技术总结
一种高阻断电压的氮化镓PN二极管及制备方法,涉及氮化镓功率半导体器件。包括基板、过渡层、漂移层、有源区、漂移通道、场板和金属电极层；有源区第二半导体层、漂移层和两个漂移通道构成一个环状的漂移区结构，相对于仅有横向漂移区的横向结构氮化镓PN二极管或者仅有垂直漂移区的垂直结构氮化镓PN二极管，本发明中的漂移区的路径总长度大于制作在相同基板及外延层尺寸的横向结构或者垂直结构氮化镓PN二极管中漂移区的路径长度，由此增大氮化镓PN二极管的阻断电压。本发明具有提高器件的阻断电压，同时使阳极电极、阴极电极和场板电极汇集于器件结构的顶面，形成一种共面的器件输入输出电极结构，便于实现器件的平面集成化以及在功率集成电路中应用等特点。及在功率集成电路中应用等特点。及在功率集成电路中应用等特点。
技术研发人员：赵成 韩亚 孙越 王思元 王毅
受保护的技术使用者：扬州扬杰电子科技股份有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021/5/18