一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺的制作方法

1.本发明属于二极管技术领域，尤其涉及一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺。


背景技术：

2.现在，对于高性能高可靠性的碳化硅二极管来说，表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一，表面钝化工艺主要就是在器件终端表面覆盖保护介质膜，防止器件终端结构中的氧化层吸附环境中的水汽以及封装对终端的影响，从而提升改善器件的可靠性。但是现有的在钛镍银ti
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ag表面涂覆聚酰亚胺工艺成本较高。
3.综上，现亟需一种能够解决上述技术问题，通过在金属铝al与钛镍银ti
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ag夹层之间淀积pe氮化硅，从而来克服上述问题。


技术实现要素：

4.鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺旨在解决现有技术的传统工艺成本较高的问题。
5.为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：
6.一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
7.s10.在二极管的表面通过金属掩模版曝光刻蚀正面金属铝层；
8.s20.在金属铝层上沉积一层等离子pe氮化硅层，通过钝化掩膜版曝光各向同性干法刻蚀等离子pe氮化硅层，形成器件终端表面钝化结构；
9.s30.在器件终端表面钝化结构上蒸发一复合金属钛镍银层；
10.s40.通过金属掩模版曝光刻蚀复合金属钛镍银层，形成器件银面正电极。
11.优选的，步骤s10中的金属铝层的厚度为3～4微米。
12.优选的，所述等离子pe氮化硅层的厚度为0.5～1微米。
13.优选的，所述复合金属钛镍银层厚度为0.1
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0.5
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0.6微米。
14.与现有技术相比，本发明的有益效果：
15.本发明提供的一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺，包括以下步骤：s10.在二极管的表面通过金属掩模版曝光刻蚀正面金属铝层；s20.在金属铝层上沉积一层等离子pe氮化硅层，通过钝化掩膜版曝光各向同性干法刻蚀等离子pe氮化硅层，形成器件终端表面钝化结构；s30.在器件终端表面钝化结构上蒸发一复合金属钛镍银层；s40.通过金属掩模版曝光刻蚀复合金属钛镍银层，形成器件银面正电极。与传统各项异性干法刻蚀相比保证了复合金属钛镍银ti
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ag与金属铝在器件终端处的粘附性，避免了金属钛镍银的脱落，同时此方案成本低。
附图说明
16.图1为本发明的银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺的流程框图。
具体实施方式
17.为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
18.如附图1所示，本发明提供的一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
19.s10.在二极管的表面通过金属掩模版曝光刻蚀正面金属铝层；
20.s20.在金属铝层上沉积一层等离子pe氮化硅层，通过钝化掩膜版曝光各向同性干法刻蚀等离子pe氮化硅层，形成器件终端表面钝化结构；
21.s30.在器件终端表面钝化结构上蒸发一复合金属钛镍银层；
22.s40.通过金属掩模版曝光刻蚀复合金属钛镍银层，形成器件银面正电极。
23.在金属铝al与钛镍银ti
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ag夹层之间淀积pe氮化硅方式替代传统的在钛镍银ti
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ag表面涂覆聚酰亚胺工艺，大大的有效降低了生产成本。采用各向同性干法刻蚀，与传统各项异性干法刻蚀相比保证了复合金属钛镍银ti
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ag与金属铝在器件终端处的粘附性，避免了金属钛镍银的脱落。
24.在一些实施例中，步骤s10中的金属铝层的厚度为3～4微米。
25.在一些实施例中，所述等离子pe氮化硅层的厚度为0.5～1微米。
26.在一些实施例中，所述复合金属钛镍银层厚度为0.1
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0.5
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0.6微米。
27.综上，本发明的工作原理如下：
28.本发明提供的一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺，包括以下步骤：s10.在二极管的表面通过金属掩模版曝光刻蚀正面金属铝层；s20.在金属铝层上沉积一层等离子pe氮化硅层，通过钝化掩膜版曝光各向同性干法刻蚀等离子pe氮化硅层，形成器件终端表面钝化结构；s30.在器件终端表面钝化结构上蒸发一复合金属钛镍银层；s40.通过金属掩模版曝光刻蚀复合金属钛镍银层，形成器件银面正电极。与传统各项异性干法刻蚀相比保证了复合金属钛镍银ti
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ag与金属铝在器件终端处的粘附性，避免了金属钛镍银的脱落，同时此方案成本低。
29.可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。