一种显示器件及其制备方法与流程

1.本发明涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种显示器件及其制备方法。


背景技术：

2.由于量子点独特的光电性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(qled)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，qled显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多lcd所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。
3.qled器件工作时需要注入电子和空穴，最简单的qled器件由阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极组成。在qled器件中，量子点发光层夹在电荷传输层中间，当正向偏压加到qled器件两端时，电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层，在量子点发光层进行复合发光。
4.经过二十多年的发展，量子点材料得到了飞跃发展，红绿蓝qled器件的外量子效率得到了巨大提升，尤其在以cdse为主的器件。qled器件效率的提升突出了其未来的前景。到目前为止，红绿量子点器件量子效率均大于20％，器件寿命已经和红色绿色oled器件在同一水平，已经达到商业化应用的水平。但是，与蓝色oled器件相比，蓝色量子点器件无论是器件效率还是器件寿命都有较大差距。
5.因此，现有技术还有待于改进和发展。


技术实现要素：

6.鉴于上述发现，本发明提出了一种兼具qled(量子点发光二极管)和oled(有机发光二极管)的复合器件结构，其中红光子像素和绿光子像素均采用qled结构，蓝光子像素采用oled结构，这样可以确保红、绿、蓝光子像素均可实现高的发光材料和长寿命。
7.进一步发现，基于qled和oled的复合器件结构，在全彩显示器件制备的过程中会面临结构和工艺无法兼容的问题。这是因为qled器件中只有无机金属氧化物纳米颗粒制备的电子传输层，如zno等作为电子传输层，才具有优异的电子传输性能；采用该材料制备电子传输层的工艺一般是溶液法，如喷墨打印，旋涂等。而oled器件中，电子传输层的材料通常是有机小分子材料，采用该材料制备电子传输层的工艺一般是蒸镀法。因此，在制备电子传输层时工艺上无法兼容，无法同时满足qled和oled的需求。
8.基于此，本发明提供了一种显示器件，包括呈阵列排列的若干像素，其中，每个像素包括呈阵列排列的红光子像素、绿光子像素、第一蓝光子像素；
9.所述红光子像素包括依次层叠设置的第一阳极、第一空穴功能层、红光量子点发光层、第一过渡层、第一电子传输层和第一阴极；
10.所述绿光子像素包括依次层叠设置的第二阳极、第二空穴功能层、绿光量子点发光层、第二过渡层、第二电子传输层和第二阴极；
11.所述第一蓝光子像素包括依次层叠设置的第三阳极、第三空穴功能层、蓝光有机
发光材料层、第三过渡层、第三电子传输层和第三阴极；
12.其中，所述红光子像素、绿光子像素和第一蓝光子像素中的第一阳极、第二阳极和第三阳极位于显示器件的同一侧；
13.其中，所述第一过渡层的材料、第二过渡层的材料和第三过渡层的材料均包括具有共扼平面的芳香族化合物，所述第一电子传输层的材料、第二电子传输层的材料和第三电子传输层的材料均包括金属氧化物。
14.可选地，每个像素还包括第二蓝光子像素，所述第二蓝光子像素包括依次层叠设置的第四阳极、第四空穴功能层、蓝光量子点发光层、第四过渡层、第四电子传输层和第四阴极；
15.其中，所述第二蓝光子像素中的第四阳极与第一蓝光子像素中的第三阳极位于同一侧；
16.所述第四过渡层的材料包括具有共扼平面的芳香族化合物，所述第四电子传输层的材料包括金属氧化物。
17.可选地，所述具有共扼平面的芳香族化合物选自8-羟基喹啉铝、1，2，4-三唑衍生物、pbd(苯基联苯基呃二唑)、beq2(8-羟基喹啉铍)和dpvbi(4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯)中的一种或多种。
18.可选地，所述第一过渡层的厚度为2-20nm；
19.和/或，所述第二过渡层的厚度为2-20nm；
20.和/或，所述第三过渡层的厚度为2-20nm；
21.和/或，所述第四过渡层的厚度为2-20nm。
22.可选地，所述第一电子传输层的厚度为20-50nm；
23.和/或，所述第二电子传输层的厚度为20-50nm；
24.和/或，所述第三电子传输层的厚度为20-50nm；
25.和/或，所述第四电子传输层的厚度为20-50nm。
26.可选地，红光量子点的发光波长为610-625nm，和/或绿光量子点的发光波长为525-550nm，和/或蓝光有机发光材料选自聚芴和聚芴衍生物中的一种或多种。
27.可选地，所述红光子像素还包括第一光取出层，所述第一光取出层位于所述第一阴极远离所述第一阳极一侧的表面；
28.所述绿光子像素还包括第二光取出层，所述第二光取出层位于所述第二阴极远离所述第二阳极一侧的表面；
29.所述第一蓝光子像素还包括第三光取出层，所述第三光取出层位于所述第三阴极远离所述第三阳极一侧的表面。
30.一种显示器件的制备方法，所述显示器件包括呈阵列排列的若干像素，其中，每个像素包括呈阵列排列的红光子像素、绿光子像素、第一蓝光子像素；
31.每个像素的制备方法包括步骤：
32.将基板划分成红光子像素区域、绿光子像素区域、第一蓝光子像素区域；
33.在所述红光子像素区域、绿光子像素区域、第一蓝光子像素区域内分别形成第一阳极、第二阳极和第三阳极，在所述第一阳极、第二阳极和第三阳极上分别形成第一空穴功能层、第二空穴功能层和第三空穴功能层；
