一种显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、包含该显示面板的显示装置以及可应用于该显示面板的一种阵列基板的制造方法。


背景技术：

2.有机发光二极管显示装置具有白发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、大视角、使用温度范围宽、可实现柔性大面积显示全色显示等诸多优点，是目前主流的显示技术。
3.顶发射oled是目前主流的oled面板显示技术，其独特的微腔结构赋予了顶发射oled开口率高，色纯度高，色域广等优点。顶发射oled由全反射阳极(re)和半透半反的阴极(tce)组成，阴极通常由蒸镀的尺寸为10
‑
20nm的mg、ag合金制备，其方阻约为20ω
·
sq
‑
1，存在阴极电阻率高的问题。当oled显示屏的尺寸较小时，其阴极的压降可以忽略；但是当显示屏尺寸较大时，此时阴极的压降不可忽略，直接反映在屏体上，会造成显示亮度不均匀的问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明提供一种显示面板、包含该显示面板的显示装置以及一种阵列基板的制造方法。本发明提供了一种显示面板，包括：衬底基板；位于衬底基板一侧并依次设置的阵列层、阳极、像素定义层、发光层以及阴极，像素定义层包括暴露阳极的第一开口；发光层至少部分位于第一开口内；阴极包括位于非第一开口区的第一间隙；其中，显示面板还包括覆盖第一间隙的第一导电体；第一导电体的电阻率小于阴极的电阻率。
5.本发明还提供了一种包括上述显示面板的显示装置。
6.本发明还包括可应用于上述显示面板的一种阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成阵列层、阳极、像素定义层、发光层以及阴极，像素定义层包括暴露阳极的第一开口；发光层至少部分位于第一开口内；其中，在形成阴极之前，在像素定义层远离衬底基板一侧设置预设导电体；预设导电体位于非第一开口区；阴极通过预设导电体在非第一开口区形成第一间隙；加热阵列基板，预设导电体在加热过程中倒塌形成第一导电体并与所述阴极接触。
7.与现有技术相比，本发明至少具有如下优点：阴极驱动信号从显示面板的边缘向中心传导时，由于第一导电体具有更好的导电性能，那么传递至中心处的电流量与传递至边缘的电流量的差别较小，从而解决屏幕的中心区域亮度偏低而造成的显示不均的问题，使显示面板具有更好的显示效果。
附图说明
8.图1是现有技术中一种显示面板的俯视图；
9.图2是图1所示显示面板沿a
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a’方向的局部剖面图；
10.图3是根据本发明实施例所绘示的一种显示面板的俯视图；
11.图4是图3所示显示面板沿a
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a’方向的一种局部剖面图；
12.图5是图3所示显示面板沿a
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a’方向的又一种局部剖面图；
13.图6是图3所示显示面板沿a
‑
a’方向的又一种局部剖面图；
14.图7是图3所示显示面板沿a
‑
a’方向的又一种局部剖面图；
15.图8是图3所示显示面板沿a
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a’方向的又一种局部剖面图；
16.图9是根据本发明实施例所绘示的一种显示装置的结构示意图；
17.图10是根据本发明实施例所绘示的一种阵列基板的制备方法的流程图；
18.图11是根据本发明实施例所绘示的一种阵列基板的结构示意图；
19.图12是根据本发明实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
20.图13是根据本发明实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
21.图14是根据本发明实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
22.图15是根据本发明实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
