裸片拾取方法及装置与流程

本申请涉及半导体封装领域，更具体地，涉及一种裸片拾取方法及装置。

背景技术：

裸片贴装(dieattach，da)是芯片封装生产中的一个非常重要的过程。而超薄裸片(厚度小于50微米)的贴装更具有挑战性。然而裸片厚度减薄对于裸片堆叠设计是非常必要的，特别是对于内存行业。

在裸片封装过程中，一般在大致圆板形状的晶圆的表面形成格子状的分割预定线，将晶圆划分为多个裸片区域。通过将各区域沿分割预定线进行划片来形成独立的裸片。而在晶圆划片之前，需要在晶圆的背面粘接一层划片膜。划片膜能够通过粘接将待划片的晶圆固定住，以保持裸片在划片过程中的完整性，并减少划片过程中所产生的蹦碎。划片膜还能够保持裸片在传送过程中的正常移动，并防止掉落情况。

位于划片膜上的裸片需要通过裸片贴装(da)工艺安装到封装载带上，而裸片贴装工艺中，从划片膜上拾取裸片是一个重要的步骤。具体地，需要通过真空吸嘴吸附裸片的远离划片膜的表面，使裸片的相对的另一表面与划片膜逐渐剥离。但在剥离过程中裸片容易出片裂片问题，从而难以实现划片膜与裸片的顺利分离。

技术实现要素：

本申请提供了一种可至少部分解决现有技术中存在的上述问题的裸片拾取方法及装置。

本申请一方面提供了一种裸片拾取方法，该方法包括：在划片膜的相对于第一侧面的第二侧面，向第一侧面的方向施加用于同步推动划片膜的粘接区的多个推动力，以将粘接区内的裸片推顶至第一位置；从第一侧面向位于第一位置的裸片施加远离划片膜的吸附力；去除多个推动力中的至少一部分推动力，以使裸片与划片膜剥离。其中，裸片粘接在划片膜的第一侧面上的粘接区内。

可选地，去除多个推动力中的至少一部分推动力的步骤包括：按照从粘接区的外周至中心的次序去除施加到粘接区的推动力。

可选地，向第一侧面的方向施加用于同步推动划片膜的粘接区的多个推动力的步骤包括：利用推动机构的从外周至中心排布的多个推动块同步推动粘接区。

可选地，去除多个推动力中的至少一部分推动力的步骤包括：按照从外周至中心的次序依次退回多个推动块，以按照从粘接区的外周至中心的次序去除施加到粘接区的推动力。

可选地，该裸片拾取方法还包括：使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：在去除多个推动力中的至少一部分推动力时，向粘接区喷射气体。

可选地，裸片包括被施加有吸附力的第一表面和相对于第一表面的第二表面；以及向粘接区喷射气体的步骤包括：沿裸片的第二表面喷射气体。

可选地，向粘接区喷射气体的步骤包括：在喷射气体之前，对气体进行去离子处理。

可选地，向粘接区喷射气体的步骤包括：利用管口为喷气槽的气流导管喷射气体，其中，管口的宽度与裸片的宽度相等。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：利用与第一侧面密闭配合并容纳裸片的气压室，通过增加气压室的气压使得粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：在去除施加到粘接区的至少一部分的推动力时，增加气压室内的气压。

可选地，粘接区处的气压的值与划片膜的第二侧面处的气压的值之比在1至1.2之间。

本申请还提供了一种裸片拾取方法，该方法包括：在划片膜的相对于第一侧面的第二侧面，向第一侧面的方向施加用于推动划片膜的粘接区的推动力，以将粘接区内的裸片推顶至第一位置；从第一侧面向位于第一位置的裸片施加远离划片膜的吸附力；以及去除施加到粘接区的推动力，并使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压，以使裸片与划片膜剥离。其中，裸片粘接在划片膜的第一侧面上的粘接区内。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：在去除施加到粘接区的推动力时，向粘接区喷射气体。

