硼的混合气体，刻蚀过程中采用质谱仪测定法监测刻蚀终点，使用高压n-甲基吡咯烷酮溶液去除所述光刻胶层和所述抗反射涂层。

作为优选，所述抗发射涂层、所述光刻胶层旋涂均匀性误差在百分之三以下。

作为优选，所述金属膜层厚度为60纳米。

一种oled器件的制备方法，其特征在于，包括下述流程：

流程一，采用前述的oled阳极的制备方法，在硅基板上制备阳极；

流程二，在所述阳极上依次形成空穴功能层、有机发光层、电子功能层、透明阴极层、掺锡氧化铟薄膜层；

流程三，在所述掺锡氧化铟薄膜层上形成密封层；

流程四，在所述密封层上形成rgb色彩过滤层；

流程五，在所述rgb色彩过滤层上形成物理保护层；

流程六，在所述物理保护层上粘贴玻璃盖片。

作为优选，所述空穴功能层通过真空蒸镀的方法制备，所述空穴功能层包括33纳米空穴注入层、10纳米空穴传输层、10纳米电子阻挡层中的至少一层。

作为优选，所述有机发光层采用室温下具有磷光发射性质有机单分子白光材料形成，所述有机发光层厚度为35纳米。

作为优选，所述电子功能层通过真空蒸镀的方法制备，所述电子功能层包括15纳米电子传输层、10纳米电子注入层、10纳米空穴阻挡层中的至少一层。

作为优选，所述透明阴极层通过真空蒸镀的方法制备，所述透明阴极层厚度为8至10纳米，所述透明阴极层包括镁、铝和银中的至少一种金属。

作为优选，所述掺锡氧化铟薄膜层通过真空蒸镀的方法制备，采用有机镀膜机中的溅射系统在所述透明阴极层上沉积30至50纳米的掺锡氧化铟薄膜层。

作为优选，所述密封层包括有机保护层、氧化铝隔绝层，所述密封层制备方法为，在有机镀膜设备真空腔体内使用氮气、氧气、氩气、甲硅烷、氨气、一氧化二氮、三氟化氮通过化学气相沉积方式在所述掺锡氧化铟薄膜层表面形成有机保护层，所述有机保护层厚度为200至400纳米，在原子层沉积系统内使用三甲基铝、氧气通过原子层沉积方式在所述有机保护层表面制备氧化铝隔绝层，所述氧化铝隔绝层厚度为180纳米。

作为优选，所述rgb色彩过滤层的制备方法为，采用不同颜色的彩胶分别进行涂胶、光刻、显影、定影的流程，所述rgb色彩过滤层厚度为1至1.3微米，最后烘干。

作为优选，所述物理保护层通过真空蒸镀的方法制备，在有机镀膜设备真空腔体内使用氮气、氧气、氩气、甲硅烷、氨气、一氧化二氮、三氟化氮通过化学气相沉积方式在rgb色彩过滤层上面制造物理保护层，所述物理保护层厚度为100至500纳米。

作为优选，在所述物理保护层上粘贴所述玻璃盖片流程中，完成粘贴所述玻璃盖片后还要进行20至30分钟的粘接剂固化处理。

本发明的有益效果是：

本发明使用干法刻蚀工艺代替传统方法制备阳极像素点，具有像素点图形精确化，使像素点间距更小（0.3-0.5mm），像素密度高，从而在0.6英寸的微型oled显示器上实现分辨率为1280*1024的微型全彩有机显示器。

附图说明

图1是本发明实施例完成流程一步骤三示意图。

图2是本发明实施例完成流程一步骤四示意图。

图3是本发明实施例流程一步骤五刻蚀性气体轰击示意图。

图4是本发明实施例完成流程一步骤五示意图。

图5是本发明实施例oled器件示意图。

图中：1.硅基板，2.金属膜层，3.抗发射涂层，4.光刻胶层，5.掩模版，6.刻蚀性气体，7.空穴功能层，8.有机发光层，9电子功能层，10.透明阴极层，11.掺锡氧化铟薄膜层，12.密封层，13.rgb色彩过滤层，14.物理保护层，15.玻璃盖片，16.阳极像素点。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

