转移设备、其制作方法以及微元件的转移方法与流程

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种转移设备、其制作方法以及微元件的转移方法。

背景技术：

目前，micro-led等微元件面临的一个关键技术就是要通过巨量转移将micro-led芯片转移到显示背板上，目前一般是，将微元件转移到带有弱化结构或采用可解粘胶材的暂态基板上，之后通过带有弱粘性凸起的转移设备对微元件进行粘附，然后拾取起对应的微元件，转移释放到显示背板上。

但是，由于目前采用的转移设备的凸起往往粘附力较弱且粘力不可控制，在暂态基板的弱化结构或解粘后粘力稍有异常便无法有效拾取微元件，导致转移失败，故对暂态基板的弱化制作或者粘附层解粘要求较高，使得工艺难度变大，转移良率较低；同时若是不采用弱粘性物体作为转移设备，而采用其他具有强粘性物质的转移设备进行转移，则对微元件的释放至预定结构又易存在问题。

因此，现有技术中的转移设备的粘附力不可控，而导致的转移效果较差。

因此，如何提供一种粘附力可控的转移设备是亟需解决的问题。

技术实现要素：

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种转移设备、其制作方法以及微元件的转移方法，旨在解决现有技术中的转移设备的粘附力不可控的问题。

一种转移设备，包括：支撑结构，具有多个第一凹槽；第一粘结层，设于所述支撑结构上且与所述第一凹槽形成容纳腔体；以及热膨胀层，设于所述容纳腔体中，所述热膨胀层在吸收热量后挤压所述第一粘结层使所述第一粘结层产生形变。

上述的转移设备包括具有第一凹槽的支撑结构、第一粘结层以及热膨胀层，其中，第一粘结层与所述第一凹槽形成所述容纳腔体，所述热膨胀层在吸收热量后挤压所述第一粘结层使所述第一粘结层产生形变，通过对该转移设备进行加热，可以使得该转移设备的粘附力发生变化，即该转移设备的粘附力是可控的，并且，通过控制加热温度和加热时间控制所述热膨胀层挤压所述第一粘结层，可以调整第一粘结层的表面的突起程度，从而可以进一步控制该转移设备的粘附力。该转移设备解决了现有技术中的转移设备不可控的问题，并且使用该转移设备转移微元件的转移良率相比现有技术有所提升。具体在实际的应用过程中，在将微元件转移至该转移设备上的第一粘结层上后，可以对该转移设备的至少部分加热，使得转移设备的粘附力降低，从而使得该转移设备可以更好地释放微元件，保证了该转移设备转移微元件的转移良率。并且，在对转移设备将微元件转移至预定结构后，转移设备的温度降低到常温后，该第一粘结层的形态恢复如初，后续还可以采用该转移设备进行微元件的转移，也就是说该转移设备可以重复利用，避免了现有技术中需要解粘的转移设备只能使用一次的问题。

可选地，所述第一粘结层包括本体部和第一凸起，所述本体部与所述第一凹槽形成所述容纳腔体，所述第一凸起位于所述本体部的远离所述支撑结构的表面上，且至少一个所述第一凹槽在所述第一粘结层上的投影区域覆盖至少一个所述第一凸起所在的区域。该实施例中，由于第一粘结层具有第一凸起，这样在要将微元件从该转移设备转移至预定结构的过程中，在对该转移设备的至少部分加热后，具有第一凸起的表面与微元件的接触面积进一步减小，使得该转移设备的粘附力进一步减小，即粘附力变化更为明显，从而可以在一个较低的温度范围内便获得较大的粘附力变化，使得该转移设备能够更好地释放微元件，使其转移至预定结构上，进一步提高了在将微元件转移至预定结构上的转移良率。并且，在将微元件转移至转移设备上时，可以通过压力压合的方式，这样可以将第一凸起压平，从而保证了第一粘结层的粘附力较强。

可选地，所述第一凸起有多个，且多个所述第一凸起间隔排列，且各所述第一凹槽在所述第一粘结层上的投影区域覆盖至少一个第一凸起所在的区域。这样使得该转移设备的第一粘结层在加热前后的粘附力差别较大。

