发光装置的制作方法

1.本技术是有关于一种发光装置，特别是有关于发光装置的接合垫的结构设计。


背景技术：

2.包含显示面板在内的电子产品，例如平板电脑、笔记本电脑、智能手机、显示器及电视，已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这种便携式电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的品质、功能或价格抱有很高的期望。
3.电子产品(例如，显示面板)中的发光装置通常会借由接触垫、接合垫或其它导电元件与基板接合或电性连接，然而，由于基板与发光装置之间的热膨胀系数(coefficient ofthermal expansion，cte)存在差异，当温度变化时基板与发光装置的接合处容易受到应力影响，产生裂痕或剥离等情况。
4.承前述，现存具有发光装置的电子产品仍未在各个方面符合需求，因此，进一步改善发光装置的可靠度的结构设计仍为目前业界致力研究的课题之一。


技术实现要素：

5.根据本技术一些实施例，提供一种发光装置，包含基板、接合垫、焊垫以及发光单元，接合垫设置于基板上，焊垫设置在接合垫上，发光单元通过焊垫与接合垫电性连接，且焊垫包含多个分离的导电元件。
附图说明
6.为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
7.图1a显示根据本技术一些实施例中，发光装置的剖面结构示意图；
8.图1b显示根据本技术一些实施例中，发光装置的上视结构示意图；
9.图2显示根据本技术一些实施例中，发光装置的部分元件的上视结构示意图；
10.图3显示根据本技术一些实施例中，发光装置的部分元件的上视结构示意图；
11.图4显示根据本技术一些实施例中，发光装置的部分元件的上视结构示意图；
12.图5显示根据本技术一些实施例中，发光装置的部分元件的上视结构示意图；
13.图6显示根据本技术一些实施例中，发光装置的部分元件的上视结构示意图；
14.图7a显示根据本技术一些实施例中，发光装置的剖面结构示意图；
15.图7b显示根据本技术一些实施例中，发光装置的上视结构示意图。
16.图中元件标号说明：
17.10、20：发光装置
18.100：基板
19.102：第一绝缘层
20.104：第二绝缘层
21.200：接合垫
22.200e、200ea、200eb、200ec：导电元件
23.202：第三绝缘层
24.202e：边缘
25.202p：开口
26.302：焊垫
27.304：焊接材料
28.400：发光单元
29.402：导线架
30.402t：顶表面
31.403：发光区
32.404a：第一电极层
33.404b：第二电极层
34.500：保护材料
35.500t：顶表面
36.ct：中心
37.l：长度
38.op：孔隙
39.t：厚度
40.w：宽度
具体实施方式
41.以下针对本技术实施例的发光装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用以实施本技术一些实施例的不同态样。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本技术一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本技术的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本技术。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本技术一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
42.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本技术，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本技术中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本技术的范围。
43.应理解的是，附图的元件或装置可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如“较低”或“底部”或“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。本技术实施例可配合附图一并理解，本技术的附图亦被视为申请说明的一部分。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形，或者，其间亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
44.本技术通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
的意。因此，当本技术的描述中使用术语“包括”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
45.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本技术。在附图中，各附图绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
46.当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其它构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