23.图16是根据本发明实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
24.图17是根据本发明实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
25.图18是根据本发明实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
26.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
27.需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
28.在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
29.需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。
30.并且，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸张的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本申请中各实施例的附图沿用了相同的附图的标记。此外，各实施例彼此相同之处不再赘述。
31.请参考图1与图2，图1是现有技术中一种显示面板的俯视图，图2是图1所示显示面板沿a
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a’方向的局部剖面图。显示面板10包括衬底基板11、驱动电路层12、发光元件13以及像素定义层14。其中，发光元件13包括阳极131、发光层132以及阴极133。
32.如图1所示，阴极133是整面铺设在衬底基板11上的，目前，在顶出光的oled器件中，阴极133为保证一定的光线透过率，材料通常为透明或者半透明的材料，例如：izo、ito、azo等单层材料或者mg、al、ag与izo、ito、azo中一种或者多种组成的复合材料，此类材料的导电性能一般。应用在大尺寸显示上时，阴极驱动信号从阴极133的边缘向中心传导，在阴极133的压降下，传递至中心处的电流量会低于边缘的电流量，从而使屏幕的中心区域亮度偏低，造成显示不均的问题。
33.参考图3和图4，图3是根据本发明实施例所绘示的一种显示面板的俯视图，图4是图3所示显示面板沿a
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a’方向的一种局部剖面图。显示面板100包括：衬底基板110；位于衬底基板110一侧并依次设置的阵列层120、阳极210、像素定义层130、发光层200以及阴极220；像素定义层130包括暴露阳极210的第一开口134；发光层200至少部分位于第一开口134内；阴极220包括位于非第一开口区的第一间隙170；其中，显示面板100还包括覆盖第一间隙170的第一导电体140。
34.可选的，衬底基板110可以是柔性衬底基板或刚性基板。柔性衬底基板可以是聚酰亚胺树脂等，刚性基板可以是玻璃基板。
35.阵列层120包括驱动电路等器件，具体的，例如薄膜晶体管、电容、走线等，用于驱动发光器件显示。
36.可选的，阵列层120包括沿着远离衬底基板110的方向依次层叠设置的缓冲层121、有源层122、栅极绝缘层123、栅极层124、层间介质层125、源漏极126、平坦化层127，源漏极126与阳极210之间通过过孔128连接。详细的，有源层122设置于缓冲层121上，有源层122的材料可以是铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)，铟镓锌氧化物可以使薄膜晶体管呈现透明柔性的状态；栅极绝缘层123位于有源层122上；栅极层124设置于栅极绝缘层123上，栅极层124的材料可以是钼；层间介质层125覆盖于栅极层124上方，层间介质层125可以是单层结构，也可以是多层层叠结构，本实施例中，层间介质层125是双层结构，例如氮化硅/氧化硅叠层；源漏极126设置于层间介质层125上，源漏极126通过过孔连接至有源层122；平坦化层127覆盖源漏极126及层间介质层125，实现膜层平坦化，平坦化层127的材料可以是氮化硅或氧化硅。