可选地，所述支撑结构的材料包括聚二甲基硅氧烷，所述第一粘结层的材料包括聚二甲基硅氧烷。聚二甲基硅氧烷的粘性较强，这样支撑结构和第一粘结层的粘结更加牢固，使得该转移设备更加可靠。

可选的，所述转移设备还包括：热量释放层，位于所述第一凹槽的表面上且未充满所述第一凹槽，所述热量释放层为被加热后可以释放热量的材料层。热量释放层设置在第一凹槽的表面上，当对该转移设备的至少部分加热时，热量释放层可以释放热量在容纳腔体内，导致容纳腔体内的温度迅速升高，从而这样导致容纳腔体内的空气膨胀，从而使得盖设在凹槽上的第一粘结层向远离支撑结构的方向凸起，第一粘结层的表面发生形变，其粘附力变弱。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种任意所述的转移设备的制作方法，包括：形成具有第一凹槽的支撑结构；形成第一粘结层于所述支撑结构上，所述第一粘结层与所述第一凹槽形成容纳腔体；在所述容纳腔体中设置热膨胀层，所述热膨胀层在吸收热量后挤压所述第一粘结层使所述第一粘结层产生形变。

上述的制作方法比较简单，使得形成的转移设备的效率较高，且上述的制作方法形成的转移设备包括具有第一凹槽的支撑结构、第一粘结层以及热膨胀层，其中，第一粘结层与所述第一凹槽形成所述容纳腔体，所述热膨胀层在吸收热量后挤压所述第一粘结层使所述第一粘结层产生形变，通过对该转移设备进行加热，可以使得该转移设备的粘附力发生变化，即该转移设备的粘附力是可控的，并且，通过控制加热温度和加热时间控制所述热膨胀层挤压所述第一粘结层，可以调整第一粘结层的表面的突起程度，从而可以进一步控制该转移设备的粘附力。该转移设备解决了现有技术中的转移设备不可控的问题，并且使用该转移设备转移微元件的转移良率相比现有技术有所提升。具体在实际的应用过程中，在将微元件转移至该转移设备上的第一粘结层上后，可以对该转移设备的至少部分加热，使得转移设备的粘附力降低，从而使得该转移设备可以更好地释放微元件，保证了该转移设备转移微元件的转移良率。

可选地，所述形成具有第一凹槽的支撑结构，包括：提供具有多个第二凸起的第二模具，所述第二凸起与所述第一凹槽适配；在所述第二模具上形成所述支撑结构。通过第二模具形成支撑结构的方式更加简单。

可选地，所述提供具有多个第二凸起的第二模具，包括：提供具有多个第二凹槽的第一模具；在所述第一模具上设置液态的第二粘结剂并固化，得到具有多个第二预备凸起的第二预备模具；对所述第二预备模具的表面进行活化处理，得到具有多个所述第二凸起的所述第二模具，所述第二凹槽和所述第二凸起适配，所述在所述第二模具上形成所述支撑结构，包括：在所述第二模具上设置液态的第一粘结剂并固化，形成具有多个所述第一凹槽的所述支撑结构。

可选地，所述形成第一粘结层于所述支撑结构上，包括：提供具有第三凸起的第三模具；在所述第三模具上设置液态的第三粘结剂并固化，形成具有第四凹槽的第四模具，所述第四凹槽和所述第三凸起适配；在所述第四模具上设置液态的第四粘结剂并固化，形成具有第一凸起的所述第一粘结层，所述第一凸起与所述第四凹槽适配；对所述第一粘结层的预定表面以及所述支撑结构的预定表面进行表面活化处理，所述第一粘结层的预定表面为不具有所述第一凸起的表面，所述支撑结构的预定表面为具有所述第一凹槽的表面；将活化处理后的所述第一粘结层的预定表面以及所述支撑结构的预定表面贴合。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种微元件的转移方法，所述转移方法包括：将微元件源结构中的微元件转移至暂态基板上，所述微元件源结构包括生长基板和位于所述生长基板上的微元件；将位于所述暂态基板上的所述微元件转移至任意一种所述的转移设备中的第一粘结层的表面上；将粘附有所述微元件的所述转移设备与预定结构贴合，且使得所述微元件与所述预定结构接触；对所述转移设备的至少部分加热，使得至少部分所述第一粘结层向所述微元件一侧突出，将至少一个所述微元件转移至所述预定结构上。