可选地，裸片包括被施加有吸附力的第一表面和相对于第一表面的第二表面；以及向粘接区喷射气体的步骤包括：沿裸片的第二表面喷射气体。

可选地，向粘接区喷射气体的步骤包括：在喷射气体之前，对气体进行去离子处理。

可选地，向粘接区喷射气体的步骤包括：利用管口为喷气槽的气流导管喷射气体，其中，管口的宽度与裸片的宽度相等。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：利用与第一侧面密闭配合并容纳裸片的气压室，通过增加气压室的气压使得粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：在去除施加到划片膜的推动力时，增加气压室内的气压。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：粘接区处的气压的值与划片膜的第二侧面处的气压的值之比在1至1.2之间。

本申请另一方面提供了一裸片拾取装置，该装置包括：支撑台，用于支撑划片膜，划片膜的第一侧面上的粘接区内粘接有裸片；推动机构，位于支撑台的内部，包括从外周至中心排布的多个推动块，多个推动块被配置为从划片膜的第二侧面向第一侧面的方向同步推动划片膜的粘接区，以将粘接区内的裸片推顶至第一位置，其中第二侧面与第一侧面相对；以及拾取机构，位于推动机构的上方，被配置为吸附由推动机构推顶至第一位置的裸片；其中，多个推动块还被配置为在拾取机构吸附裸片后退回，以使裸片与划片膜剥离。

可选地，多个推动块被配置为按照从外周至中心的次序依次退回。

可选地，该装置还包括：调压机构，位于支撑台的上方，被配置为使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压。

可选地，调压机构包括气流导管，设置在拾取机构的至少一侧，被配置为在多个推动推动块退回时，向粘接区喷射气体。

可选地，气流导管被配置为沿裸片的第二表面喷射气体，第二表面与拾取机构吸附的第一表面相对。

可选地，气流导管的管口包括喷气槽，其中，喷气槽的宽度与裸片的宽度相等。

可选地，调压机构还包括去离子装置，用于对气体进行去离子处理。

可选地，调压机构包括气压室，气压室与划片膜的第一侧面密闭配合并容纳裸片。

可选地，气压室被配置为在多个推动块退回时，增加气压室的气压。

可选地，调压机构被配置为使粘接区处的气压的值与划片膜的第二侧面处的气压的值之比在1至1.2之间。

本申请提供的裸片拾取方法及装置，采用同步推动的方法，可以提供作用于裸片整体的支撑力。能够降低由于划片膜的拉伸力导致的裸片在剥离过程中破裂的风险。采用气压辅助的方法，可以为划片膜提供沿着剥离方向的压力，可以有助于裸片从划片膜上剥离。此外，还有利于增强对裸片的吸附作用，从而降低裸片的变形和裂片风险。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为根据本申请第一实施例的裸片拾取装置的结构示意图；

图2为根据本申请的示例性实施例的裸片的俯视图；；

图3为根据本申请第一实施例的裸片处于第一位置时的裸片拾取装置的结构示意图；

图4为根据本申请第一实施例的推动机构退回时的裸片拾取装置的结构示意图；

图5为根据本申请第二实施例的推动机构退回时的裸片拾取装置的结构示意图；

图6为根据本申请第三实施例的推动机构退回时的裸片拾取装置的结构示意图；

图7为根据本申请一个实施例的裸片拾取方法流程图；以及

图8为根据本申请另一个实施例的裸片拾取方法流程图。

具体实施方式

为了更好地理解本申请，将参考附图对本申请的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本申请的示例性实施方式的描述，而非以任何方式限制本申请的范围。在说明书全文中，相同的附图标号指代相同的元件。表述“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。

应注意，在本说明书中，第一、第二、第三等的表述仅用于将一个特征与另一个特征区分开来，而不表示对特征的任何限制，尤其不表示任何的先后顺序。因此，在不背离本申请的教导的情况下，本申请中讨论的第一侧也可被称作第二侧，第一窗口也可称为第二窗口，反之亦然。

