电子装置及其制造方法与流程

1.本揭露涉及一种电子装置及其制造方法，特别是一种包括可压缩层的电子装置及其制造方法。


背景技术：

2.在电子装置的接合制程中，可能会将大量微小的电子元件转移并接合到电子装置的基板上。在此情况下，接合垫需具有一致的厚度，或是接合表面需位于一致的高度，才能使电子元件的接合垫皆与基板上的接合垫接触。然而，由于电子元件的接合垫或基板上的接合垫在制作过程中产生厚度的偏差，或电子元件在排列时造成接合垫的位置偏差，使电子元件或基板上的接合垫的接合表面位于不同的高度，导致电子元件的接合垫可能接触不到基板上的接合垫，进而造成接合的效果不佳。


技术实现要素：

3.本揭露的一个实施例提供一种电子装置的制造方法，其包括以下步骤：提供一基板。形成一第一可压缩层于基板上。形成一第一接合垫于第一可压缩层上。提供一电子元件。形成一第二接合垫于电子元件上。将第二接合垫与第一接合垫接触，使电子元件与基板接合。
4.本揭露的另一个实施例提供一种电子装置的制造方法，其包括以下步骤。提供一基板。形成一第一接合垫于基板上。提供一电子元件。形成一第二可压缩层于电子元件上。形成一第二接合垫于第二可压缩层上。将第一接合垫与第二接合垫接触，使电子元件与基板接合。
5.本揭露的另一个实施例提供一种电子装置，其包括一基板、一电子元件以及一接合结构。接合结构位于电子元件与基板之间，且接合结构包括一接合层与至少一可压缩层。
附图说明
6.图1所示为本揭露第一实施例于接合前的电子装置的侧视示意图。
7.图2所示为本揭露第一实施例于压缩前的电子装置的侧视示意图。
8.图3所示为本揭露第一实施例于接合后的电子装置的侧视示意图。
9.图4所示为本揭露第二实施例于接合后的电子装置的侧视示意图。
10.图5所示为本揭露第三实施例于接合后的电子装置的侧视示意图。
11.图6所示为本揭露第四实施例于接合后的电子装置的侧视示意图。
12.图7所示为图5的电子装置的制造方法的步骤流程图。
13.图8所示为图6的电子装置的制造方法的步骤流程图。
14.附图标记说明：10-电子装置；100-基板；1021、1023、2021、2023-可压缩层；1041、1043、2041、2043-接合垫；200-电子元件；206、208-接合层；300、302-接合结构；s100-s110、s200-s210-步骤；s1-s4-接合表面；sa-sd-表面；t1-t6-厚度；x、z-方向；
△
h1、
△
h2、
△
d1、
△
d2-间距。
具体实施方式
15.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本揭露中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
16.本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为
…
」之意。
17.应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」、「设置」在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」、「直接设置」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
18.电性连接可以是直接连接或是间接连接。两元件电性连接可以是直接接触以传输电讯号，两者之间未有其他元件。两元件电性连接可以通过两者之间的元件中介桥接以传输电信号。
19.虽然术语第一、第二、第三
…
可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三
…
取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
20.须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
