1.一种配置在被处理基片的周围的边缘环，其特征在于，包括：
环状的第一部件，其在下表面具有凹部，并且由具有耐等离子性的第一材料形成；和
环状的第二部件，其配置在所述凹部，并且由与所述第一材料相比刚性低的第二材料形成。
2.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于：
所述第一材料是碳化硅、碳化钨、氧化镁或氧化钇，
所述第二材料是硅。
3.如权利要求1或2所述的边缘环，其特征在于：
所述第二部件的厚度大于所述凹部的深度。
4.如权利要求1至3中任一项所述的边缘环，其特征在于：
所述第一部件和所述第二部件借助设置在所述凹部的底面与所述第二部件的上表面之间的粘合层接合。
5.如权利要求4所述的边缘环，其特征在于：
所述粘合层包含有机硅类粘合剂。
6.如权利要求4或5所述的边缘环，其特征在于：
所述粘合层还包括导电性填料。
7.如权利要求4至6中任一项所述的边缘环，其特征在于：
所述粘合剂层设置在形成于所述第二部件的所述上表面的凹部。
8.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
提供处理空间的处理容器；
载置台，其设置于所述处理容器内，能够载置被处理基片；和
以包围所述被处理基片的周围的方式配置的边缘环，
所述载置台在俯视时与所述边缘环至少一部分重叠的区域具有静电吸附所述边缘环的电极，
所述边缘环包括：
环状的第一部件，其在下表面具有凹部，并且由具有耐等离子性的第一材料形成；和
配置在所述凹部的环状的第二部件，其由与所述第一材料相比刚性低的第二材料形成，并且具有与所述载置台的上表面接触的下表面。
9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
在所述载置台的所述上表面与所述第二部件的所述下表面之间还具有被供给传热气体的空间。
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：
所述载置台具有将所述传热气体导入所述空间的导入孔，
所述电极是隔着所述导入孔配置的两个电极。
11.如权利要求8至10中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一部件和所述第二部件中仅所述第二部件与所述载置台的上表面接触。