47.此外，应理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组件、或部分，这些元件、组件或部分不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组件、区域、层或部分可在不偏离本技术的教导的情况下被称为一第二元件、组件、区域、层或部分。
48.于文中，“约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内，或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“实质上”的含义。此外，用语“范围介于第一数值及第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
49.应理解的是，以下所举实施例可以在不脱离本技术的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其它实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
50.再者，于本技术实施例中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
51.除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本领域技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本技术的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本技术实施例有特别定义。
52.根据本技术一些实施例，提供一种发光装置，包含发光单元、连接发光单元以及基
板的接合垫以及焊垫，焊垫具有多个分离的导电元件，多个分离的导电元件可分散焊垫与基板接触位置的应力，降低应力过度集中于焊垫边缘的情形，进而可减少基板破裂或发光单元从基板上剥离的风险。
53.请参照图1a以及图1b，图1a显示根据本技术一些实施例中，发光装置10的剖面结构示意图，图1b显示根据本技术一些实施例中，发光装置10的上视结构示意图。应理解的是，为了清楚说明，图1a以及图1b中省略发光装置10的部分元件，仅示意地绘示部分元件。根据一些实施例，可添加额外特征于以下所述的发光装置10。根据另一些实施例，以下所述发光装置10的部分特征可以被取代或省略。
54.根据一些实施例，发光装置10可包含基板100、接合垫200、发光单元400以及焊垫302，接合垫200可设置于基板100上并且位于基板100与发光单元400之间，焊垫302设置于接合垫200上且发光单元400可通过焊垫302与接合垫200电性连接。
55.根据一些实施例，基板100可作为驱动基板，基板100上可具有驱动电路(图未示)，驱动电路可包含有源式驱动电路及/或无源式驱动电路。根据一些实施例，驱动电路可包含薄膜晶体管(thin-film transistor，tft)(例如，开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其它薄膜晶体管)、数据线、扫描线、导电垫、介电层或其它线路等，但不限于此。举例而言，开关晶体管可用以控制发光单元400的开关。此外，薄膜晶体管可为上栅极(top gate)薄膜晶体管、下栅极(bottom gate)薄膜晶体管、或双栅极(dual gate或double gate)薄膜晶体管。根据一些实施例，薄膜晶体管包含至少一个半导体层，所述半导体层包含但不限于非晶硅(amorphous silicon)、金属氧化物、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。非晶硅(amorphous silicon)例如为低温多晶硅(low-temp polysilicon，ltps)。金属氧化物可包含铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)、氧化铟锌(indium zinc oxide，izo)、铟镓锌锡氧化物(indium gallium zinc tin oxide，igzto)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，不同的薄膜晶体管可具有前述不同的半导体材料。根据一些实施例，驱动电路可借由外部的集成电路(integrated circuit，ic)或微芯片(microchip)等对发光单元400进行控制，但不限于此。
56.根据一些实施例，基板100可包含刚性基板或可挠式基板。根据一些实施例，基板100的材料可包含玻璃、半导体材料、石英、蓝宝石(sapphire)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、其它合适的材料或前述材料的组合，但不限于此。根据一些实施例，半导体材料可包含硅(si)、锗(ge)、其它合适的半导体材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，基板100的材料可包含低温多晶硅(low-temp polysilicon，ltps)、金属氧化物、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。
57.如图1a以及图1b所示，于基板100的法线方向(例如，图中的z方向)上，接合垫200与发光单元100重叠。根据一些实施例，接合垫200可与前述基板100上的驱动电路(图未示)电性连接，接合垫200与发光单元400通过焊垫302电性连接，将驱动电路的信号传递至发光单元400。
