技术总结
本发明公开了一种具有复合尺寸的LED芯片的制备方法、芯片，所述制备方法包括：S1、在衬底上形成外延层；S2、对外延层进行测试，获得外延层的波长分布图，并根据波长分布图将外延层划分成n个波长区域，每个波长区域的外延层的波长不同；S3、制作光刻板，所述光刻板对应设有n个光刻区域，每个光刻区域设有多个通孔；S4、采用所述光刻板来刻蚀外延层，形成不同尺寸的发光结构和切割道；S5、在发光结构上形成电极；S6、沿着切割道切割所述衬底，制得不同尺寸的芯片。本发明根据外延层的波长分布将同一区段波长的外延层制成同一尺寸的芯片，其余不同波长段的外延层制成不同尺寸的芯片，以提高芯片成品良率，出货效率，以及减少不同波段芯片的库存。库存。库存。
技术研发人员：崔永进
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日：2020.12.09
技术公布日：2021/3/2