技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域及第二区域，所述第一区域的所述衬底上具有分立的第一鳍部，所述第二区域的所述衬底上具有分立的第二鳍部；在所述第一鳍部顶部及侧壁、所述第二鳍部顶部及侧壁以及所述衬底上形成衬垫氧化层；形成所述衬垫氧化层后，形成若干分立排列且横跨所述第一鳍部的第一栅极，形成若干分立排列且横跨所述第二鳍部的第二栅极，相邻所述第一栅极的间距小于相邻所述第二栅极的间距；刻蚀所述第一栅极两侧的所述第一鳍部形成第一凹槽，刻蚀所述第二栅极两侧的所述第二鳍部形成第二凹槽，所述第一凹槽沿所述第一鳍部延伸方向的宽度小于所述第二凹槽沿所述第二鳍部延伸方向的宽度；形成覆盖所述第一栅极侧壁、所述第一栅极两侧的所述第一凹槽侧壁、所述第二栅极侧壁及所述第二栅极两侧的所述第二凹槽侧壁的牺牲层，所述牺牲层还覆盖所述第一区域的衬底上的所述衬垫氧化层顶部，所述牺牲层露出位于所述第二凹槽底部的第二鳍部的垂直于所述第二栅极延伸方向的侧壁上的所述衬垫氧化层；刻蚀所述牺牲层露出的所述衬垫氧化层，露出位于所述第二凹槽底部的所述第二鳍部侧壁；去除所述牺牲层；在同一工艺步骤中，采用外延生长工艺在所述第一凹槽内形成第一源漏掺杂层，采用外延生长工艺在所述第二凹槽内形成第二源漏掺杂层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：形成覆盖所述第一栅极顶部与侧壁、所述第一栅极两侧的所述第一凹槽侧壁与底部、所述第二栅极顶部与侧壁及所述第二栅极两侧的所述第二凹槽侧壁与底部的牺牲膜，所述牺牲膜还覆盖位于所述第一区域及所述第二区域的衬底上的所述衬垫氧化层顶部；刻蚀所述牺牲膜，去除所述第二凹槽底部、所述第一栅极顶部及所述第二栅极顶部的所述牺牲膜，并去除沿所述第二栅极延伸方向位于所述第二凹槽底部的第二鳍部两侧的所述牺牲膜，露出位于所述第二凹槽底部的第二鳍部的垂直于所述第二栅极延伸方向的侧壁上的所述衬垫氧化层，形成所述牺牲层。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲膜的步骤中，所述牺牲膜填充满所述第一凹槽以及相邻所述第一栅极侧壁间的间隙。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述牺牲膜。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述牺牲层露出的所述衬垫氧化层的步骤中，所述衬垫氧化层的刻蚀厚度为3nm～20nm。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅极及所述第二栅极的步骤中，还包括：在所述第一栅极顶部形成第一硬掩膜层，在所述第二栅极顶部形成第二硬掩膜层。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅极及所述
第二栅极后，且在形成所述第一凹槽及所述第二凹槽前，还包括：形成覆盖所述第一栅极侧壁及所述第一硬掩膜层侧壁的第一侧墙，形成覆盖所述第二栅极侧壁及所述第二硬掩膜层侧壁的第二侧墙。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽及所述第二凹槽的步骤中，相邻所述第一栅极间形成一个所述第一凹槽，相邻所述第二栅极间形成一个所述第二凹槽。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬垫氧化层的材料为氧化硅。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。
技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：形成横跨第一鳍部的第一栅极及横跨第二鳍部的第二栅极；刻蚀第一栅极两侧的第一鳍部形成第一凹槽，刻蚀第二栅极两侧的第二鳍部形成第二凹槽，第一凹槽宽度小于第二凹槽宽度；形成覆盖第一栅极侧壁、第一凹槽侧壁、第二栅极侧壁、第二凹槽侧壁的牺牲层，牺牲层还覆盖第一区域衬底上的衬垫氧化层，牺牲层露出位于第二凹槽底部的第二鳍部侧壁上的衬垫氧化层；刻蚀牺牲层露出的衬垫氧化层，露出位于第二凹槽底部的第二鳍部侧壁；去除牺牲层；在同一工艺步骤中，采用外延生长工艺在第一凹槽内形成第一源漏掺杂层，在第二凹槽内形成第二源漏掺杂层。所述形成方法有助于增加第二源漏掺杂层的生长体积，简化工艺流程。简化工艺流程。简化工艺流程。
技术研发人员：王楠
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.11.20
技术公布日：2022/5/20