本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种先进四方扁平无引脚封装工艺。
背景技术：
四方扁平无引脚封装工艺是一种芯片封装形式，pqfp封装的芯片的四周均有引脚，其引脚总数一般都在100以上，而且引脚之间距离很小，管脚也很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式；用这种形式封装的芯片必须采用smt将芯片边上的引脚与主板焊接起来，采用smt安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点，将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。
现有采用四方扁平无引脚封装工艺时，会通过树脂或者导电胶等结构进行封装，由于采用的封装结构一体化，并无法进行有效的分类，因此在使用中，无法根据不同的电子元件进行专门的防护，因此实际使用中存在较大的局限性，具有可改进的空间。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种先进四方扁平无引脚封装工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种先进四方扁平无引脚封装工艺，包括以下步骤：
步骤一：提供一层基板，该基板具有上下表面，且上下表面均为平面状，并在基板的上下表面处覆上薄膜，同时该基板包括至少一个容纳槽，该容纳槽具有周围部、中心部以及多个存在于周围部与中心部之间的多个内引脚部；
步骤二：将用于封装芯片的放置在容纳槽内，并在容纳槽的表面浇注树脂a，刮平，使得树脂a的厚度为0.2～0.4mm；
步骤三：将薄膜取出，将超出容纳槽外的树脂a进行清理；
步骤四：将芯片表面的焊盘与引线框架的管脚连接；
步骤五：将基板上再次铺设薄膜，该薄膜上开设有预留焊盘与引线框架贯穿的孔，随后在焊盘与引线框架处浇注树脂b进行密封；
步骤六：将薄膜撕除，将超出步骤五中孔外部的树脂进行清理；
步骤七：通过塑封胶体将整个基板进行塑封闭合。
优选的，所述步骤一与步骤五中的薄膜均为聚四氟乙烯薄膜，该薄膜朝向基板方向侧面处涂有具有粘性的胶水，该聚四氟乙烯薄膜的厚度为0.1～0.3mm。
优选的，所述步骤二中的树脂a为聚氯乙烯树脂，密度为1.3～1.4g/mlat。
优选的，所述步骤五中的树脂b为热固性树脂，该热固性树脂为三聚氰胺甲醛树脂、呋喃树脂、聚丁二烯树脂、有机硅树脂中的一种或多种。
优选的，所述容纳槽的内壁为粗糙表面，粗糙度为0.12～0.149um。
优选的，所述引脚包括至少一种耐腐蚀金属制成，且该引脚的横截面呈多段弯曲状。
优选的，所述步骤二中的树脂a直接置于容纳槽内。
优选的，还包括金属防护层，该金属防护层处于基板的表面，且金属防护层与容纳槽处于对立面。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
通过树脂a和树脂b的设置，可以在封装中，根据不同的电子元件进行相适配的封装，使得整体的封装效果更高，防护效果也得到有效的提升，能够根据不同的电子元件进行专门的防护，完善了现有封装中的不足。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本发明提供一种技术方案：一种先进四方扁平无引脚封装工艺，包括以下步骤：
步骤一：提供一层基板，该基板具有上下表面，且上下表面均为平面状，并在基板的上下表面处覆上薄膜，同时该基板包括至少一个容纳槽，该容纳槽具有周围部、中心部以及多个存在于周围部与中心部之间的多个内引脚部；
步骤二：将用于封装芯片的放置在容纳槽内，并在容纳槽的表面浇注树脂a，刮平，使得树脂a的厚度为0.3mm；
步骤三：将薄膜取出，将超出容纳槽外的树脂a进行清理；
步骤四：将芯片表面的焊盘与引线框架的管脚连接；
步骤五：将基板上再次铺设薄膜，该薄膜上开设有预留焊盘与引线框架贯穿的孔，随后在焊盘与引线框架处浇注树脂b进行密封，通过树脂a和树脂b的设置，可以在封装中，根据不同的电子元件进行相适配的封装，使得整体的封装效果更高，防护效果也得到有效的提升，能够根据不同的电子元件进行专门的防护，完善了现有封装中的不足；
步骤六：将薄膜撕除，将超出步骤五中孔外部的树脂进行清理；
步骤七：通过塑封胶体将整个基板进行塑封闭合。