37.需要说明的，本段所说的一膜层位于另一膜层“上”指的是一膜层位于另一膜层远离衬底基板110的一侧。
38.可选的，像素定义层130沿垂直并指向衬底基板110的方向上的厚度逐渐增大，像素定义层130的材料可以包括氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺或聚四氟乙烯中至少一种。
39.可选的，第一导电体140的熔点不高于100℃。第一导电体140的材料可以是低熔点的金属或合金，例如sn，pb，bi，cd等各种含量配比的合金或其他低熔点金属配比的合金材料。可选的，第一导电体140的熔点不高于90℃。可选的，第一导电体140的熔点不高于80℃。可选的，第一导电体140的熔点不高于70℃。
40.具体的，发光层200是oled有机发光二极管中的有机发光层，位于第一开口134中的发光层200，该层一般为具备发光效率高、最好具有电子或空穴传输性能或者两者兼有的
发光材料，发光过程在这一层进行。
41.可选的，阴极220可以是由izo、ito、azo等组成的单层材料，或者mg、al、ag等金属与izo、ito、azo中一种或者多种组成的复合材料。
42.需要说明的，阴极220的第一间隙170位于非第一开口区，那么第一导电体140覆盖第一间隙170则代表着第一导电体140也位于非第一开口区。即第一间隙170两侧的阴极220通过第一导电体140搭接。第一导电体140覆盖第一间隙170可以是第一导电体140在衬底基板110上的垂直投影与第一间隙170在衬底基板110上的垂直投影完全重合；也可以是第一导电体140在衬底基板110上的垂直投影的边缘与第一间隙170在衬底基板110上的垂直投影的边缘存在大于零的间距，即第一导电体140在衬底基板110上的垂直投影与阴极220在衬底基板110上的垂直投影存在部分交叠，第一导电体140与阴极220交叠的部分越多，例如交叠的部分宽度在0
‑
1.5μm之间，由于第一导电体140具有较好的导电性能，那么导电效率越高，显示面板的显示效果更好。
43.结合参考图3与图4，在本发明实施例中，第一导电体140的电阻率小于阴极220的电阻率，电导率与电阻率之间的关系为：r＝1/s，这意味着，较于阴极220，第一导电体140具有更好的导电性能，那么在阴极驱动信号从基板的边缘向中心传导时，由于第一导电体140具有更好的导电性能，那么传递至中心处的电流量与传递至边缘的电流量的差别较小，从而解决屏幕的中心区域亮度偏低而造成的显示不均的问题，使显示面板具有更好的显示效果。
44.如图4所示，第一导电体140位于像素定义层130远离衬底基板110一侧的表面上，即第一间隙170也位于像素定义层130远离衬底基板110一侧的表面上，阴极220在像素定义层130远离衬底基板110一侧的表面上断开形成多个阴极子单元，将像素定义层130作为第一导电体的140的承载衬底，在工艺制程上更为简单方便。
45.如图5所示，图5是图3所示显示面板沿a
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a’方向的又一种局部剖面图。与图4所示实施例不同之处在于，像素定义层130背离衬底基板110一侧还包括第二开口136，第一导电体140位于第二开口136内，则第一间隙170也位于第二开口136内，阴极220在第二开口136处断开形成多个阴极子单元。
46.可选的，第二开口136小于第一开口134。第二开口136小于第一开口134指的是第二开口136在衬底基板110所在平面的垂直投影面积大于第一开口134在衬底基板110所在平面的垂直投影面积，第一导电体140位于第二开口136中，第一开口134与第二开口136同样是复用像素定义层来制备，那么第二开口136的开口大小将会影响到第一开口134的可设置数量，第一开口134用于制备像素单元，第二开口136的开口大小会影响像素单元的可设置数量，从而进一步影响到显示面板的分辨率，当第二开口136设置的尽可能小，那么第一开口136的可设置数量增多，即像素单元的可设置数量增加，进而增加显示面板的分辨率；另一方面，第一导电体140加热后会形成可流动的熔体，将第一导电体140设置在第二开口136中，第二开口136可以用于承载可流动的熔体，使其不会流动到其他膜层(例如第一开口134)中。
