技术特征：
1.一种led芯片，其特征在于，所述led芯片包括：衬底；位于所述衬底一侧的缓冲层；位于所述缓冲层一侧的发光层，其中，所述发光层包括n型层；位于所述发光层一侧的反射镜层，所述反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；位于所述反射镜层一侧的p型电极以及与所述n型层连接的n型电极，所述p型电极与所述n型电极间隔设置。2.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述钯层的厚度为1～5nm。3.如权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述钯层的厚度为1nm。4.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述氧化镍层的厚度为1～5nm。5.如权利要求4所述的led芯片，其特征在于，所述氧化镍层的厚度为2nm。6.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于，制作所述反射层的材料包括铝或银，制作所述保护层的材料包括镍、铬或钛。7.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述发光层还包括量子阱层、p型层以及p型接触层，所述缓冲层、所述n型层、所述量子阱层、所述p型层以及、所述p型接触层以及所述反射镜层逐层连接。8.一种led芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；沿所述衬底的一侧生长缓冲层；沿所述缓冲层的一侧生长发光层；其中，所述发光层包括n型层；沿所述发光层的一侧制作反射镜层，其中，所述反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；沿所述反射镜层的一侧制作p型电极，并制作与所述n型层连接的n型电极，其中，所述p型电极与所述n型电极间隔设置。9.如权利要求8所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述发光层的一侧包括反射区，所述沿所述发光层的一侧制作反射镜层的步骤包括：沿所述反射层的位置生长钯层；沿所述钯层的一侧生长镍层，并在氧气环境下进行退火，以在所述钯层的一侧制作氧化镍层；沿所述氧化镍层的一侧生长反射层；沿所述反射层的一侧生长保护层。10.如权利要求9所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述钯层的厚度为1～5nm，所述氧化镍层的厚度为1～5nm。