一种用于调节汽车光耦CTR的方法和光耦与流程

一种用于调节汽车光耦ctr的方法和光耦
技术领域
1.本发明涉及到电子元器件领域，特别是涉及到一种用于调节汽车光耦ctr的方法和光耦。


背景技术：

2.光耦合器(opticalcoupler equipment，英文缩写为ocep)亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管led)与受光器(光敏半导体管，光敏电阻)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”控制。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在汽车电子上获得广泛的应用。
3.在现有技术中，为了得到目标ctr(电流传输比),光耦需要搭配不同的型号的led芯片和光电三极管芯片，这极大地限定了led芯片和光电三极管的使用范围。


技术实现要素：

4.本发明的主要目的为提供一种用于调节汽车光耦ctr的方法，旨在解决提升led芯片和光电三极管的使用范围。
5.本发明提出一种用于调节汽车光耦ctr的方法，包括：
6.判断ctr初始值是否高于预设标准；
7.若是，则获取目标ctr值；
8.根据目标ctr值，调整led芯片和光电三极管的相对位置；
9.根据led芯片和光电三极管的相对位置计算两者在引线框架上的坐标，将led芯片和光电三极管固定在引线框架上，其中，led芯片、光电三极管和引线框架均包含于光耦。
10.本发明还一种光耦，应用上述的用于调节汽车光耦ctr的方法，包括：第一引线框架、第二引线框架、led芯片、光电三极管和键合线材；
11.led芯片位于第一引线框架，光电三极管位于第二引线框架；
12.第一引线框架设置led芯片的一端面，与第二引线框架设置光电三极管的一端面相对设置；
13.led芯片表面设置有硅胶，led芯片通过键合线材与第一引线框架电气连接，光电三极管通过键合线材与第二引线框架电气连接。
14.优选的，第一引线框架包含led芯片贴片区，第二引线框架包含光电三极管贴片区；
15.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
16.led芯片往第一预设方向偏移0.1毫米，光电三极管往第二预设方向偏移0.1毫米，
其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片和光电三极管在垂直方向上的投影位于同一直线上。
17.优选的，第一引线框架包含led芯片贴片区，第二引线框架包含光电三极管贴片区；
18.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
19.led芯片往第一预设方向偏移0.1毫米，光电三极管往第二预设方向偏移0.2毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片和光电三极管在垂直方向上的投影位于同一直线上。
20.优选的，第一引线框架包含led芯片贴片区，第二引线框架包含光电三极管贴片区；
21.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
22.led芯片往第一预设方向偏移0.2毫米，光电三极管往第二预设方向偏移0.2毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片和光电三极管在垂直方向上的投影位于同一直线上。
23.优选的，第一引线框架包含led芯片贴片区，第二引线框架包含光电三极管贴片区；
24.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
25.led芯片往第一预设方向偏移0.2毫米，光电三极管往第二预设方向偏移0.3毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片和光电三极管在垂直方向上的投影位于同一直线上。
26.优选的，第一引线框架包含led芯片贴片区，第二引线框架包含光电三极管贴片区；
27.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
28.led芯片往第一预设方向偏移0.15毫米，光电三极管往第二预设方向偏移0.2毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片和光电三极管在垂直方向上的投影位于同一直线上。
29.本发明的有益效果在于：本申请通过调整led芯片和光电三极管的相对位置，即可将ctr初始值降低到目标值，无需更换其他型号的led芯片和光电三极管，一款型号的led芯片和相应的一款光电三极管，即可实现多个ctr值，从而大幅提高led芯片和光电三极管的应用范围。
附图说明
30.图1为本发明一种用于调节汽车光耦ctr的方法的第一实施例的流程示意图；
31.图2为本发明一种光耦的第一实施例的结构示意图；
32.图3为本发明一种光耦的第二实施例的结构示意图；
33.图4为本发明一种光耦的第三实施例的结构示意图；
34.图5为本发明一种光耦的第四实施例的结构示意图；
35.图6为本发明一种光耦的第五实施例的结构示意图；
36.图7为本发明一种调节光耦ctr方法的ctr的数据图；
37.图8为本发明一种光耦的led芯片与第一引线框架的连接示意图的俯视图；
38.图9为本发明一种光耦的led芯片与第一引线框架的连接示意图的侧视图。
39.标号说明：
40.1、led芯片；2、光电三极管；3、第一引线框架；4、第二引线框架；5、键合线材；6、硅胶。
41.本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
42.应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
43.参照图1和图2，本发明提供一种用于调节汽车光耦ctr的方法，包括：
44.s1：判断ctr初始值是否高于预设标准；
45.s2：若是，则获取目标ctr值；
46.s3：根据目标ctr值，调整led芯片1和光电三极管2的相对位置；
47.s4：根据led芯片1和光电三极管2的相对位置计算两者在引线框架上的坐标，将led芯片1和光电三极管2固定在引线框架上，其中，led芯片1、光电三极管2和引线框架均包含于光耦。
48.在本发明实施例中，传统技术中，为了达到预定的ctr值，需要将led芯片1和光电三极管2中心对准，然后选取相应型号的led芯片1和光电三极管2，最后封装。在本发明实施例中，如图2所示，ctr初始值为led芯片1和光电三极管2中心对准时的ctr值，判断ctr初始值是否高于预设标准，如ctr初始值为100，预设标准和目标ctr值均为90。根据ctr值，调整led芯片1和光电三极管2的相对位置，使得两者传送光路效率产生改变，即ctr值降低，最后根据根据led芯片1和光电三极管2的相对位置计算两者在引线框架上的坐标，将led芯片1和光电三极管2固定在引线框架上，最后封装成光耦元器件。综上，本申请通过调整led芯片1和光电三极管2的相对位置，即可将ctr初始值降低到目标值，无需更换其他型号的led芯片1和光电三极管2，一款型号的led芯片1和相应的一款光电三极管2，即可实现多个ctr值，从而大幅提高led芯片1和光电三极管的应用范围。
49.参照图2、图8和图9，一种光耦，应用于上述的用于调节汽车光耦ctr的方法，包括：第一引线框架3、第二引线框架4、led芯片1、光电三极管2和键合线材5；
50.led芯片1位于第一引线框架3，光电三极管2位于第二引线框架4；
