1.一种阵列基板，其特征在于，设有阳极层，所述阳极层包括：
第一导电层；
反射金属层，设于所述第一导电层上；
防结晶层，设于所述反射金属层上；以及
第二导电层，设于所述防结晶层上；
其中在所述阳极层被蚀刻时，所述防结晶层用于防止所述第二导电层在所述反射金属层上结晶。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射金属层的材质包括银。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述防结晶层的材质包括铜；所述防结晶层的厚度为5埃-100埃。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层的材质包括氧化铟锡。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
玻璃基板；
阻隔层，设于所述玻璃基板上；
缓冲层，设于所述玻璃基板上并完全覆盖所述阻隔层；
有源层，设于所述缓冲层上并对应所述阻隔层设置；
栅极绝缘层，设于所述有源层上；
栅极层，设于所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设于所述栅极层上；
源漏极层，设于所述层间绝缘层上；以及
钝化层，设于所述源漏极层上；所述阳极层设于所述钝化层上并与所述源漏极层电连接。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括制作阳极层步骤，所述制作阳极层步骤具体包括：
制作第一导电层；
在所述第一导电层上制作反射金属层；
在所述反射金属层上制作防结晶层；
在所述防结晶层上制作第二导电层；以及
蚀刻所述阳极层进行图案化处理，在所述阳极层被蚀刻时，所述防结晶层用于防止所述第二导电层在所述反射金属层上结晶。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述反射金属层的材质包括银。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述防结晶层的材质包括铜；所述防结晶层的厚度为5埃-100埃。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层的材质包括氧化铟锡。
10.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述制作阳极层步骤之前还包括：
在一玻璃基板上制作阻隔层；
在所述玻璃基板上制作缓冲层，所述缓冲层完全覆盖所述阻隔层；
在所述缓冲层上制作有源层，所述有源层对应所述阻隔层设置；
在所述有源层上制作栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制作栅极层；
在所述栅极层上制作层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上制作源漏极层；以及
在所述源漏极层上制作钝化层；在所述钝化层上制作所述阳极层，所述阳极层与所述源漏极层电连接。