21.本揭露的电子装置可包括显示设备、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括发光二极管、液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质或前述的组合，但不以此为限。发光二极管(light-emitting diode，led)可例如包括有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode，led)、次毫米发光二极管(mini-light-emitting diode，mini-led)、微发光二极管(micro-light-emitting diode，micro-led)、量子点(quantum dots，qds)发光二极管(可例如为qled、qdled)、其他适合的材料或上述的任意排列组合，但不以此为限。
22.天线装置可例如是液晶天线或其他种类的天线类型，但不以此为限。天线装置可例如包括拼接天线装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统
…
等外围系统以支持显示设备、天线装置或拼接装置。下文将以显示设备做为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
23.以下图式中标出了一方向x和一方向z。方向z可垂直于基板100的上表面或下表面，方向x可平行于基板100的上表面或下表面，且方向z可垂直于方向x。以下图式可依据方向x和方向z来描述结构的空间关系。
24.请参考图1至图3，图1所示为本揭露第一实施例于接合前的电子装置的侧视示意图，图2所示为本揭露第一实施例于压缩前的电子装置的侧视示意图，且图3所示为本揭露第一实施例于接合后的电子装置的侧视示意图。如图1所示，提供一基板100。基板100可包括可挠基板、不可挠基板或上述的组合，但不限于此。在某些实施例中，基板100的材料可包括玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、石英(quartz)、蓝宝石(sapphire)、压克力(acrylic)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚醚砜(pes)、聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)、聚萘二甲酸乙二酯(pen)或聚芳酯(par)、其它合适的材料或上述的组合，但不限于此。
25.基板100上可设置不同种类的电子元件，例如集成电路(integrated circuit，ic)、薄膜晶体管、导电垫、导线(wire)或上述的组合，但不限于此。基板100可以是主动阵列(active matrix)基板或薄膜晶体管基板，但不以此为限。而为了让图示更简单或清楚，本揭露的图式省略了上述的一些电子元件或绝缘层。
26.如图1，形成一或多个第一可压缩层于基板100上，可压缩层的杨氏系数可小于或等于120gpa。此外，可压缩层是可导电的，且可压缩层可用来阻挡金属原子的扩散或可用来增加黏着性。可压缩层1021和可压缩层1023可形成于基板100上。可压缩层1021和可压缩层1023可视为一第一可压缩层的两个部分。本揭露中的可压缩层可包括低硬度金属或其合金，其中低硬度金属或其合金的杨氏系数可小于或等于120gpa。举例而言，可压缩层的材料可包括铅、锡、镓、铟、镁、锌、铝、铜、银、金、上述材料的组合、上述材料的合金或上述材料组合的合金，但不以此为限。
27.此外，本揭露中的可压缩层的材料也可包括不导电的树脂或聚合物以及导电的金属粒子的混合物，但不以此为限。树脂或聚合物具有弹性并且是可压缩的。举例而言，树脂或聚合物可包括环氧树脂(epoxy)、压克力(acrylic)、硅氧烷(siloxane)、聚酰亚胺(polyimide，pi)或上述的组合，但不以此为限。导电的金属粒子可提供导电性。举例而言，导电的金属粒子可以是微米级或纳米级粒子，但不以此为限。举例而言，导电的金属粒子可包括由铜、银、金、锡、铋、上述材料的组合、上述材料的合金或上述材料组合的合金所组成的粒子，但不以此为限。或者，可将上述金属或合金包覆在弹性粒子外，例如是异方性导电膜(anisotropic conductive film，acf)粒子，但不限于此。