47.本发明实施例中，由于第二开口是复用像素定义层制作而成，像素定义层并不是另外制作的膜层，将第一导电体做在第二开口中，不会额外增加显示面板的厚度，另外，第二开口可以限定第一导电体加热后形成的熔体不会流动到第一开口中，从而影响显示面板
的发光。
48.在本发明的一些实施例中，如图4、图5所示，显示面板100还包括位于第一导电体140远离衬底基板110一侧的辅助子单元150，辅助子单元150与阴极220同层同材料。需要说明的，辅助子单元150与阴极220同层同材料是指辅助子单元150与阴极220是在同一道工艺流程中共同制作而成且使用的是相同的材料，降低了对整面阴极层进行工艺改进的操作难度。在制作阴极220时，一般是通过整面蒸镀来进行的，因此在像素定义层130上设置第一导电体140，第一导电体140上会蒸镀上一层与阴极220同材料的辅助子单元150，并且由于在加热前的第一导电体140与阴极220之间存在高度差，那么在第一导电体140倒塌后，辅助子单元150与阴极220之间会存在间隙。
49.参考图6，图6是图3所示显示面板沿a
‑
a’方向的又一种局部剖面图。显示面板100还包括第一信号线180和位于第一信号线180与第一导电体140之间的第一绝缘层190，第一导电体140通过第一绝缘层190中过孔与第一信号线180电连接。
50.需要说明的，这里的第一信号线是指为阴极传输信号的阴极驱动信号线，即pvee。
51.可选的，如图6所示，第一绝缘层190可以是平坦化层127，即第一信号线180通过平坦化层127中过孔向第一导电体140提供电信号，如此设置，第一信号线180不需要绕过各种阻挡物就可向第一导电体140提供电信号，进一步简化了工艺流程。
52.第一绝缘层190也可以是像素定义层130，即第一信号线180通过像素定义层130中过孔向第一导电体140提供电信号。第一绝缘层190还可以是阵列层120中任一绝缘层，第一绝缘层190还可以是封装层，在此处不做限定。
53.参考图7，图7是图3所示显示面板沿a
‑
a’方向的又一种局部剖面图。显示面板100还包括位于第一导电体140和第一信号线180之间的辅助金属层230，第一导电体140通过辅助金属层230与第一信号线180电连接。第一导电体140即要达到熔点较低又要导电性能较好，那么可选的材料范围较为狭窄，在本发明实施例中，通过在第一导电体140与第一信号线180之间设置导电性能更为优越的金属，例如ag等，提高第一导电体140与第一信号线180之间的导电效率，从而使第一导电体140具有更佳的电流量，进一步减少阴极驱动信号从阴极边缘传输至中心产生的中心与边缘电流量差别大而导致的显示不均的问题。
54.可选的，显示面板还包括驱动电路，驱动电路与阳极电连接并传递驱动信号给阳极，具体的，如图7所示，驱动信号由薄膜晶体管12传递给阳极210。
55.可选的，如图7所示，辅助金属层230与阳极210同层，那么在第一导电体140位于第二开口136中时，辅助金属层230除了可以使第一导电体140具有更佳的电流量之外，也可以作为第一导电体140的承载衬底。第一信号线180位于平坦化层127并通过过孔与辅助金属层230电连接时，第一导电体140设置于辅助金属层230的表面上即可与第一信号线180导通。
56.可选的，辅助金属层230与阳极210同材料，在顶发射oled中，阳极210的材料可以是金属单层材料或金属与ito等组成的复合材料，那么辅助金属层230可以与阳极210在同一道工艺流程中制作，这进一步简便了工艺流程并减少了工艺成本。
57.在本发明实施例中，通过第一导电体与第一信号线之间设置导电性能更佳的辅助金属层，提高第一导电体与第一信号线之间的导电效率，从而进一步减少边缘与中心之间的电流量差，提升显示效果。
58.参考图8，图8是图3所示显示面板沿a
‑
a’方向的又一种局部剖面图。显示面板100还包括位于阴极220与发光层200之间的辅助显示层240；辅助显示层240包括位于非第一开口区的第二间隙241，第二间隙241在衬底基板110的垂直投影与第一导电体140在衬底基板110的垂直投影至少部分交叠。
59.需要说明的，辅助显示层240指的是电子传输层、空穴传输层等，空穴传输层，该层由有机材料分子构成，例如聚对苯撑乙烯(ppv)类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类、腙类、吡唑啉类、嚼唑类、咔唑类、丁二烯类等，这些分子传输由阳极210而来的“空穴”；电子传输层，该层一般为含有氮原子和强吸电子基团的有机分子，这些分子传输由阴极220而来的“电子”。