51.第一引线框架3设置led芯片1的一端面，与第二引线框架4设置光电三极管2的一端面相对设置；
52.led芯片1表面设置有硅胶6，led芯片1通过键合线材5与第一引线框架3电气连接，光电三极管2通过键合线材5与第二引线框架4电气连接。
53.在本发明实施例中，光耦包括第一引线框架3、第二引线框架4、led芯片1、光电三极管2和键合线材5，第一引线框架3、第二引线框架4的作用均是实现led芯片1和光电三极
管2内部与外引线的电气连接，led芯片1通过键合线材5与第一引线框架3电气连接，光电三极管2通过键合线材5与第二引线框架4电气连接，led芯片1表面设置有硅胶6，其目的是起到隔离的作用。在本发明实施例中，led芯片1的型号包括hk
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irj08c
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(mp)al，光电三极管2的型号包括pt0408m。参照图2，led芯片1和光电三极管2中心对准，封装后的光耦经测量可知，光耦的ctr值的范围为(279.2，369.5)。
54.参照图3，第一引线框架3包含led芯片贴片区，第二引线框架4包含光电三极管贴片区；
55.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
56.led芯片1往第一预设方向偏移0.1毫米，光电三极管2往第二预设方向偏移0.1毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片1和光电三极管2在垂直方向上的投影位于同一直线上。
57.在本发明实施例中，图中虚线为中心基准线。led芯片1的型号包括hk
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irj08c
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(mp)al，光电三极管2的型号包括pt0408m。led芯片1往左偏移0.1毫米，光电三极管2往右偏移0.1毫米，封装后的光耦经测量可知，光耦的ctr值的范围为(242,342)。
58.参照图4，第一引线框,3包含led芯片贴片区，第二引线框架4包含光电三极管贴片区；
59.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
60.led芯片1往第一预设方向偏移0.1毫米，光电三极管2往第二预设方向偏移0.2毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片1和光电三极管2在垂直方向上的投影位于同一直线上。
61.在本发明实施例中，图中虚线为中心基准线。led芯片1的型号包括hk
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irj08c
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(mp)al，光电三极管2的型号包括pt0408m。led芯片1往左偏移0.1毫米，光电三极管2往右偏移0.2毫米，封装后的光耦经测量可知，光耦的ctr值的范围为(235,333)。
62.参照图5，第一引线框架3包含led芯片贴片区，第二引线框架4包含光电三极管贴片区；
63.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
64.led芯片1往第一预设方向偏移0.2毫米，光电三极管2往第二预设方向偏移0.2毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片1和光电三极管2在垂直方向上的投影位于同一直线上。
65.在本发明实施例中，图中虚线为中心基准线。led芯片1的型号包括hk
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irj08c
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(mp)al，光电三极管2的型号包括pt0408m。led芯片1往左偏移0.2毫米，光电三极管2往右偏移0.2毫米，封装后的光耦经测量可知，光耦的ctr值的范围为(222.3,310)。
66.参照图6，第一引线框架1包含led芯片贴片区，第二引线框架2包含光电三极管贴片区；
67.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
68.led芯片1往第一预设方向偏移0.2毫米，光电三极管2往第二预设方向偏移0.3毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片1和光电三极管2在垂直方向上的投影位于同一直线上。
69.在本发明实施例中，图中虚线为中心基准线。led芯片1的型号包括hk
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irj08c
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(mp)al，光电三极管2的型号包括pt0408m。led芯片1往左偏移0.2毫米，光电三极管2往右偏移0.3毫米，封装后的光耦经测量可知，光耦的ctr值的范围为(214.8,310.6)。
70.参照图7，由此可知，通过调整led芯片1和光电三极管2，调整了ctr的数值。
71.进一步地，第一引线框架3包含led芯片贴片区，第二引线框架4包含光电三极管贴片区；
72.以led芯片贴片区的中心点为第一基点，以光电三极管贴片区为第二基点，第一基点和第二基点正对连接，形成中心基准线；
73.led芯片1往第一预设方向偏移0.15毫米，光电三极管2往第二预设方向偏移0.2毫米，其中，第一预设方向和第二预设方向为相反反向，且led芯片1和光电三极管2在垂直方向上的投影位于同一直线上。
74.在本发明实施例中，led芯片1的型号还包括hk
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irj08c，光电三极管2的型号还包括pt0408h
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m4。ctr初始值为120，其中，ctr初始值为led芯片1和光电三极管2中心对准时的ctr数值。此时，ctr初始值偏高，数值需要下调14.29％。将led芯片1向左偏移0.15毫米，光电三极管2向右偏移0.2毫米，降低了led芯片1与光电三极管2间的光电传输效率，达到ctr目标值。
75.在本发明其它实施例中，led芯片1的型号还包括hk
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irj08x，光电三极管2的型号还包括pt0408i
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m4。ctr初始值为300，其中，ctr初始值为led芯片1和光电三极管2中心对准时的ctr数值。此时，ctr初始值偏高，数值需要下调9.09％。将led芯片1向左偏移0.1毫米，光电三极管2向右偏移0.1毫米，降低了led芯片1与光电三极管2间的光电传输效率，达到ctr目标值。
76.以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。