1.一种窄线宽垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：光栅微腔和垂直腔面发射激光器，所述光栅微腔生长在所述垂直腔面发射激光器的谐振腔之上，且，所述光栅微腔和所述谐振腔相互耦合。
2.根据权利要求1所述的窄线宽垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅微腔为厚度可调的光栅。
3.根据权利要求1所述的窄线宽垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述谐振腔的厚度可调。
4.根据权利要求1所述的窄线宽垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅微腔的周期可调。
5.根据权利要求1所述的窄线宽垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅微腔由上至下依次包括光栅基底层、光栅间隔层和光栅层。
6.根据权利要求5所述的窄线宽垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅间隔层的厚度可调。
7.一种如权利要求1至6任一所述的窄线宽垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：
对垂直腔面发射激光器的上dbr和氧化限制层进行光刻和刻蚀，获取台面；
对所述台面进行氧化，所述氧化限制层由外向内变为绝缘的物质，通过控制氧化深度，在所述台面的中心处留下未被氧化、且导通的氧化层；
在上dbr的表面生长一层sio2，并通过光刻和刻蚀，刻蚀掉中心一部分sio2；
在上dbr的表面生长一层ti/au，并通过光刻和刻蚀，刻蚀掉中心一部分；
在衬底背面生长一层augeni/au；
在上dbr的表面生长sio2、hfo2和mgf，分别作为所述光栅基底层、所述光栅间隔层和所述光栅层。
8.根据权利要求7所述的窄线宽垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，还包括：利用电子束曝光结合刻蚀工艺，对所述光栅层进行刻蚀。
9.根据权利要求7所述的窄线宽垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器通过如下方式获得：
在gaas衬底上进行外延生长，从下向上依次生长第一数值对al0.2ga0.8as/al0.9ga0.1as，作为下dbr；
从下向上依次生长第二数值对al0.28ga0.72as/al0.12in0.18ga0.7as，作为有源区；
生长al0.5ga0.5as作为间隔层；
生长al0.98ga0.02as作为氧化限制层；
生长第三数值对al0.2ga0.8as/al0.9ga0.1as，作为所述上dbr。