58.根据一些实施例，接合垫200的材料包含导电材料，例如金属材料，但不限于此。例如，金属材料可包含铜(cu)、铝(al)、铟(in)、钌(ru)、锡(sn)、金(au)、铂(pt)、锌(zn)、银(ag)、钛(ti)、铅(pb)、镍(ni)、铬(cr)、镁(mg)、钯(pd)、铜合金、铝合金、铟合金、钌合金、锡
合金、金合金、铂合金、锌合金、银合金、钛合金、铅合金、镍合金、铬合金、镁合金、钯合金、其它合适的导电材料或前述的组合，但不限于此。
59.再者，根据一些实施例，发光单元400可包含发光二极管(light-emitting diode，led)，发光二极管例如可包含有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot，例如可为qled或qdled)、其它合适的发光二极管或前述的任意排列组合，但不以此为限。
60.具体而言，根据一些实施例，发光单元400可包含发光区403(如图1b所示)、第一电极层404a以及第二电极层404b。根据一些实施例，发光区403可设置于导线架(leadframe)402中，导线架402与第一电极层404a以及第二电极层404b电性连接。根据一些实施例，于上视视角中，一部分的第一电极层404a以及一部分的第二电极层404b突出于导线架402的外缘。
61.根据一些实施例，发光区403例如可包含第一半导体层(图未示)、第二半导体层(图未示)、及设置于第一半导体层与第二半导体层之间的量子阱层(图未示)，但本技术不以此为限。再者，第一半导体层以及第二半导体层可由具有p型以及n型导电类型的掺质的三五族化合物(例如，具有p型以及n型导电类型的氮化镓)所形成。此外，量子阱层可包含单量子阱(single quantum well，sqw)或多重量子阱(multiple quantum well，mqw)。根据一些实施例，iii-v族化合物可包含氮化镓(gan)、氮化铟(inn)、氮化铝(aln)、氮化铟镓(ingan)、氮化铝镓(algan)、氮化铝镓铟(algainn)、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，量子阱层可包含氮化铟镓、氮化镓、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。
62.根据一些实施例，第一电极层404a以及第二电极层404b可为发光单元400的阳极电极以及阴极电极。根据一些实施例，接合垫200可与发光单元400的第一电极层404a以及第二电极层404b电性连接。再者，如图1a以及图1b所示，根据一些实施例，第一电极层404a以及第二电极层404b的尺寸不同，例如，第二电极层404b的尺寸可大于第一电极层404a的尺寸，提升发光单元400的散热效果。
63.此外，根据一些实施例，发光装置10可进一步包含第一绝缘层102、第二绝缘层104以及第三绝缘层202，第二绝缘层104设置于第一绝缘层102上，接合垫200以及第三绝缘层202设置于第二绝缘层104上。根据一些实施例，一部分的第一绝缘层102以及一部分的第二绝缘层104设置于基板100与接合垫200之间，一部分的第三绝缘层202覆盖于接合垫200上，一部分的第三绝缘层202与第二绝缘层104直接接触。
64.根据一些实施例，第一绝缘层102、第二绝缘层104以及第三绝缘层202的材料可包含绝缘材料，例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它适合的绝缘材料、或前述的组合，但不限于此。
65.此外，根据一些实施例，发光装置10可进一步包含焊接材料304，焊接材料304可设置于发光元件400与接合垫200之间，详细而言，焊接材料304可设置于电极层(例如，第一电极层404a与第二电极层404b)与焊垫302之间，焊接材料304可用于接合发光元件400与接合垫200，详细而言，焊接材料304可用于接合电极层(例如，第一电极层404a或第二电极层404b)与焊垫302。根据一些实施例，焊接材料304可同时与发光单元400的电极层(例如，第
一电极层404a或第二电极层404b)、以及中间层302接触。如图1b所示，根据一些实施例，于上视视角中，一部分的焊接材料304突出于第一电极层404a以及第二电极层404b的外缘。
66.根据一些实施例，焊垫302的材料可包含镍(ni)、镍合金、铜合金、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，焊接材料304可包含锡(sn)、铝(al)锡合金、铝合金、其它合适的焊接材料、或前述的组合，但不限于此。
67.根据本技术一些实施例，焊垫302可包含多个分离的导电元件200e(例如，如图2至图6所示)。详细而言，如图1a以及图1b所示，设置于接合垫200上的第三绝缘层202可经图案化而具有多个开口202p，于上视视角中，多个分离的导电元件200e的形状是由第三绝缘层202的多个开口202p所定义。再者，根据一些实施例，焊垫302设置于第三绝缘层202的多个开口202p中。根据一些实施例，第三绝缘层202可作为发光装置10的像素定义层(pixel definition layer，pdl)。
68.再者，根据一些实施例，一部分的第三绝缘层202可延伸于接合垫200与焊垫302之间。详细而言，根据一些实施例，焊垫302具有多个彼此分离的部分，而这些分离的部分可分别与被多个开口202p暴露出的接合垫200接触。根据一些实施例，于基板100的法线方向(例如，图中的z方向)上，焊垫302的多个分离的部分可与第三绝缘层202部分地重叠。根据一些实施例，焊接材料304可具有孔隙op，孔隙op可位于焊垫302的多个分离的部分之间，并且位于第三绝缘层202上。
