1.一种发光器件，所述发光器件包括：
第一半导体层；
第二半导体层，面对所述第一半导体层；
绝缘层，布置成至少部分地围绕所述第一半导体层的外表面和所述第二半导体层的外表面；以及
第一配体和第二配体，所述第一配体结合到所述绝缘层的表面，所述第二配体结合到所述第一配体。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一配体衍生自由式1表示的化合物：
式1
a1-r1-a2
其中，在式1中，
a1选自于烷基硅氧烷基、烷膦酸基、邻苯二酚基、烷基邻苯二酚基、羧酸基、硫醇基和胺基，
a2选自于卤素基团、乙烯基、乙炔基、硫醇基、叠氮基、环氧乙烷基、胺基、氨基、羧酸基、羟基、醇基、醚基、酯基和酮基，并且
r1选自于亚烷基、亚环己基、亚苯基、亚甲氧基、醚基和酰胺基，所述亚烷基、所述醚基和所述酰胺基均具有1个至25个碳原子。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一配体衍生自由从式2-1至式2-36中选择的一个表示的化合物：
其中，n为1至12的整数。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一配体具有在150道尔顿至500道尔顿范围内的重均分子量。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二配体衍生自由从式3-1至式3-3中选择的一个表示的化合物：
<式3-3>
其中，r2选自于氢、氘、羟基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基和取代或未取代的c1-c60烷基醚基，
r3选自于氢、氘、羟基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基和取代或未取代的c1-c60烷基醚基，并且
n是2至300的整数。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二配体包括聚合物化合物并且具有在1,000道尔顿至90,000道尔顿范围内的重均分子量。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述第一配体和所述第二配体通过缩合反应或聚合反应彼此结合。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一配体和所述第二配体彼此不同。
9.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括：
活性层，布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及
电极层，布置在所述第二半导体层上。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述绝缘层布置成至少部分地围绕所述第一半导体层的所述外表面、所述第二半导体层的所述外表面、所述活性层的外表面和所述电极层的外表面。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述第一半导体层的一端和所述电极层的一端被暴露而不被所述绝缘层覆盖。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述绝缘层包括从氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化铝和氧化铝中选择的至少一种材料。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件的直径在0.1μm至0.9μm的范围内。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述发光器件的长度在0.5μm至9μm的范围内。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述发光器件的长径比在5至10的范围内。