在附图中，为了便于说明，已稍微调整了部件的厚度、尺寸和形状。附图仅为示例而并非严格按比例绘制。如在本文中使用的，用语“大致”、“大约”以及类似的用语用作表近似的用语，而不用作表程度的用语，并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的、测量值或计算值中的固有偏差。

还应理解的是，诸如“包括”、“包括有”、“具有”、“包含”和/或“包含有”等表述在本说明书中是开放性而非封闭性的表述，其表示存在所陈述的特征、元件和/或部件，但不排除一个或多个其它特征、元件、部件和/或它们的组合的存在。此外，当诸如“...中的至少一个”的表述出现在所列特征的列表之后时，其修饰整列特征，而非仅仅修饰列表中的单独元件。此外，当描述本申请的实施方式时，使用“可”表示“本申请的一个或多个实施方式”。并且，用语“示例性的”旨在指代示例或举例说明。

除非另外限定，否则本文中使用的所有措辞(包括工程术语和科技术语)均具有与本申请所属领域普通技术人员的通常理解相同的含义。还应理解的是，除非本申请中有明确的说明，否则在常用词典中定义的词语应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的意义解释。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。另外，除非明确限定或与上下文相矛盾，否则本申请所记载的方法中包含的具体步骤不必限于所记载的顺序，而可以任意顺序执行或并行地执行。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

此外，在本申请中当使用“连接”或“联接”时可表示相应部件之间为直接的接触或间接的接触，除非有明确的其它限定或者能够从上下文推导出的除外。

需要说明的是，本申请实施例中的待剥离裸片可为粘接在划片膜上的多个裸片中的一个。

在本申请第一实施例中提供了一种裸片拾取装置100。

图1为根据本申请第一实施例的裸片拾取装置100的结构示意图。参考图1，本申请第一实施例的裸片拾取装置100用于将裸片1从划片膜2上剥离。具体地，裸片拾取装置100包括：支撑台101、推动机构102和拾取机构103。

参考图1，裸片1与划片膜2为待剥离状态。划片膜2可以是uv膜或蓝膜。划片膜2包括第一侧面21和第二侧面22。裸片1包括第一表面11和第二表面12。裸片1可以是矩形薄片状结构，其厚度可以例如在20μm至30μm的范围以内。本领域技术人员可以理解的是，裸片1的形状和厚度不限于此，其可以为本领域已知的其他形状和厚度。裸片1的第二表面12与划片膜2的第一侧面21粘接。裸片1与划片膜2之间粘接的区域为粘接区3。粘接区3可以是与裸片1的形状相对应的形状。此外，裸片1与划片膜2之间还可以通过裸片贴覆膜(dieattachfilm,daf)粘接。

划片膜2和裸片1可放置在支撑台101上。支撑台101用于为划片膜2提供支撑，具体地，支撑台101可以为划片膜2的第二侧面22的与粘接区3对应的以外区域提供支撑。根据本申请的一个示例性实施例，可以通过晶圆环(waferring)将粘接有划片膜2的整个晶圆固定住，以便于将与裸片1粘接的划片膜2固定在支撑台101上。支撑台101可以具有容纳推动机构102的内部空间。

推动机构102位于支撑台101的内部。具体地，推动机构102可位于划片膜2的第二侧面22的下方，用于向上推动划片膜2的第二侧面22的与粘接区3对应的区域。示例性地，当需要剥离多个裸片时，可以将推动机构设置为在水平方向上可移动，以推动不同位置的多个裸片。或者可以设置多个推动机构，以推动不同位置的多个裸片。

参考图1，推动机构102包括多个推动块，例如五个推动块104。本领域技术人员可以理解的是，上述推动块的数量仅是示例性的，可以根据实际需要采用其他数量的推动块。

图2为根据本申请的示例性实施例的裸片1的俯视图。五个推动块可沿着裸片1的长度l方向布置。每个推动块与划片膜2的第二侧面22接触的区域在裸片1上对应的区域可以是矩形。矩形的长度a与裸片1的宽度d相等，这些矩形的宽度b累加后与裸片1的长度l相等。示例性地，每个推动块与划片膜2的第二侧面22接触的区域的形状可以是环形、弧形等。