上述的转移方法由于采用上述的转移设备，只需要通过加热就可以将微元件从转移设备转移至预定结构上，使得这一过程较为简单，效率较高，进而使得该转移方法的转移效率较高，转移方法较简单。

附图说明

图1至图6为示出了根据本申请的转移设备的实施例的结构示意图；

图7示出了根据本申请的转移设备的制作方法的实施例的流程示意图图；

图8示出了本申请的一种第一模具的结构示意图；

图9示出了利用图8的第一模具形成第二模具的过程的结构示意图；

图10示出了对图9的结构分离后得到第二模具的结构示意图；

图11示出了利用第二模具形成支撑结构的过程的结构示意图；

图12为对图11的结构分离后得到支撑结构的结构示意图；

图13示出了本申请的一种第三模具的结构示意图；

图14示出了利用图13的第三模具形成第四模具的过程的结构示意图；

图15示出了对图14的结构分离后得到第四模具的结构示意图；

图16示出了利用图15的第四模具形成第一粘结层的过程的结构示意图；

图17示出了对图16的结构分离后得到第一粘结层的结构示意图；

图18示出了在基底上设置了支撑结构后形成的结构示意图；

图19是示出了在基底上设置了支撑结构以及热量释放层形成的结构示意图；

图20是示出了本申请的一种微元件源结构的示意图；

图21示出了将微元件源结构与暂态基板贴合形成的结构示意图；

图22示出了将微元件转移至暂态基板上后的结构示意图；

图23示出了将转移设备和图22的结构贴合形成的结构示意图；

图24示出了将微元件转移至转移设备上形成的结构示意图；

图25示出了将图24与预定结构贴合后的结构示意图；

图26示出了对转移设备加热后的结构示意图；

图27示出了将微元件转移至预定结构上形成的结构示意图。

附图标记说明：

10、基底；20、支撑结构；21、第一凹槽；30、热量释放层；31、热膨胀层；40、第一粘结层；41、本体部；42、第一凸起；43、粘结部；50、第一模具；51、第二凹槽；60、第二模具；61、第二凸起；70、第三模具；71、第三凸起；80、第四模具；81、第四凹槽；90、微元件源结构；91、生长基板；92、微元件；100、暂态基板；110、第二粘结层；120、转移设备；130、预定结构。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

现有技术中，转移设备的粘附力不可控，如果其粘附力较弱可能会导致无法拾取微元件而导致的转移良率较低的问题，转移设备的粘附力较强又会导致难以将微元件释放在预定结构上，进而导致转移良率较低的问题。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

本申请的一种实施例中，提供了一种转移设备120，如图1至图6以及图12所示，该转移设备120包括支撑结构20、第一粘结层40以及热膨胀层31，其中，支撑结构20具有多个第一凹槽21；第一粘结层40设于上述支撑结构20上且与上述第一凹槽21形成容纳腔体，热膨胀层31设于上述容纳腔体中，上述热膨胀层31在吸收热量后挤压上述第一粘结层40使上述第一粘结层40产生形变。

