技术特征：
1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管包括至少两个独立的有源区，至少两个淬灭电路，至少两个复位电路以及公共的脉冲输出电路，其中每个淬灭电路以及每个复位电路连接到每个独立的有源区之一；公共脉冲输出电路其连接到所述雪崩光电二级管。2.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管包含第一导电类型衬底的基板，与所述衬底具有相同导电材料的保护环结构，所述保护环范围内包含与第一电极相连接的第一导电类型的第一掺杂区，所述保护环的外部范围包含与第二电极相连接的有源区，所述有源区包含第一类型掺杂与第二类型掺杂形成的pn结结构；所述有源区包含隔离结构，所述隔离结构将所述有源区分割为不少于两个的独立有源区。3.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管包含第一导电类型衬底的基板，与所述衬底具有相同导电材料的保护环结构，所述保护环的外部范围内包含与第一电极相连接的第一导电类型的第一掺杂区，所述保护环的范围包含与第二电极相连接的有源区，所述有源区包含第一类型掺杂与第二类型掺杂形成的pn结结构；所述有源区包含隔离结构，所述隔离结构将所述有源区分割为不少于两个的独立有源区。4.如权利要求2或3所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述不少于两个独立的有源区连接至相同的脉冲输出电路。5.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一电极电压小于所述第二电极的电压，且所述第二电极在至少部分时间段内大于所述雪崩二极管的阈值电压。6.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一电极电压为负电压，且其绝对值大于所述第二电极的电压。7.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述淬灭电路为被动淬灭。8.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述淬灭电路为主动淬灭。9.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述保护环的最小宽度大于预设宽度。10.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一类型的掺杂材料为p型掺杂材料，所述第二类型的掺杂材料为n型掺杂材料。
技术总结
本发明公开了一种雪崩光电二极管，包括：至少两个独立的有源区，至少两个淬灭电路，至少两个复位电路以及公共的脉冲输出电路，其中每个淬灭电路以及每个复位电路连接到每个独立的有源区之一；公共脉冲输出电路其连接到所述雪崩光电二级管，通过本发明的结构，有利于在与现有技术相同的宽度尺寸量级前提下明显地提升有源区的面积占比，最有化的实现了更高的探测概率，保证探测结果的准确性。保证探测结果的准确性。保证探测结果的准确性。
技术研发人员：雷述宇
受保护的技术使用者：宁波飞芯电子科技有限公司
技术研发日：2020.11.27
技术公布日：2022/5/31