28.如图1，形成第一接合垫于第一可压缩层上。接合垫1041与接合垫1043可分别做为第一接合垫，接合垫1041与接合垫1043也可视为一第一接合垫的两个部分，接合垫1041可形成于可压缩层1021上而接合垫1043可形成于可压缩层1023上，使可压缩层1021位于接合垫1041和基板100之间并使可压缩层1023位于接合垫1043和基板100之间。在一些实施例中，接合垫1041与接合垫1043的材料可不同于可压缩层1021和可压缩层1023的材料，但不以此为限。举例而言，接合垫1041与接合垫1043的材料的硬度可大于可压缩层1021和可压缩层1023的材料。
29.另一方面(如图1)，可提供一或多个电子元件200。举例而言，电子元件200可包括发光元件，但不以此为限。发光元件可包括发光二极管(light-emitting diode，led)，且发
光二极管可包括次毫米发光二极管、微发光二极管、量子点发光二极管或是其它合适的发光二极管，但不以此为限。此外，在某些实施例中，发光二极管上可设置光转换材料。例如，光转换材料可包括量子点(quantum dot，qd)材料、荧光(fluorescence)材料、彩色滤光(color filter，cf)材料、磷光(phosphor)材料、其它合适的光转换材料或上述的组合，但不以此为限。在某些实施例中，光转换材料可覆盖发光二极管或与发光二极管对应设置。
30.如图1，形成一或多个第二可压缩层于电子元件200上。可压缩层2021和可压缩层2023可形成于电子元件200上。可压缩层2021和可压缩层2023可视为一第二可压缩层的两个部分。在一些实施例(如图1)中，可压缩层1021及可压缩层1023的材料可与可压缩层2021及可压缩层2023的材料相同，但不以此为限。
31.如图1，形成第二接合垫于第二可压缩层上，或形成第二可压缩层于电子元件与第二接合垫之间。接合垫2041与接合垫2043可分别做为第二接合垫，接合垫2041与接合垫2043也可视为一第二接合垫的两个部分，接合垫2041可形成于可压缩层2021上而接合垫2043可形成于可压缩层2023上，使可压缩层2021位于接合垫2041和电子元件200之间并使可压缩层2023位于接合垫2043和电子元件200之间。在一些实施例中，接合垫2041与接合垫2043的材料可不同于可压缩层2021及可压缩层2023的材料，但不以此为限。举例而言，接合垫2041与接合垫2043的材料的硬度可大于可压缩层2021及可压缩层2023的材料。
32.在本揭露中，第一接合垫和第二接合垫可包括能够用于进行扩散接合(diffusion bonding)的金属。若要能适用于低温接合，则第一接合垫和第二接合垫的材料可包括铜，但不以此为限。若制程温度可为高温，则第一接合垫和第二接合垫的材料可包括金，但不以此为限。在一些实施例(如图1)中，第一接合垫的材料可与第二接合垫的材料相同，但不以此为限。举例而言，本实施例的第一接合垫和第二接合垫的材料为铜，但不以此为限。
33.接着，将第二接合垫与第一接合垫接触，使电子元件200与基板100接合。在本揭露中，第二接合垫与第一接合垫可通过固体扩散(solid diffusion)的方式进行接合。如图1，可将接合垫2041与接合垫1041接触，并可将接合垫2043与接合垫1043接触。之后，在适当的温度及压力下，接合垫2041与接合垫1041可通过固体扩散进行接合，而接合垫2043与接合垫1043可通过固体扩散进行接合。
34.在本揭露中，由于需要接合的电子元件200(如微发光二极管)的尺寸微小，因此用于接合的p/n接点之间的距离也非常短。若是使用熔化焊料(solder)的方式来进行接合，熔化后可流动的焊料可能会造成电子元件200的p/n接点短路，进而降低电子装置的合格率。然而，即使电子元件200的尺寸微小，但本揭露的第二接合垫与第一接合垫是通过固体扩散的方式进行接合，因此可避免上述的问题发生，进而提升电子装置的合格率。
35.由于第一接合垫与第二接合垫需互相接触才能进行固体扩散，因此，第一接合垫及/或第二接合垫需具有一致的厚度，或是第一接合垫的接合表面需位于一致的高度，或是第二接合垫的接合表面需位于一致的高度，才能使第一接合垫与第二接合垫正确地接触。