上述的转移设备包括具有第一凹槽的支撑结构、第一粘结层以及热膨胀层，其中，第一粘结层与上述第一凹槽形成上述容纳腔体，上述热膨胀层在吸收热量后挤压上述第一粘结层使上述第一粘结层产生形变，通过对该转移设备进行加热，可以使得该转移设备的粘附力发生变化，即该转移设备的粘附力是可控的，并且，通过控制加热温度和加热时间控制上述热膨胀层挤压上述第一粘结层，可以调整第一粘结层的表面的突起程度，从而可以进一步控制该转移设备的粘附力。该转移设备解决了现有技术中的转移设备不可控的问题，并且使用该转移设备转移微元件的转移良率相比现有技术有所提升。具体在实际的应用过程中，在将微元件转移至该转移设备上的第一粘结层上后，可以对该转移设备的至少部分加热，使得转移设备的粘附力降低，从而使得该转移设备可以更好地释放微元件，保证了该转移设备转移微元件的转移良率。并且，在对转移设备将微元件转移至预定结构后，转移设备的温度降低到常温后，该第一粘结层的形态恢复如初，后续还可以采用该转移设备进行微元件的转移，也就是说该转移设备可以重复利用，避免了现有技术中需要解粘的转移设备只能使用一次的问题。

需要说明的是，本申请中的第一粘结层40可以只盖设在第一凹槽21上，如图1所示；也可以同时还位于第一凹槽21两侧的裸露表面上，具体可以只位于第一凹槽21两侧的部分裸露表面上，如图2至图4所示，该第一粘结层包括多个粘结部43；当然，还可以位于第一凹槽21两侧剩余的全部裸露表面上，如图5和图6所示。本领域技术人员可以根据实际情况将第一粘结层40设置在合适的位置上，只要其盖设在第一凹槽21上且与第一凹槽21的裸露表面形成容纳腔体。

还需要说明的是，图1至图6以及图12只是示出了转移设备的剖面图，实际上，该转移设备中的第一凹槽的分布可以是矩阵分布。

为了简化该转移设备120的制作工艺，且进一步保证该转移设备120在被加热前具有较强的粘性，本申请的一种具体的实施例中，如图5和图6所示，上述第一粘结层40还位于上述支撑结构20的剩余的裸露表面上。

本申请的一种具体的实施例中，如图3至图5以及图12所示，上述第一粘结层40包括本体部41和第一凸起42，上述本体部41与上述第一凹槽21形成上述容纳腔体，上述第一凸起42位于上述本体部41的远离上述支撑结构20的表面上，且至少一个上述第一凹槽21在上述第一粘结层40上的投影区域覆盖至少一个第一凸起42所在的区域，即至少一个凹槽正对着至少一个凸起。该实施例中，由于第一粘结层40具有第一凸起42，这样在要将微元件从该转移设备转移至预定结构的过程中，在对该转移设备的至少部分加热后，具有第一凸起42的表面与微元件的接触面积进一步减小，使得该转移设备的粘附力进一步减小，即粘附力变化更为明显，从而可以在一个较低的温度范围内便获得较大的粘附力变化，使得该转移设备能够更好地释放微元件，使其转移至预定结构上，进一步提高了在将微元件转移至预定结构上的转移良率。并且，在将微元件转移至转移设备上时，可以通过压力压合的方式，这样可以将第一凸起42压平，从而保证了第一粘结层40的粘附力较强。

需要说明的是，上述第一凸起的数量可以根据实际情况设置，每个凹槽正对的凸起也可以根据实际情况设置，比如根据该第一粘结层的具体粘结材料来设置第一凸起的尺寸、数量以及相邻两个第一凸起之间的间隔(具有多个第一凸起的情况中涉及)。

为了使得该转移设备的第一粘结层40在加热前后的粘附力差别较大，本申请的一种实施例中，如图3至图5所示，上述第一凸起42有多个，且多个上述第一凸起42间隔排列，且各上述第一凹槽21在上述第一粘结层40上的投影区域覆盖至少一个第一凸起42所在的区域。

还需要说明的是，本申请中的第一凸起42的总面截面形状可以为任何由直线和/或曲线形成的形状，比如可以为半圆形(包括半圆弧和对应的弦)，也可以为三角形、矩形或者其他不规则的图形，本领域技术人员可以根据实际设置合适形状的第一凸起42。图3中的多个第一凸起42中，有的第一凸起42的纵截面的形状为三角形，有的第一凸起42的纵截面的形状由一个弧线段和一个直线段构成，图4和图5中的第一凸起42的纵截面为三角形。