本领域技术人员可以理解的是，多个推动块可以具有多种排布方式。例如，多个推动块的排布方式可以是从一侧至相对的另一侧排布的长方体，或者是同心排布的圆柱体和多个圆环体，或者是n×m阵列排布的多个圆柱体，其中，n和m是自然数。

拾取机构103位于支撑台101的上方。具体地，拾取机构103位于裸片1的第一表面11的上方，用于拾取裸片1。拾取机构103可以包括真空吸嘴，真空吸嘴与多个推动块在竖直方向上对准。

通常而言，支撑台101可以仅支撑划片膜2上的位于多个裸片以外的区域，裸片1受划片膜2的托载而悬空。此时的裸片1处于初始位置。

图3是根据本申请第一实施例的裸片1处于第一位置时的裸片拾取装置100的结构示意图。此时划片膜2的第一侧面21与裸片1的实际粘接区为3a。参考图3，在推动过程中，推动机构102的五个推动块104同步向上移动，以接触划片膜2的第二侧面22的与粘接区3对应的区域。由于五个推动块104与划片膜2的第二侧面22同时接触，位于划片膜2上并且与划片膜2粘接的裸片1可以大致上保持水平。也就是说，五个推动块104同步推动划片膜2能够为裸片1提供一个大致平坦的支撑面。

推动机构102的多个推动块向第一侧面21的方向推动粘接区3后，裸片1被推顶至第一位置。此时划片膜2的位于实际粘接区3a外周的部分可受到拉伸。

示例性地，当推动机构102的五个推动块104将粘接区3内的裸片1推顶至第一位置时，裸片1向上移动的距离例如为0.5mm。本领域技术人员可以理解的是，裸片1从初始位置到第一位置移动的距离不应限于此，其可以为本领域已知的限定距离。将裸片1的移动距离限定在一定范围内可以有效地避免因过大的位移而对划片膜2上的裸片1相邻的裸片造成影响。

参考图3，当裸片1处于第一位置时，位于裸片1第一表面11上方的拾取机构103可以通过对裸片1的第一表面11真空吸附从而拾取裸片1。可以理解的，拾取机构103使用真空吸附的方式时，裸片1受到的吸附力其实是第一侧面21处的外部空气提供的压力。

示例性地，真空吸嘴的吸附面与第一表面11可以具有一定垂直的距离，在拾取过程中，拾取机构103可以先向下移动一段距离，再对裸片1的第一表面11进行吸附。拾取机构103也可以通过真空产生的吸附力，与裸片1的第一表面11间隔一段距离而对裸片1的第一表面11吸附，这种方式可以使划片膜2进一步拉伸。

图4是根据本申请第一实施例的推动机构102退回时的裸片拾取装置100的结构示意图。此时划片膜2的第一侧面21与裸片1的实际粘接区为3b。

参考图4，在推动机构102的多个推动块退回的过程中，推动机构102中的五个推动块104按照从外侧至中心的次序依次退回，即从外周至中心的次序依次退回五个推动块104。具体地，五个推动块104沿着裸片1长度l的方向依次为第一推动块、第二推动块、第三推动块、第四推动块和第五推动块。在五个推动块104退回时，先退回在外侧的第一推动块和第五推动块，再退回第二推动块和第四推动块，最后退回位于中部的第三推动块。在划片膜2的拉伸力作用下，可以使裸片1从划片膜2上逐步剥离。

因此，通过采用多个推动块同步推动划片膜上的裸片，并在裸片由拾取机构吸附后，分步退回多个推动块的方法，能够降低裸片在拾取过程中的破裂风险。具体来说，一方面，在同步推动过程中，多个推动块可以为裸片提供一个大致平坦的支撑面。相比于现有技术从裸片下方进行局部推顶的方式，能够降低由于划片膜的拉伸力导致的裸片在剥离过程中破裂的风险。另一方面，在多个推动块分步退回的过程中，由于裸片已由拾取机构吸附，拾取机构的吸附力可防止裸片在从划片膜剥离时产生变形，从而进一步降低裸片在拾取过程中破裂的风险。

