技术特征：
1.一种用于等离子体处理装置的下电极组件，其特征在于，包括：基座；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其材料为陶瓷非金属材料；气体输送管道，贯穿所述基座，用于输送气体；气体扩散腔、气体入口和气体出口，设于所述静电夹盘内，来自于所述气体输送管道内的气体通过气体入口进入气体扩散腔，再经所述气体扩散腔扩散后通过气体出口输出至待处理基片的背面。2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述静电夹盘包括若干个同心的气体区域，每个所述气体区域设有所述气体扩散腔、气体入口和气体出口，每个气体区域对应一个气体输送管道。3.如权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，所述基座包括平台部和位于平台部外围的台阶部；所述静电夹盘位于所述平台部上。4.如权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，所述台阶部包括至少一个边缘扩散区，所述下电极组件还包括：边缘进气口、边缘扩散腔和边缘出气口，设于各个所述边缘扩散区内，所述边缘进气口和边缘出气口分别位于所述边缘扩散腔的下方和上方，所述边缘进气口和边缘出气口与边缘扩散腔连通且贯穿台阶部。5.如权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，所述气体区域的个数为2个以上。6.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述静电夹盘的材料包括：绝缘材料或者半导体材料；所述静电夹盘的材料包括：氧化铝或者氮化铝。7.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述气体扩散腔为带缺口的环形腔；所述下电极组件还包括：电极，设于所述缺口之间、以及环形腔内外的静电夹盘内；直流电源，与所述电极电连接，用于产生静电吸引力以吸附待处理基片。8.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述气体输送管道输送的气体为氦气。9.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括：冷却液通道，设于基座内，用于输送冷却液；结合层，设于静电夹盘与基座之间。10.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于，还包括：气源；若干个气体分支，所述气体分支的两端分别连接压力控制器和所述气源，所述气体分支与气体输送管道或边缘进气口连通。11.如权利要求10所述的下电极组件，其特征在于，所述气体分支的个数与气体输送管道和边缘进气口的个数之和相等，一个气体分支连接一个气体输送管道或边缘进气口。12.如权利要求10所述的下电极组件，其特征在于，所述气体分支的个数小于气体输送管道和边缘进行口的个数之和，多个气体输送管道之间、或者多个边缘进气口之间、或者边缘输送管道与边缘进气口之间共用一个气体分支。13.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔；如权利要求1至权利要求12任一项所述的下电极组件，设于所述反应腔内底部。14.如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为电容耦合等离子体处理装置，还包括：安装基板，位于所述反应腔的顶部；气体喷淋头，位于所
述安装基板的下方，且与下电极组件相对设置；射频功率源，与所述气体喷淋头或者基座电连接；偏置射频功率源，与所述基座电连接。15.如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为电感耦合等离子体处理装置，还包括：绝缘窗口，位于所述反应腔顶部；电感线圈，位于所述绝缘窗口上方；射频功率源，与所述电感线圈电连接；偏置射频功率源，与所述基座电连接。
技术总结
一种下电极组件及其包含下电极组件的等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其材料为陶瓷非金属材料；气体输送管道，贯穿所述基座，用于输送气体；气体扩散腔、气体入口和气体出口，设于所述静电夹盘内，来自于所述气体输送管道内的气体通过气体入口进入气体扩散腔，再经所述气体扩散腔扩散后通过气体出口输出至待处理基片的背面。所述等离子体处理装置能够防止电弧放电。处理装置能够防止电弧放电。处理装置能够防止电弧放电。
技术研发人员：黄国民 江家玮 郭二飞 吴狄
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：2020.12.30
技术公布日：2022/6/30