36.然而，由于多个电子元件200或基板100的接合垫在制造过程中所产生厚度的偏差，或是多个电子元件200在排列时造成接合垫的接合表面的位置偏差，使得一些第一接合垫或一些第二接合垫具有不同的厚度，或是一些第一接合垫的接合表面位于不同的高度，或是一些第二接合垫的接合表面位于不同的高度。上述情况将导致一些第一接合垫与一些第二接合垫无法接触，进而造成接合的效果不佳。
37.在一些实施例中，第一接合垫可以包括至少两个不同厚度的部分(如接合垫1041和/或接合垫1043)，通过压缩可压缩层(如可压缩层1021和/或可压缩层1023)使所述两个不同厚度的部分接触到第二接合垫(如接合垫2041和/或接合垫2043)。在另一些实施例中，第二接合垫可以包括至少两个不同厚度的部分(如接合垫2041和/或接合垫2043)，通过压缩可压缩层(如可压缩层2021和/或可压缩层2023)使所述两个不同厚度的部分接触到第一接合垫(如接合垫1041和/或接合垫1043)。在一些实施例中，接合垫(例如：第一接合垫以及第二接合垫)包括两个不同厚度的部分可以是两个接合垫分别具有两个不同的厚度也可以是一个接合垫具有两个不同的厚度。
38.举例而言，如图1，第二接合垫可包含两个不同厚度的部分，例如，接合垫2041与接合垫2043可具有不同的厚度，因此接合垫2041的接合表面s1与接合垫2043的接合表面s2可位于不同的高度(如方向z上的高度)上，且接合表面s1与接合表面s2可具有间距
△
h1。此外，第一接合垫可包含两个不同厚度的部分，例如，接合垫1041与接合垫1043可具有不同的厚度，因此接合垫1041的接合表面s3与接合垫1043的接合表面s4可位于不同的高度上，且接合表面s3与接合表面s4可具有间距
△
h2。
39.若间距
△
h1和间距
△
h2不相等时，第一接合垫与第二接合垫可能会无法接触。如图2，若间距
△
h2大于间距
△
h1并当接合表面s2与接合表面s4接触时，接合表面s1会无法与接合表面s3接触。
40.然而，在本揭露中，在将第一接合垫与第二接合垫接触的步骤中可包括压缩可压缩层。如图3，由于基板100及/或电子元件200上设有可压缩层，因此可对基板100及/或电子元件200施力来压缩可压缩层，并通过可压缩层的变形使第一接合垫与第二接合垫达到接触。如图3，在可压缩层1023和可压缩层2023经压缩之后，可压缩层2023的厚度t2可小于可压缩层2021的厚度t1，而可压缩层1023的厚度t4可小于可压缩层1021的厚度t3。此外，可压缩层2021的表面sa与可压缩层2023的表面sb之间可具有间距
△
d1，而可压缩层1021的表面sc与可压缩层1023的表面sd之间可具有间距
△
d2。
41.在可压缩层1023和可压缩层2023经压缩之后，当图3中的间距
△
d1和间距
△
d2的总和与图2中的间距
△
h2和间距
△
h1的差值相等时(
△
d1+
△
d2＝
△
h2
‑△
h1)，可使接合垫2041的接合表面s1与接合垫1041的接合表面s3能正确地接触。之后，在适当的温度及压力下，接合垫2041与接合垫1041可通过固体扩散进行接合，而接合垫2043与接合垫1043可通过固体扩散进行接合。
42.在本揭露中，当多个微小的电子元件200需通过固体扩散接合至基板100时，可确保电子元件200上的第二接合垫与基板100上的第一接合垫能正确地接触，进而提升扩散接合的效果。
43.如图3，本揭露提供了一种电子装置10，其包括基板100、电子元件200以及一接合结构(如接合结构300或接合结构302)。接合结构300及接合结构302可位于电子元件200与基板100之间。接合结构可包括一接合层与至少一可压缩层。在一些实施例(如图3)中，接合结构可包括多个可压缩层。以接合结构300为例，接合结构300可包括接合层206、可压缩层1021和可压缩层2021。以接合结构302为例，接合结构302可包括接合层208、可压缩层1023和可压缩层2023。接合层206可为图1中的接合垫1041与接合垫2041通过固体扩散接合所形成，而接合层208可为图1中的接合垫1043与接合垫2043通过固体扩散接合所形成。