69.此外，根据一些实施例，于上视视角中，距离发光单元400的中心ct较远的第三绝缘层202的边缘202e突出于导线架402、第一电极层404a以及第二电极层404b的外缘，于基板100的法线方向(例如，图中的z方向)上，边缘202e并未与发光单元400重叠。根据一些实施例，发光单元400的中心ct可为发光区403的顶表面的几何中心，举例而言，具有类似矩形形状或正方形形状的发光区403的中心ct可为两个对角线的交点。在一些实施例中，若发光区403为圆形或椭圆形，发光区403的中心ct可以是圆心；若发光区403为不规则形状，无法以上述方法定义中心ct时，则画一可围绕住发光区403的最小圆形，将该最小圆形的圆心定义为发光区403的中心ct，但本技术不以此为限。
70.值得注意的是，根据本技术一些实施例，经图案化的第三绝缘层202可定义出设置于接合垫200上的多个分离的导电元件200e的范围，可分散集中于接合垫200边缘的应力，可减少基板100破裂或发光单元400从基板100上剥离的风险。
71.接着，请参照图2，图2显示根据本技术一些实施例中，发光装置10的部分元件的上视结构示意图，详细而言，图2仅绘示发光装置10中的接合垫200以及焊垫302的上视结构示意图，以清楚说明焊垫302的导电元件200e的排列及形状等态样。此外，应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。
72.承前述，根据一些实施例，第三绝缘层202可经图案化而具有多个开口202p，这些开口202p可定义设置于接合垫200上的导电元件200e的形状、大小及排列方式等。如图2所示，根据一些实施例，多个开口202p中的至少一部分可为矩形。根据一些实施例，矩形的开口202p可具有圆角rc。根据一些实施例，圆角rc的曲率半径可介于3微米(μm)至100微米(μm)之间(即，3μm≤曲率半径≤100μm)。
73.此外，如图2所示，导电元件200e可沿附图中的x方向以及y方向相邻排列，根据一
些实施例，x方向以及y方向之间的夹角大致上为90度。
74.再者，于基板100的法线方向(例如，图中的z方向)上，与第一电极层404a以及第二电极层404b重叠的焊垫302可各自具有长度l以及宽度w。根据一些实施例，焊垫302的长度l的范围可介于0.03毫米(0.03mm)至3毫米(3mm)之间(即，0.03mm≤长度l≤3mm)、或介于0.5毫米至2.5毫米之间、或介于1毫米至1.5毫米之间。根据一些实施例，焊垫302的宽度w的范围介于0.03毫米(0.03mm)至3毫米(3mm)之间(即，0.03mm≤宽度w≤3mm)、或介于0.5毫米至2.5毫米之间、或介于1毫米至1.5毫米之间。
75.根据本技术实施例，前述焊垫302的长度l指的是，于与基板100的法线方向垂直的平面(例如，图中的x-y平面)上的焊垫302的长度。再者，根据本技术实施例，前述焊垫302的宽度w指的是，于与基板100的法线方向垂直的平面(例如，图中的x-y平面)上的焊垫302的宽度。
76.再者，根据本技术实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，om)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，sem)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量各元件的长度、宽度或厚度、或元件之间的距离。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得结构的剖面影像，并测量各元件的长度、宽度或厚度、或元件之间的距离。
77.接着，请参照图3，图3显示根据本技术另一些实施例中，发光装置10的接合垫200以及焊垫302的导电元件200e的上视结构示意图。如图3所示，根据一些实施例，多个开口202p中的至少一部分可为圆形，亦即，焊垫302的导电元件200e可具有圆形形状，但本技术不以此为限。根据不同的实施例，导电元件200e(第三绝缘层202的开口202p)可根据产品需求而具有其它任意合适的形状，例如，椭圆形、三角形、五边形、六边形、或不规则形等，不限于此。
78.接着，请参照图4，图4显示根据本技术另一些实施例中，发光装置10的接合垫200以及焊垫302的导电元件200e的上视结构示意图。如图4所示，根据一些实施例，第三绝缘层202的多个开口202p中的至少两者的尺寸不同，例如，两种、三种、四种或五种，但不限于此。应理解的是，根据不同的实施例，第三绝缘层202可根据产品需求而具有各种不同尺寸的开口202p，本技术不以此为限。在一些实施例中，两元件尺寸不同可以是两元件长度不同、两元件宽度不同或两元件面积不同，但不以此为限。
79.具体而言，根据一些实施例，距离发光单元400的中心ct(如图1b所示)较近的开口202p的尺寸大于距离发光单元400的中心ct较远的另一者的尺寸。亦即，距离发光单元400的中心ct较近的导电元件200e(标示为200ea以清楚说明)的尺寸大于距离发光单元400的中心ct较远的导电元件200e(标示为200eb以清楚说明)的尺寸。再者，根据一些实施例，距离发光单元400的中心ct最远的导电元件200e(标示为200ec以清楚说明)的尺寸小于导电元件200eb以及导电元件200ea的尺寸。
80.值得注意的是，由于应力较容易集中于接合垫200的外缘处(亦即，远离发光单元400的中心ct的位置)，因此，于较远离发光单元400的中心ct的位置，设置尺寸较小或者数量较多的导电元件200e，即可有效地分散集中于接合垫200边缘的应力，降低基板100破裂或发光单元400从基板100上剥离的风险。再者，于较靠近发光单元400的中心ct的位置，保留尺寸相对较大的导电元件200e可增加焊垫302的接触面积提升两者的接合强度，或可改