上述的纵截面为与支撑结构20的厚度和宽度均平行的截面，实际上就是平行于屏幕的截面。

为了进一步使得加热后的第一粘结层的粘附力较小，本申请的一种实施例中，上述第一凸起在纵向截面形状选自三角形或半圆形(包括半圆弧和对应的弦)。

并且，在第一粘结层40具有多个第一凸起42的情况下，多个第一凸起42的形状可以相同亦可以不同，图3和图5中的多个第一凸起42是相同的，图4中的多个第一凸起42是不同的。本领域技术人员可以根据实际设置合适形状的第一凸起42以及设置多个相同或者不同的第一凸起42。

本申请中的第一粘结层的材料和支撑结构的材料可以根据实际情况选择，二者可以相同，也可以不同。本申请中的一种具体的实施例中，上述支撑结构的材料包括聚二甲基硅氧烷，上述第一粘结层的材料包括聚二甲基硅氧烷。聚二甲基硅氧烷的粘性较强，这样支撑结构和第一粘结层的粘结更加牢固，使得该转移设备更加可靠。

本申请的另一种具体的实施例中，上述转移设备还包括：热量释放层30，位于上述第一凹槽21的表面上且未充满上述第一凹槽21，上述热量释放层30为被加热后可以释放热量的材料层。热量释放层设置在第一凹槽21的表面上，当对该转移设备的至少部分加热时，热量释放层可以释放热量在容纳腔体内，导致容纳腔体内的温度迅速升高，从而这样导致容纳腔体内的空气膨胀，从而使得盖设在凹槽上的第一粘结层向远离支撑结构的方向凸起，第一粘结层的表面发生形变，其粘附力变弱。

为了使得热量释放层30能在加热时吸收更多的热量，从而后续可以释放更多的热量，进一步保证第一粘结层40的表面突起，本申请的一种具体的实施例中，上述热量释放层30包括金属，更为具体的一种实施例中，上述热量释放层为金属层。

在支撑结构20包括第一粘结剂的情况下，为了更方便转移设备120的使用，本申请的一种实施例中，如图1至图6所示，上述转移设备120还包括基底10，基底10设置在上述支撑结构20的远离上述第一粘结层40的表面上。

还需要说明的是，本申请中的热膨胀层的具体形状并不限于图1至图6中所示，热膨胀层设置在容纳腔体中并且在加热后能够使得对应的第一粘结层40突起即可，具体热膨胀层的厚度以及具体的形状均可以根据实际情况设置，比如，热膨胀层仅设置在容纳腔体的底部上，而不位于容纳腔体的侧壁上。

本申请中的转移设备可以采用任何可行的方法形成，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的工艺形成本申请中的转移设备。

本申请中的另一种实施例中，如图7所示，提供了一种转移设备的制作方法，包括：形成具有第一凹槽21的支撑结构20，如图12所示；形成第一粘结层40于上述支撑结构上，上述第一粘结层40与上述第一凹槽21形成容纳腔体，如图5至图6所示；在上述容纳腔体中设置热膨胀层31，上述热膨胀层31在吸收热量后挤压上述第一粘结层使上述第一粘结层产生形变。

上述的制作方法比较简单，使得形成的转移设备的效率较高，且上述的制作方法形成的转移设备包括具有第一凹槽的支撑结构、第一粘结层以及热膨胀层，其中，第一粘结层与上述第一凹槽形成上述容纳腔体，上述热膨胀层在吸收热量后挤压上述第一粘结层使上述第一粘结层产生形变，通过对该转移设备进行加热，可以使得该转移设备的粘附力发生变化，即该转移设备的粘附力是可控的，并且，通过控制加热温度和加热时间控制上述热膨胀层挤压上述第一粘结层，可以调整第一粘结层的表面的突起程度，从而可以进一步控制该转移设备的粘附力。该转移设备解决了现有技术中的转移设备不可控的问题，并且使用该转移设备转移微元件的转移良率相比现有技术有所提升。具体在实际的应用过程中，在将微元件转移至该转移设备上的第一粘结层上后，可以对该转移设备的至少部分加热，使得转移设备的粘附力降低，从而使得该转移设备可以更好地释放微元件，保证了该转移设备转移微元件的转移良率。