60.像阴极、电子传输层、空穴传输层等膜层，一般会使用光刻掩膜版来整面制作，那么阴极驱动信号线在电连接阴极时，会先经过电子传输层、空穴传输层等膜层，这些膜层的有机材料电阻率都较大，会使传递给阴极的电流量减少。而由于第一导电体140的遮蔽效应下，电子传输层、空穴传输层等辅助显示层240产生第二间隙241，从而使辅助显示层240在第二间隙241处断开。第二间隙241在衬底基板110的垂直投影与第一导电体140在衬底基板110的垂直投影至少部分交叠，而第一导电体140覆盖第一间隙170，则第一间隙170与第二间隙241之间也存在交叠区域。第一导电体140可通过第一间隙170与第二间隙241之间的交叠区与阴极驱动电路直接电连接，不需要再经过电阻率高的辅助显示层240与阴极220，因此可进一步减少电流量的损失。在本发明实施例中，辅助显示层由于第一导电体的遮蔽效应断开，产生了第二间隙，第一导电体通过第二间隙与阴极驱动电路直接电连接，减少了由于辅助显示层电阻率高造成的电流量损失。
61.本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。图9是根据本发明实施例所绘示的一种显示装置的结构示意图。显示装置1000包括本发明上述任一实施例提供的显示面板。图9实施例仅以手机为例，对显示装置1000进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
62.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供可应用于上述显示面板的一种阵列基板的制备方法。图10是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图。如图10所示，所述制备方法可以包括：
63.s1：提供衬底基板；
64.s2：在衬底基板上依次形成阵列层、阳极、像素定义层、发光层以及阴极，像素定义层包括暴露阳极的第一开口；发光层，至少部分位于第一开口内；
65.如图11所示，图11是根据本发明实施例绘示的一种阵列基板的局部剖面图。在衬底基板110上依次形成阵列层120、阳极210以及像素定义层130。
66.s3：在形成阴极之前，在像素定义层远离衬底基板一侧设置预设导电体；预设导电体位于非第一开口区；阴极通过预设导电体在非第一开口区形成第一间隙；
67.如图12所示，图12是根据本发明实施例绘示的又一种阵列基板的局部剖面图。在形成阴极之前，在像素定义层130远离衬底基板110一侧，通过蒸镀或溅射的方法制备一层
的金属140”，金属140”的厚度是0
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3μm，金属140”可以选用sn，pb，bi，cd等各种含量配比的合金或其他金属配比的合金材料。需要说明的，这里的金属或合金的材料和含量配比的具体数值在此不做限定，只需要达到低熔点温度即可。可选的，金属140”的熔点温度不高于100℃；可选的，金属140”的熔点温度不高于90℃；可选的，金属140”的熔点温度不高于80℃。
68.将制备的金属140”进行图案化来形成预设导电体140’，如图13所示，图13是根据本发明实施例绘示的又一种阵列基板的局部剖面图，预设导电体140’远离衬底基板110的表面为第一表面141，预设导电体140’靠近衬底基板110的表面为第二表面142，第二表面142在衬底基板110的垂直投影位于第一表面141在衬底基板110的垂直投影内。
69.可选的，若预设导电体位于像素定义层的表面上，第二表面的宽度在10
‑
20μm之间，若预设导电体位于第二开口中，第二表面的宽度2
‑
10μm之间。
70.在可选的，如图13所示，预设导电体140’为倒梯形。倒梯形相比于其他第一表面141大于第二表面142的图形来说，工艺上制作更为简便高效。
71.可选的，如图14所示，图14是根据本发明实施例绘示的又一种阵列基板的局部剖面图。预设导电体140’为侧壁为内弧形的沙漏状。因为只需预设导电体140’在蒸镀阴极220和辅助显示层240时能够产生遮蔽效应，那么只要第一表面141大于第二表面142即可，因此预设导电体140’的图形在此处不做限定。