善发光单元400与基板100之间的电流流通密度，提升电性连接品质。
81.接着，请参照图5以及图6，图5以及图6显示根据本技术另一些实施例中，发光装置10的接合垫200以及焊垫302的导电元件200e的上视结构示意图。如图5以及图6所示，根据一些实施例，发光装置10可具有四个接合垫200。应理解的是，根据不同的发光单元400的形式(例如不同的封装形式)，与发光单元400连接的接合垫200的数量可相应地进行调整。如前述图2至图4的实施例所示，发光装置10可具有两个接合垫200，但本技术不以此为限。再者，在这些实施例中，焊垫302的导电元件200e亦可具有不同的尺寸(如图5所示)，或者具有相同的尺寸(如图6所示)。
82.接着，请参照图7a以及图7b，图7a显示根据另本技术一些实施例中，发光装置20的剖面结构示意图，图7b显示根据本技术一些实施例中，发光装置20的上视结构示意图。应理解的是，为了清楚说明，图7a以及图7b中省略发光装置20的部分元件，仅示意地绘示部分元件。根据一些实施例，可添加额外特征于以下所述的发光装置20。根据另一些实施例，以下所述发光装置20的部分特征可以被取代或省略。
83.如图7a所示，根据一些实施例，发光装置20可进一步包含保护材料500，保护材料500可设置于基板100上，且覆盖发光单元400及接合垫200。详细而言，根据一些实施例，保护材料500可覆盖于发光单元400、焊接材料304以及第三绝缘层202的表面上，保护材料500可以降低环境中的水气或氧气对发光装置20的影响，降低元件产生腐蚀或氧化的风险。
84.如图7a所示，根据一些实施例，保护材料500的顶表面500t可与发光单元400的导线架402的顶表面402t大致上齐平。然而，根据另一些实施例，保护材料500的顶表面500t可低于或高于导线架402的顶表面402t。再者，保护材料500可具有厚度t，根据一些实施例，保护材料500的厚度t可介于50微米(μm)至150微米(μm)之间(即，50μm≤厚度t≤150μm)，或可介于100微米(μm)至150微米(μm)之间(即，100μm≤厚度t≤150μm)，但不限于此。
85.根据本技术实施例，前述保护材料500的厚度t指的是，于与基板100的法线方向(例如，图中的z方向)上，保护材料500的最大厚度。
86.根据一些实施例，保护材料500可包含有机材料、无机材料、其它合适的保护材料或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或其它合适的材料，但不限于此。根据一些实施例，有机材料可包含环氧树脂(epoxy resins)、硅氧树脂、压克力树脂(acrylic resins)(例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，pmma)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚亚酰胺(polyimide)、共聚酯(polyester)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)、四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(polyfluoroalkoxy，pfa))、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。
87.此外，相较于不具有分离的导电元件的焊垫的发光装置，本技术实施例提供的发光装置已经验证具有较佳的结构稳定性。具体而言，请参照表1，比较例1代表不具有分离的导电元件的焊垫的发光装置的结构，实施例1代表具有如图2所示的焊垫态样的发光装置，实施例2代表具有类似图2所示的焊垫态样但导电元件的数目较多的发光装置。
88.热冲击测试(thermal shock test)的条件如下：温度范围为-40℃至85℃，重复温度变化600个循环后，观察发光单元是否有不符合测试(例如，包括暗点、亮点、发光单元从基板剥落或外观损毁)情况产生。计算不符合测试的发光单元数量除以发光单元的总数量
可得到不符合测试的比例。
89.表1
[0090][0091]
根据表1的结果可知，于热冲击测试中，相较于比较例1，具有分离的导电元件的焊垫的实施例1以及实施例2具有较低的不符合测试的比例，且保护材料的设置可进一步降低发光单元的不符合测试的比例。
[0092]
综上所述，根据本技术一些实施例，发光装置的焊垫具有多个分离的导电元件，多个分离的导电元件可分散焊垫与基板接触位置的应力，降低应力过度集中于焊垫边缘的情形，进而可减少基板破裂或发光单元从基板上剥离的风险。
[0093]
虽然本技术的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，本领域技术人员在不脱离本技术的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。本技术实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。此外，本技术的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，本领域技术人员可从本技术揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本技术使用。因此，本技术的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。本技术的保护范围当视所附的权利要求范围所界定者为准。本技术的任一实施例或权利要求不须达成本技术所公开的全部目的、优点、特点。