44.在本揭露中，厚度或高度可由电子显微镜中的剖面影像量测而得，但不以此为限。当第一接合垫和第二接合垫接合时，在电子显微镜的剖面影像中可能没有存在明显的接合垫1041与接合垫2041之间的界线或接合垫1043与接合垫2043之间的界线。当第一接合垫和第二接合垫中包含其他子膜层时，在电子显微镜中的剖面影像中则可能存在接合垫1041与接合垫2041之间的界线或接合垫1043与接合垫2043之间的界线。
45.如图3，接合结构302中的接合层208的厚度t6可大于接合结构300中的接合层206的厚度t5；接合结构302中的可压缩层2023的厚度t2可小于接合结构300中的可压缩层2021的厚度t1；以及接合结构302中的可压缩层1023的厚度t4可小于接合结构300中的可压缩层1021的厚度t3。
46.在一些实施例(如图2)中，即使接合垫1041与接合垫1043的厚度不同且接合垫2041与接合垫2043的厚度不同，使得接合垫2041的接合表面s1无法与接合垫1041的接合表面s3接触，仍可通过压缩可压缩层2023及可压缩层1023(如图3)，使得接合垫2041的接合表面s1能与接合垫1041的接合表面s3接触，进而提升扩散接合的效果。在一些实施例(如图3)中，可压缩层1021及可压缩层1023的材料可与可压缩层2021及可压缩层2023的材料相同，但不以此为限。
47.下文将继续详述本揭露的其它实施例，为了简化说明，下文中使用相同标号标注相同元件。为了突显各实施例之间的差异，以下针对不同实施例间的差异详加叙述，而不再对重复的技术特征作赘述。此外，这些重复的技术特征是可应用于以下的各实施例。
48.请参考图4，其所示为本揭露第二实施例于接合后的电子装置的侧视示意图。不同于第一实施例(如图1至图3)，在一些实施例(如图4)中，可压缩层1021及可压缩层1023的材料可不同于可压缩层2021及可压缩层2023的材料。可根据在基板100上所进行的制程来选择相容的可压缩层1021及可压缩层1023的材料，或可根据制作电子元件200所进行的制程来选择兼容的可压缩层2021及可压缩层2023的材料，以优化上述的制程。举例而言，可压缩层1021及可压缩层1023的材料可包括低硬度金属或其合金，而可压缩层2021及可压缩层2023的材料可包括不导电的树脂或聚合物以及导电的金属粒子的混合物，但不以此为限。
49.请参考图5，其所示为本揭露第三实施例于接合后的电子装置的侧视示意图。不同于第一实施例(如图1至图3)，在一些实施例(如图5)中，可在电子元件200上形成可压缩层2021和可压缩层2023，而未在基板100上形成可压缩层，但不以此为限。亦即，接合结构300及接合结构302并未包括可压缩层设置在接合垫1041与基板100之间以及接合垫1043与基板100之间，但不以此为限。
50.在一些实施例中，第二接合垫可包含两个不同厚度的部分，且第一接合垫可包含两个不同厚度的部分。例如，接合垫2041与接合垫2043可具有不同的厚度，且接合垫1041与接合垫1043可具有不同的厚度，因此，当接合表面s2与接合表面s4接触时，接合表面s1会无法与接合表面s3接触。即使如此，仍可通过压缩可压缩层2023(如图5)，使得接合垫2041的接合表面s1与接合垫1041的接合表面s3能正确地接触，进而提升扩散接合的效果。举例而言(如图5)，在可压缩层2023经压缩之后，可压缩层2021的厚度可大于可压缩层2023的厚度，且可压缩层2021的表面sa可低于可压缩层2023的表面sb。
51.在一些实施例(如图5)中，由于可压缩层(如可压缩层2021和可压缩层2023)仅形成于电子元件200上，因此可压缩层的材料可使用弹性较大的树脂或聚合物以及金属粒子
的混合物，但不以此为限。
52.另请参考图7，其所示为图5的电子装置10的制造方法的步骤流程图。在一些实施例(如图5)中，电子装置10的制造方法主要可包括(但不限于)图7所示的步骤：
53.步骤s100：提供基板100；
54.步骤s102：形成第一接合垫(接合垫1041或接合垫1043)于基板100上；
55.步骤s104：提供电子元件200；