72.在本发明中，要实现预设导电体140’在蒸镀阴极220和辅助显示层240时产生遮蔽效应，预设导电体140’的第一表面141要大于预设导电体140’的第二表面142，那么阴极220和辅助显示层240会由于第一表面141的遮蔽效应，无法蒸镀在预设导电体140’的侧壁上，从而使阴极220和辅助显示层240在非第一开口区断开，留下间隙，从而使得阴极220与预设导电体140’之间不搭接；而同时预设导电体140’要起到支撑作用，那么第一表面141并不是比第二表面142越大越好。沿第一方向上，第一表面141是第二表面142的1.5
‑
3倍为最佳方案。需要说明的，这里的第一方向指的是平行于衬底基板110所在平面并沿像素单元指向相邻像素单元的方向。
73.结合参考图15与16，图15是根据本发明实施例绘示的又一种阵列基板的局部剖面图，图16是根据本发明实施例绘示的又一种阵列基板的局部剖面图。在蒸镀阴极220之前，一般会先蒸镀一层辅助显示层240，辅助显示层240指的是电子传输层、空穴传输层等。由于预设导电体140’的第一表面141大于预设导电体140’的第二表面142，辅助显示层240无法蒸镀在预设导电体140’的侧壁上，因此在此形成第二间隙241，使辅助显示层240在第二间隙241处断开。
74.如图16所示，同辅助显示层240一样，阴极220由于预设导电体140’的遮蔽效应在非第一开口区形成第一间隙170，使得阴极220在第一间隙170处断开，形成多个阴极子单元。
75.s4：加热阵列基板，预设导电体在加热过程中倒塌形成第一导电体并与阴极接触。
76.将阵列基板1传入高真空的烘烤腔室，将温度调节至预设导电体140’的熔点温度附近，例如预设导电体140’的熔点温度是100℃，那么烘烤腔室的加热温度的范围可设置为100
±
5℃。由于热量的作用，如图17所示，图17是根据本发明实施例绘示的又一种阵列基板的局部剖面图，预设导电体140’受热倒塌形成第一导电体140，并与蒸镀好的阴极220接触。
77.在预设导电体140’倒塌后形成的第一导电体140会覆盖阴极220的第一间隙170，这意味着会第一导电体140会作为第一间隙170两侧的阴极子单元的连接桥梁，通过第一导电体140的搭接，整面阴极又再度导通，从而不影响显示面板的发光。
78.图18是根据本发明实施例绘示的又一种阵列基板的局部剖面图，图18中阵列基板的制备流程与图16中阵列基板的制备方法相似，此处不再赘述，区别在于图16所示预设导电体140’设置在像素定义层230的表面上，而图18所示预设导电体140’设置在第二开口136中；且在图18中，可选的，可在预设导电体140’与阴极驱动电路(第一信号线180)之间设置与阳极210同层的辅助金属层230，辅助金属层230可作为预设导电体140’的承载衬底，预设导电体140’使用辅助金属层230作为衬底制作，可保持预设导电体140’的平整性，使工艺更为简便，并且，导电性能更好的辅助金属层230可提高预设导电体140’与阴极驱动电路(第一信号线180)之间的导电效率。图16中所示预设导电体140’可通过像素定义层130中过孔与阴极驱动电路(第一信号线180)电连接实现阴极信号传输，无需经过电阻率高的辅助显示层240与阴极220，减少电流量的损失。结合参考图7与图18，图7所示第一导电体140是图18中预设导电体140’倒塌后形成的，将第一导电体140制作在第二开口136中，第一导电体140可通过第一间隙170与第二间隙241之间的交叠区与阴极驱动电路180直接电连接，或如图7所示，辅助金属层230一侧与第一导电体140接触，另一侧电连接阴极驱动电路(第一信号线180)，从而实现第一导电体140与阴极驱动电路(第一信号线180)之间的电信号传输，不需要再经过电阻率高的辅助显示层240与阴极220，因此可进一步减少电流量的损失。
79.预设导电体140’受热融化后，变成可流动的熔体，会产生使表面尽可能缩小的力，即表面张力，在表面张力的作用下，如图17和图18所示，预设导电体140’倒塌后呈现的第一导电体140沿远离衬底基板110的方向上，第一导电体140的宽度逐渐减小。若预设导电体140’是倒梯形的，那么熔化后形成的第一导电体140的上表面为凸弧面。
80.以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。