上述的热量释放层的具体形成工艺可以根据实际的材料等确定，比如可以采用物理气相沉积法、蒸镀法或者溅射法形成。实际的过程中，其形成过程还可能包括刻蚀的过程。

本申请中的一种具体的实施例中，形成具有第一凹槽21的支撑结构20，包括：提供具有多个第二凸起61的第二模具60，如图10所示，上述第二凸起61与上述第一凹槽21适配；在上述第二模具60上设置上述支撑结构20的材料，如图11所示，之后分离第二模具60和支撑结构20的材料，形成如图12所示的上述支撑结构20。通过第二模具60形成支撑结构20的方式更加简单。

本申请的另一种实施例中，上述提供具有多个第二凸起61的第二模具60，包括：提供具有多个第二凹槽51的第一模具50，如图8所示；在上述第一模具50上设置液态的第二粘结剂并固化，如图9所示，得到具有多个第二预备凸起的第二预备模具；对上述第二预备模具的表面进行活化处理，得到如图10所示的具有多个上述第二凸起61的上述第二模具60，上述第二凹槽51和上述第二凸起61适配，上述在上述第二模具60上形成上述支撑结构20，包括：在上述第二模具60上设置液态的第一粘结剂并固化，形成如图12所示的结构具有多个上述第一凹槽21的上述支撑结构20。

对上述第二模具的表面进行活化处理的具体方法可以根据具体第二模具的材料来确定，对于第二模具的材料包括pdms(聚二甲基硅氧烷)时，可以对第二模具的表面进行紫外uv照射及臭氧处理，降低其表面粘附力。

上述的第一模具的材料可以为对平板状的结构刻蚀形成的，具体平板状的结构的材料可以为硅、石英与玻璃中的至少一种。

上述第一粘结剂和第二粘结剂可以根据实际情况进行选择，二者可以相同，也可以不同，一般采用较强粘性的液体有机物，比如强粘性基团修饰的pdms(聚二甲基硅氧烷)，当然，还可以为其他的粘结材料。

本申请的又一种实施例中，上述形成第一粘结层40位于上述支撑结构20上，包括：提供具有第三凸起71的第三模具70，如图13所示；在上述第三模具70上设置液态的第三粘结剂并固化，形成图14所示的结构，分离后形成具有第四凹槽81的第四模具80，如图15所示，上述第四凹槽81和上述第三凸起71适配；在上述第四模具80上设置液态的第四粘结剂并固化，如图16所示，分离后形成具有第一凸起42的上述第一粘结层40，如图17所示，上述第一凸起42与上述第四凹槽81适配；对上述第一粘结层40的预定表面以及上述支撑结构20的预定表面进行表面活化处理，以降低该表面的粘附力，上述第一粘结层40的预定表面为不具有上述第一凸起42的表面，上述支撑结构20的预定表面为具有上述第一凹槽21的表面；将活化处理后的上述第一粘结层40的预定表面以及上述支撑结构20的预定表面贴合，形成图1至图6所示的转移设备120。

上述活化处理的具体方法可以根据具体待活化的表面的材料来确定，对于包括pdms(聚二甲基硅氧烷)时，可以进行紫外uv照射及臭氧处理，降低其表面粘附力。

上述的第三模具和第四模块的材料可以根据实际情况选择，本申请的一种具体的实施例中，上述第三模具砂纸。另一种实施例中，上述第四模具的材料包括聚二甲基硅氧烷。

当然，本申请中的支撑结构和具有第一凸起的第一粘结层并不限于上述的形成方式，二者还可以通过光刻以及刻蚀等半导体工艺形成，此处就不再赘述具体的过程了。

本申请的另一种实施例中，上述转移设备120的制作方法还包括：将支撑结构20设置在基底10上，形成图18所示的结构，当然实际的应用过程中，可以在将热量释放层30设置在第一凹槽21后，将设置有热量释放层30的支撑结构20设置在基底10上，如图19所示。