本实施例中，优选的，步骤一与步骤五中的薄膜均为聚四氟乙烯薄膜，该薄膜朝向基板方向侧面处涂有具有粘性的胶水，该聚四氟乙烯薄膜的厚度为0.2mm。
本实施例中，优选的，步骤二中的树脂a为聚氯乙烯树脂，密度为1.35g/mlat。
本实施例中，优选的，步骤五中的树脂b为热固性树脂，该热固性树脂为三聚氰胺甲醛树脂。
本实施例中，优选的，容纳槽的内壁为粗糙表面，粗糙度为0.13um。
本实施例中，优选的，引脚包括至少一种耐腐蚀金属制成，且该引脚的横截面呈多段弯曲状。
本实施例中，优选的，步骤二中的树脂a直接置于容纳槽内。
本实施例中，优选的，还包括金属防护层，该金属防护层处于基板的表面，且金属防护层与容纳槽处于对立面。
实施例2
本发明提供一种技术方案：一种先进四方扁平无引脚封装工艺，包括以下步骤：
步骤一：提供一层基板，该基板具有上下表面，且上下表面均为平面状，并在基板的上下表面处覆上薄膜，同时该基板包括至少一个容纳槽，该容纳槽具有周围部、中心部以及多个存在于周围部与中心部之间的多个内引脚部；
步骤二：将用于封装芯片的放置在容纳槽内，并在容纳槽的表面浇注树脂a，刮平，使得树脂a的厚度为0.2mm；
步骤三：将薄膜取出，将超出容纳槽外的树脂a进行清理；
步骤四：将芯片表面的焊盘与引线框架的管脚连接；
步骤五：将基板上再次铺设薄膜，该薄膜上开设有预留焊盘与引线框架贯穿的孔，随后在焊盘与引线框架处浇注树脂b进行密封，通过树脂a和树脂b的设置，可以在封装中，根据不同的电子元件进行相适配的封装，使得整体的封装效果更高，防护效果也得到有效的提升，能够根据不同的电子元件进行专门的防护，完善了现有封装中的不足；
步骤六：将薄膜撕除，将超出步骤五中孔外部的树脂进行清理；
步骤七：通过塑封胶体将整个基板进行塑封闭合。
本实施例中，优选的，步骤一与步骤五中的薄膜均为聚四氟乙烯薄膜，该薄膜朝向基板方向侧面处涂有具有粘性的胶水，该聚四氟乙烯薄膜的厚度为0.1mm。
本实施例中，优选的，步骤二中的树脂a为聚氯乙烯树脂，密度为1.4g/mlat。
本实施例中，优选的，步骤五中的树脂b为热固性树脂，该热固性树脂为三聚氰胺甲醛树脂、呋喃树脂、聚丁二烯树脂。
本实施例中，优选的，容纳槽的内壁为粗糙表面，粗糙度为0.12um。
本实施例中，优选的，引脚包括至少一种耐腐蚀金属制成，且该引脚的横截面呈多段弯曲状。
本实施例中，优选的，步骤二中的树脂a直接置于容纳槽内。
本实施例中，优选的，还包括金属防护层，该金属防护层处于基板的表面，且金属防护层与容纳槽处于对立面。
实施例3
本发明提供一种技术方案：一种先进四方扁平无引脚封装工艺，包括以下步骤：
步骤一：提供一层基板，该基板具有上下表面，且上下表面均为平面状，并在基板的上下表面处覆上薄膜，同时该基板包括至少一个容纳槽，该容纳槽具有周围部、中心部以及多个存在于周围部与中心部之间的多个内引脚部；
步骤二：将用于封装芯片的放置在容纳槽内，并在容纳槽的表面浇注树脂a，刮平，使得树脂a的厚度为0.4mm；
步骤三：将薄膜取出，将超出容纳槽外的树脂a进行清理；
步骤四：将芯片表面的焊盘与引线框架的管脚连接；
步骤五：将基板上再次铺设薄膜，该薄膜上开设有预留焊盘与引线框架贯穿的孔，随后在焊盘与引线框架处浇注树脂b进行密封，通过树脂a和树脂b的设置，可以在封装中，根据不同的电子元件进行相适配的封装，使得整体的封装效果更高，防护效果也得到有效的提升，能够根据不同的电子元件进行专门的防护，完善了现有封装中的不足；
步骤六：将薄膜撕除，将超出步骤五中孔外部的树脂进行清理；
步骤七：通过塑封胶体将整个基板进行塑封闭合。
本实施例中，优选的，步骤一与步骤五中的薄膜均为聚四氟乙烯薄膜，该薄膜朝向基板方向侧面处涂有具有粘性的胶水，该聚四氟乙烯薄膜的厚度为0.3mm。
本实施例中，优选的，步骤二中的树脂a为聚氯乙烯树脂，密度为1.4g/mlat。
本实施例中，优选的，步骤五中的树脂b为热固性树脂，该热固性树脂为三聚氰胺甲醛树脂、呋喃树脂、聚丁二烯树脂、有机硅树脂。
本实施例中，优选的，容纳槽的内壁为粗糙表面，粗糙度为0.149um。
本实施例中，优选的，引脚包括至少一种耐腐蚀金属制成，且该引脚的横截面呈多段弯曲状。
本实施例中，优选的，步骤二中的树脂a直接置于容纳槽内。
本实施例中，优选的，还包括金属防护层，该金属防护层处于基板的表面，且金属防护层与容纳槽处于对立面。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。