56.步骤s106：形成第二可压缩层(可压缩层2021或可压缩层2023)于电子元件200上；
57.步骤s108：形成第二接合垫(接合垫2041或接合垫2043)于第二可压缩层上；以及
58.步骤s110：将第一接合垫与第二接合垫接触，使电子元件200与基板100接合。
59.请参考图6，其所示为本揭露第四实施例于接合后的电子装置的侧视示意图。不同于第一实施例(如图1至图3)，在一些实施例(如图6)中，可在基板100上形成可压缩层1021和可压缩层1023，而未在电子元件200上形成可压缩层，但不以此为限。亦即，接合结构300及接合结构302并未包括可压缩层设置在电子元件200与接合垫2041之间以及电子元件200与接合垫2043之间，但不以此为限。
60.在一些实施例中，第二接合垫可包含两个不同厚度的部分，且第一接合垫可包含两个不同厚度的部分。例如，接合垫2041与接合垫2043可具有不同的厚度，且接合垫1041与接合垫1043可具有不同的厚度，因此，当接合表面s2与接合表面s4接触时，接合表面s1会无法与接合表面s3接触。即使如此，仍可通过压缩可压缩层1023(如图6)，使得接合垫2041的接合表面s1与接合垫1041的接合表面s3能正确地接触，进而提升扩散接合的效果。举例而言(如图6)，在可压缩层1023经压缩之后，可压缩层1021的厚度可大于可压缩层1023的厚度，且可压缩层1021的表面sc可高于可压缩层1023的表面sd。
61.在一些实施例(如图6)中，由于可压缩层(如可压缩层1021和可压缩层1023)仅形成于基板100上，因此可压缩层的材料可使用弹性较大的树脂或聚合物以及金属粒子的混合物，但不以此为限。
62.另请参考图8，其所示为图6的电子装置10的制造方法的步骤流程图。在一些实施例(如图6)中，电子装置10的制造方法主要可包括(但不限于)图8所示的步骤：
63.步骤s200：提供基板100；
64.步骤s202：形成第一可压缩层(可压缩层1021或可压缩层1023)于基板100上；
65.步骤s204：形成第一接合垫(接合垫1041或接合垫1043)于第一可压缩层上；
66.步骤s206：提供电子元件200；
67.步骤s208：形成第二接合垫(接合垫2041或接合垫2043)于电子元件200上；以及
68.步骤s210：将第一接合垫与第二接合垫接触，使电子元件200与基板100接合。
69.此外，可根据电子装置10中的元件尺寸(如电子元件200的尺寸)来选择可压缩层的材料。以使用低硬度金属或其合金作为可压缩层为例，可压缩层的杨氏系数约为10gpa至120gpa，且可压缩层的厚度的可压缩范围约在1％至10％内。以可压缩范围为10％为例，当需要弥补的高度差(即可压缩层的压缩量)为1微米时，可压缩层的厚度需至少为10微米。
70.另以使用树脂或聚合物以及金属粒子的混合物作为可压缩层为例，可压缩层的杨氏系数约为1gpa至70gpa，视金属粒子的混入量而定，且可压缩层的厚度的可压缩范围约在10％至50％内。以可压缩范围为50％为例，当需要弥补的高度差(即可压缩层的压缩量)为1
微米时，可压缩层的厚度需至少为2微米。因此，可依不同产品设计中电子元件200和可压缩层的尺寸比例，来选择适合的可压缩层的材料。
71.综上所述，在本揭露的电子装置及其制造方法中，可压缩层可形成于基板及电子元件的至少一者上。即使多个电子元件或基板上的接合垫在制作过程中所产生厚度的偏差，或是多个电子元件在排列时造成接合垫的接合表面的位置偏差，使得一些第一接合垫与一些第二接合垫无法接触，仍可对基板及/或电子元件施力压缩可压缩层，并通过可压缩层的变形来使第一接合垫与第二接合垫正确地达到接触。因此，可提升第一接合垫与第二接合垫之间固态扩散接合的效果，进而提高电子装置的合格率。
72.以上所述仅为本揭露的实施例而已，并不用于限制本揭露，对于本领域的技术人员来说，本揭露可以有各种更改和变化，且各实施例间的不同特征只要不相冲突或违反发明精神，均可任意排列组合，端视设计需求。凡在本揭露的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本揭露的保护范围之内。