本申请的再一种实施例中，还提供了一种微元件的转移方法，上述转移方法包括：将微元件源结构90中的微元件92转移至暂态基板100上，形成图22所示的结构，其中，如图22所示，上述微元件源结构90包括生长基板91和位于上述生长基板91上的微元件92；将位于上述暂态基板100上的上述微元件92转移至任意一种上述的转移设备120中的第一粘结层40的裸露表面上，且使得上述微元件92的表面与上述第一粘结层40的盖设上述第一凹槽21的部分表面接触，如图24所示；将粘附有上述微元件92的上述转移设备120与预定结构130贴合，如图25所示，且使得上述微元件92与上述预定结构130接触；对上述转移设备120的至少部分加热，使得至少部分上述第一粘结层40向上述微元件92一侧突出，如图26所示，将至少一个上述微元件92转移至上述预定结构130上，如图27所示。

上述的转移方法由于采用上述的转移设备，只需要通过加热就可以将微元件从转移设备转移至预定结构上，使得这一过程较为简单，效率较高，进而使得该转移方法的转移效率较高，转移方法较简单。

具体的一种实施例中，将微元件源结构90中的微元件92转移至暂态基板100上，包括：提供图20所示的微元件源结构90；将上述微元件源结构90与暂态基板100贴合，形成图21所示的结构，一种具体的实施例中，通过第二粘结层110将暂态基板100和微元件源结构90贴合；之后，去除生长基板91，得到如图22所示的结构。

具体去除生长基板91的方式可以根据生长基板91的材料进行选择，对于蓝宝石生长基板91来说，可以采用激光剥离技术(laserliftoff，简称llo)来进行剥离。

当然，本申请的生长基板并不限于上述的蓝宝石生长基板，其还可以为gan生长基板或gaas生长基板等。对于不同的微元件来说，对应的生长基板可能不同，本领域技术人员可以根据实际的微元件等来选择对应的生长基板。

本申请的另一种实施例中，将位于上述暂态基板100上的上述微元件92转移至上述的转移设备120中的第一粘结层40的裸露表面上，包括：将设置有微元件92的暂态基板100和转移设备120贴合，形成图23所示的结构，具体可以采用压力贴合的方式，压力作用下，转移设备120中的第一粘结层40的第一凸起42将会被压平，这样可以提高第一粘结层40的粘附力；对第二粘结层110解粘(选择性解粘或全部解粘)，形成图24所示的结构。

需要说明的是本申请的上述加热可以采用任何可行的方式，可以为激光照射的方式，另外，对转移设备加热可以是局部加热，也可以是整体加热，具体的加热方式可以根据实际转移的微元件的位置确定。

本申请中的微元件可以为现有技术中任何需要转移的微小元件，本领域技术人员可以根据实际情况将上述的转移装置以及转移方法应用在可行的微元件的转移过程中。

本申请的一种具体的实施例中，上述微元件包括led芯片、oled芯片、microled芯片与miniled芯片中的至少一种。

实际应用时，微元件不同对一个的预定结构可能不同，对于led芯片来说，对应的预定结构可以包括背板。将led芯片转移至背板对应位置：若无需选择性转移led芯片，在对转移设备进行整体加热，加热时转移设备空穴中气体将发生膨胀，使得表面膜层形成扩张突起，使得表面与led芯片的粘附力下降，从而释放led芯片；若需要选择性转移led芯片，则采用激光照射对应的led芯片位置的空穴，空穴内部金属层等热量释放层吸收激光能量，产生热量，使得空气膨胀，从而释放led芯片。

实际的转移过程中，通过控制暂态基板与转移设备的温度差，控制转移设备表面对微元件的粘附力大于暂态基板的，保证微元件可以有效转移。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。