示例性地，在多个推动块依次退回的同时，拾取机构还可移动真空吸嘴并将裸片1转移至中转站(middlestation)上。

在本申请第二实施例中提供了一种裸片拾取装置200。

图5为根据本申请第二实施例的推动机构202退回时的裸片拾取装置200的结构示意图。此时划片膜2的第一侧面21与裸片1的实际粘接区为3b。本申请第二实施例的裸片拾取装置200用于将裸片1从划片膜2上剥离。具体地，裸片拾取装置200包括：支撑台201、推动机构202、拾取机构203、气流导管205和去离子装置206。其中，支撑台201、推动机构202和拾取机构203可以具有第一实施例中描述的结构。出于描述的简洁，下面的描述中将省略对与裸片拾取装置100相同的结构的描述。

气流导管205可设置在拾取机构203的至少一侧，用于向粘接区3喷射气体。根据图5所示的示例性实施例，气流导管205设置在拾取机构203的两侧。示例性地，气流导管205的管口的延伸方向与多个推动块的排列方向平行。随着多个推动块的退回，划片膜2与裸片1逐渐剥离，这时气流由外侧向中心部位吹向划片膜与裸片二者的剥离之处，有助于使二者的粘接区3进一步彼此脱离。

气流导管205的整体结构形式可以为l型，即气流导管205的靠近管口的部分水平设置，气流导管205的另一部分与水平设置部分连通，并且垂直设置。气流导管205的靠近管口的部分水平设置可以保证从气流导管205喷射的气体的方向平行于裸片1的第二表面12，有助于提高气流导管205的喷射效率。

示例性地，气流导管205的管口为喷气槽，并且喷气槽的宽度与裸片1的宽度d(参见图2)相等。气流导管205的喷气槽的宽度与裸片1的宽度d相等可以使喷射的气体更大范围地作用于粘接区3，从而提高气流导管205的喷射效率。

然而，气流导管可以具有其他的管口形状和整体结构形式。例如，气流导管的管口形状可以是圆形、矩形或者其他形状，并且其整体结构形式也不限于l型，可以是任意管口形状和整体结构形式的具有喷射气体功能的气流导管。并且该气流导管可以布置在相对于拾取机构的任意位置，只要其能够如上所述地向粘接区喷射气体。

去离子装置206可以设置在气流导管205的垂直设置的部分的一端，用于对流经气流导管205的气体进行去离子处理。并且去离子装置206的安装位置可以是气体在离开气流导管之前的其他位置。经过去离子处理的气体可以避免由于气体中的离子而产生静电作用。

参考图5，在推动机构202开始退回时，气流导管205沿与裸片1的第二表面12平行的方向喷射气体，并且从气流导管205喷射的气体流经去离子装置206，以进行去离子处理。气流导管205喷射的气体可以使粘接区3处的气压大于划片膜2的第二侧面22处的气压，并且粘接区3处的气压的值与划片膜2的第二侧面22处的气压的值之比可在1至1.2之间。

具体地，在推动机构202退回过程中，裸片1与划片膜2之间的粘接区3由于剥离而产生间隙，并且由于划片膜2的第二侧面22可以为标准气压，气流导管205喷射的气体能够使裸片1与划片膜2之间的粘接区3的间隙的局部气压大于划片膜2的第二侧面22的标准气压，这种压力差可以为划片膜2提供沿着剥离方向的压力，可以有助于裸片1与划片膜2的剥离。另外，上述压力差可以使裸片1更好地吸附于拾取机构203，降低裸片1的变形和裂片风险。此外，将这种压力差限定在一定范围内，可以避免过大的压力差给包括划片膜2的其他机构造成不良影响。

