技术总结
本发明涉及激光器芯片处理领域，公开了一种高速25G半导体激光器芯片的封装结构及方法，所述高速25G半导体激光器芯片的封装结构包括：封装壳体及嵌合于所述封装壳体内部的半导体激光器本体组成；所述封装壳体内部的上下两面焊接有具有多个热传热系数的两个复合衬底，所述两个复合衬底之间设有至少两个垂直于所述复合衬底的过渡热沉块，所述相邻两个过渡热沉块之间设有一个半导体激光器本体，由此，通过将半导体激光器本体封装至具有多个热传热系数的两个复合衬底及过渡热沉块之间，提高了半导体激光器本体的散热效率，进而提高了激光器的激光光束质量。光器的激光光束质量。光器的激光光束质量。
技术研发人员：毛虎 宿志成 杨雷 牛飞飞 焦英豪
受保护的技术使用者：武汉瑞思顿光电科技有限公司
技术研发日：2020.12.30
技术公布日：2021/4/23