一种干法刻蚀制备硅基oled器件的方法，其特征在于，包括下述流程：

流程一，在硅基板1上制备阳极像素点16，包括以下步骤：

步骤一，用去离子水清洗硅基板1；

步骤二，在硅基板1上形成金属膜层2，厚度为60纳米，本实施例中金属膜层2为钛膜层；

步骤三，在金属膜层2上均匀旋涂0.8微米的碱溶性抗发射涂层3和1.5微米的正性光刻胶层4，抗发射涂层3、光刻胶层4旋涂均匀性误差在百分之三以下；

步骤四，采用掩模版5对抗发射涂层3、光刻胶层4进行光刻、显影获得的图形；

步骤五，采用刻蚀性气体6轰击底部不被抗发射涂层3、光刻胶层4保护的金属膜层2，再用显影液去除抗发射涂层3、光刻胶层4，形成阳极像素点16，本实施例中刻蚀性气体6为氯气和三氯化硼的混合气体，刻蚀过程中采用质谱仪测定法监测刻蚀终点，使用高压n-甲基吡咯烷酮溶液去除光刻胶层4和抗反射涂层3，避免光刻胶层4中的残留的氯元素与大气中的水反应形成盐酸从而腐蚀金属，刻蚀过程中硅基板温度不高于150度，否则会导致光刻胶层烧焦。

步骤六，对硅基板1进行清洗、烘干。

流程二，在阳极像素点16上依次形成空穴功能层7、有机发光层8、电子功能层9、透明阴极层10、掺锡氧化铟薄膜层11。空穴功能层7通过真空蒸镀的方法制备，空穴功能层7包括33纳米空穴注入层、10纳米空穴传输层、电子阻挡层。有机发光层8采用室温下具有磷光发射性质有机单分子白光材料形成，有机发光层8厚度为35纳米。空穴功能层7通过真空蒸镀的方法制备，电子功能层9包括15纳米电子传输层、10纳米电子注入层、空穴阻挡层。透明阴极层10通过真空蒸镀的方法制备，透明阴极层10厚度为8至10纳米，透明阴极层10由镁银合金制成。掺锡氧化铟薄膜层11通过真空蒸镀的方法制备，采用有机镀膜机中的溅射系统在透明阴极层10上沉积30纳米的掺锡氧化铟薄膜层11。

流程三，在掺锡氧化铟薄膜层11上形成密封层12。密封层12包括有机保护层、氧化铝隔绝层，密封层12制备方法为，在有机镀膜设备真空腔体内使用氮气、氧气、氩气、甲硅烷、氨气、一氧化二氮、三氟化氮通过化学气相沉积方式在掺锡氧化铟薄膜层11上表面形成有机保护层，有机保护层厚度为200至400纳米，在原子层沉积系统内使用三甲基铝、氧气通过原子层沉积方式在有机保护层表面制备氧化铝隔绝层，氧化铝隔绝层厚度为180纳米。

流程四，在密封层13上形成rgb色彩过滤层13。rgb色彩过滤层13的制备方法为，采用不同颜色的彩胶分别进行涂胶、光刻、显影、定影的流程，最后烘干，rgb色彩过滤层13厚度为1微米。

流程五，在rgb色彩过滤层13上形成物理保护层14。物理保护层14通过真空蒸镀的方法制备，在有机镀膜设备真空腔体内使用氮气、氧气、氩气、甲硅烷、氨气、一氧化二氮、三氟化氮通过化学气相沉积方式在rgb色彩过滤层13上面制造物理保护层14，物理保护层14厚度为100纳米。

流程六，在物理保护层14上粘贴玻璃盖片15。在物理保护层14上粘贴玻璃盖片15流程中，完成粘贴玻璃盖片15后还要进行20分钟的粘接剂固化处理。

本发明可改变为多种方式对本领域的技术人员是显而易见的，这样的改变不认为脱离本发明的范围。所有这样的对所述领域技术人员显而易见的修改将包括在本权利要求的范围之内。