在本申请第三实施例中提供了一种拾取装置300。

图6为根据本申请第三实施例的推动机构302退回时的裸片1拾取装置的结构示意图。此时划片膜2的第一侧面21与裸片1的实际粘接区为3b。本申请第三实施例的裸片拾取装置300用于将裸片1从划片膜2上剥离。具体地，裸片拾取装置300包括：支撑台301、推动机构302、拾取机构303、气压室307和调压阀308。其中，支撑台301、推动机构302和拾取机构303可以具有第一实施例中描述的结构。出于描述的简洁，下面的描述中将省略对与裸片拾取装置100相同的结构的描述。

参考图6，根据本申请第三实施例的裸片拾取装置300的气压室307位于支撑台301的上方，具体地，位于划片膜2的第二侧面22的上方。气压室307用于容纳裸片1，并且与划片膜2的第二侧面22形成密闭空间。示例性地，气压室还可以容纳包括裸片1的晶圆上的所有裸片，即为包括裸片1的晶圆上的所有裸片提供密闭空间。

气压室307还包括用于调节气压室307密闭空间的气压的调压阀308。

参考图6，在推动机构302开始退回时，调压阀308调控气压室307中的气压，使气压室307中的气压增加。即，使粘接区3处的气压大于划片膜2的第二侧面22处的气压，并且粘接区3处的气压的值与划片膜2的第二侧面22处的气压的值之比在1至1.2之间。

具体地，在推动机构302退回过程中，裸片1与划片膜2之间的粘接区3由于剥离而产生间隙，并且由于划片膜2的第二侧面22可以为标准气压，气压室307中增加的气压可以使裸片1与划片膜2之间的间隙的局部气压大于划片膜2的第二侧面22的标准气压，这种压力差可以为划片膜2提供沿着剥离方向的压力，可以有助于裸片1与划片膜2的剥离。另外，气压室307中增加的气压可以使裸片1更好地吸附于拾取机构303，降低裸片1的变形和裂片风险。此外，气压室307可以使粘接区3的局部气压均匀分布，有助于裸片1与划片膜2从不同的方向分离。

如上所述，综合第二实施例与第三实施例中的描述，能够用于使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的调压机构，均能够使裸片1与划片膜2之间的粘接区3的间隙的局部气压大于划片膜2的第二侧面22的气压，能够辅助裸片1从划片膜2上剥离。此外，调压机构借助气压辅助的方式可以使夹具的通用性增强，减少常备夹具的种类。

示例性地，当裸片1具有细长的矩形形状时，推动机构的多个推动块可设置为沿着裸片1的长度l方向排布的多个长方体，在同步推动过程中，多个推动块为裸片提供了一个大致平坦的支撑面，可以防止裸片和位于中间部位的推动块形成悬臂梁结构，从而避免由于裸片支撑力不足而导致裸片在剥离过程中破裂。

示例性地，当裸片1具有细长的矩形形状时，推动机构的多个推动块可设置为沿着裸片1的宽度d方向排布的多个长方体。此时，虽然可以避免产生上述实施例中的悬臂梁结构，但是由于推动块与划片膜的接触区域的面积增加，会造成裸片从划片膜上剥离困难，甚至无法剥离。本申请提供的裸片拾取装置，能够利用气压调节机构所产生的划片膜两侧的压力差，有效地将裸片从划片膜上膜剥离，从而提高裸片从划片膜上剥离的效率。

图7为根据本申请一个实施方式的裸片拾取方法1000。裸片拾取方法1000可采用上述实施例中的任一装置实现。出于简洁的目的，在描述方法1000时使用到的、与描述上述装置时相同或重合的内容将被省略。参考图7，该方法1000包括如下步骤：

s101，在划片膜的相对于第一侧面的第二侧面，向第一侧面的方向施加用于同步推动划片膜的粘接区的多个推动力，以将粘接区内的裸片推顶至第一位置；

s102，从第一侧面向位于第一位置的裸片施加远离划片膜的吸附力；

s103，去除多个推动力中的至少一部分推动力，以使裸片与划片膜剥离。

上述步骤中的裸片粘接在划片膜的第一侧面上的粘接区内。

根据本申请提供的裸片拾取方法1000，采用施加用于同步推动划片膜的粘接区的多个推动力的步骤，可以提供作用于裸片整体的支撑力。相比于现有技术，采用施加用于推动划片膜的粘接区的局部推动力的方式，能够降低由于划片膜的拉伸力导致的裸片在剥离过程中破裂的风险。

进一步地，去除多个推动力中的至少一部分推动力的步骤可以包括：按照从粘接区的外周至中心的次序去除施加到粘接区的推动力。

进一步地，向第一侧面的方向施加用于同步推动划片膜的粘接区的多个推动力的步骤可以包括：利用推动机构的由外周向中心排布的多个推动块同步推动粘接区。

进一步地，去除多个推动力中的至少一部分推动力的步骤可以包括：按照从外周至中心的次序依次退回多个推动块，以按照从粘接区的外周至中心的次序去除施加到粘接区的推动力。

在本申请的一个实施例中，裸片拾取方法1000还可以包括：使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压。

进一步地，粘接区处的气压的值与划片膜的第二侧面处的气压的值之比可以在1至1.2之间。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤可以包括：在去除多个推动力中的至少一部分的推动力时，向粘接区喷射气体。

进一步地，裸片包括被施加有吸附力的第一表面和相对于第一表面的第二表面；以及向粘接区喷射气体的步骤可以包括：沿裸片的第二表面喷射气体。

进一步地，向粘接区喷射气体的步骤可以包括：在喷射气体之前，对气体进行去离子处理。

进一步地，向粘接区喷射气体的步骤可以包括：利用管口的宽度与裸片的宽度相等的喷气槽喷射气体。

可选地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：利用与第一侧面密闭配合并容纳裸片的气压室，通过增加气压室的气压使得粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤。

进一步地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：在去除多个推动力中的至少一部分的推动力时，增加气压室内的气压。

图8示出了根据本申请另一实施方式的裸片拾取方法2000。裸片拾取方法2000可采用上述实施例中的任一装置实现出于简洁的目的，在描述方法2000时使用到的、与描述上述装置时相同或重合的内容将被省略。参考图8，该方法2000包括如下步骤：

s201，在划片膜的相对于第一侧面的第二侧面，向第一侧面的方向施加用于推动划片膜的粘接区的推动力，以将粘接区内的裸片推顶至第一位置；

s202，从第一侧面向位于第一位置的裸片施加远离划片膜的吸附力；

s203，去除施加到粘接区的推动力，并使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压，以使裸片与划片膜剥离。

上述步骤前，裸片粘接在划片膜的第一侧面上的粘接区内。

根据本申请提供的裸片拾取方法2000，采用使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤，可以保证粘接区与划片膜的第二侧面的压力差，这种压力差可以为划片膜提供沿着剥离方向的压力，可以有助于裸片从划片膜上剥离。另外，上述压力差有利于增强对裸片的吸附作用，从而降低裸片的变形和裂片风险。

进一步地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤可以包括：粘接区处的气压的值与划片膜的第二侧面处的气压的值之比在1至1.2之间。

在本申请的一个实施例中，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤可以包括：在去除施加到粘接区的推动力时，向粘接区喷射气体。

进一步地，裸片包括被施加有吸附力的第一表面和相对于第一表面的第二表面；以及向粘接区喷射气体的步骤包括：沿裸片的第二表面喷射气体。

进一步地，向粘接区喷射气体的步骤包括：在喷射气体之前，对气体进行去离子处理。

进一步地，向粘接区喷射气体的步骤包括：利用管口的宽度与裸片的宽度相等的喷气槽喷射气体。

在本申请的另一个实施例中，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤可以包括：利用与第一侧面密闭配合并容纳裸片的气压室，实现使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤。

进一步地，使粘接区处的气压大于划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：在去除施加到粘接区的推动力时，增加气压室内的气压。

由于上文中描述的裸片拾取装置所涉及的结构和功能可完全或部分地适用于在这里描述裸片拾取装置，因此与其相关或相似的内容不再赘述。

以上描述仅为本申请的实施方式以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的保护范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离技术构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。