34.在所述第一空穴功能层、第二空穴功能层和第三空穴功能层上分别形成红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光材料层；
35.在所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光材料层上分别形成第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层，在所述第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层上分别形成第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层；
36.在所述第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层上分别形成第一阴极、第二阴极和第三阴极，分别得到红光子像素、绿光子像素和第一蓝光子像素；
37.其中，所述第一过渡层的材料、第二过渡层的材料和第三过渡层的材料均包括具有共扼平面的芳香族化合物，所述第一电子传输层的材料、第二电子传输层的材料和第三电子传输层的材料均包括金属氧化物。
38.可选地，所述具有共扼平面的芳香族化合物选自8-羟基喹啉铝、1，2，4-三唑衍生物、pbd、beq2和dpvbi中的一种或多种。
39.一种显示器件的制备方法，所述显示器件包括呈阵列排列的若干像素，其中，每个像素包括呈阵列排列的红光子像素、绿光子像素、第一蓝光子像素；
40.每个像素的制备方法包括步骤：
41.将基板划分成红光子像素区域、绿光子像素区域、第一蓝光子像素区域；
42.在所述红光子像素区域、绿光子像素区域、第一蓝光子像素区域内分别形成第一阴极、第二阴极和第三阴极，在所述第一阴极、第二阴极和第三阴极上分别形成第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层，在所述第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层上分别形成第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层；
43.在所述第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层上分别形成红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光材料层；
44.在所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光材料层上分别形成第一空穴功能层、第二空穴功能层和第三空穴功能层；
45.在所述第一空穴功能层、第二空穴功能层和第三空穴功能层上分别形成第一阳极、第二阳极和第三阳极，分别得到红光子像素、绿光子像素和第一蓝光子像素；
46.其中，所述第一过渡层的材料、第二过渡层的材料和第三过渡层的材料均包括具有共扼平面的芳香族化合物，所述第一电子传输层的材料、第二电子传输层的材料和第三电子传输层的材料均包括金属氧化物。
47.有益效果：本发明提供了一种qled和oled结合的全彩的显示器件。本发明r、g子像素中，通过在量子点发光层与金属氧化物电子传输层之间增设一层具有一定电子传输能力的过渡层，由于所述过渡层电子传输能力比金属氧化物电子传输材料的传输能力低一个量级以上，因此所述过渡层能够起到抑制电子传输的作用，从而有利于调节r、g子像素中载流子的注入与传输平衡，提升r、g子像素的性能。同时，所述过渡层能够将金属氧化物电子传输层与量子点发光层隔离，从而有效抑制金属氧化物的缺陷态发光。本发明b1子像素中，通过在有机材料发光层与金属氧化物电子传输层之间增设一层具有一定电子传输能力的过渡层，所述过渡层可以起到电子传输的作用，且由于所述b1子像素中电子传输层采用的是金属氧化物，其电子传输能力远远高于所述过渡层，从而确保了电子的传输。因此，通过在基于量子点的r、g子像素和基于有机发光材料的b1子像素中增设过渡层，且b1子像素中电
子传输层采用金属氧化物，最终确保了r、g、b1三个子像素结构和工艺相同，有效解决了现有qled和oled制备过程中面临结构和工艺无法兼容的问题。
附图说明
48.图1为本发明实施例提供的一种显示器件的结构示意图。
49.图2为本发明实施例提供的一种显示器件的另一结构示意图。
50.图3为本发明实施例提供的一种显示器件的制备方法的流程示意图。
51.图4为图3中经步骤s11得到的结构示意图。
52.图5为图3中经步骤s12得到的结构示意图。
53.图6为图3中经步骤s13得到的结构示意图。
54.图7为图3中经步骤s14得到的结构示意图。
55.图8为图3中经步骤s15得到的结构示意图。
56.图9为图3中经步骤s16得到的结构示意图。
57.图10为图3中经步骤s17得到的结构示意图。
具体实施方式
58.本发明提供一种显示器件及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
59.首先需说明的是，本实施例中，每个子像素有多种形式，且每个子像素分正型结构和反型结构，当阳极位于基板上时，子像素为正型结构；当阴极位于基板上时，子像素为反型结构，本实施例将主要以如图1所示的结构为例进行详细介绍。
60.如图1所示，本发明实施例提供一种显示器件，包括呈阵列排列的若干像素，其中，每个像素包括呈阵列排列的红光子像素、绿光子像素、第一蓝光子像素；
61.所述红光子像素包括依次层叠设置的第一阳极(anode)、第一空穴注入层(hil)、第一空穴传输层(htl)、红光量子点发光层(eml-r，qd)、第一过渡层(bl)、第一电子传输层(etl)、第一阴极(cathode)和第一光取出层(cpl，如npb)；
62.所述绿光子像素包括依次层叠设置的第二阳极(anode，如ito/ag/ito)、第二空穴注入层(hil)、第二空穴传输层(htl)、绿光量子点发光层(eml-g，qd)、第二过渡层(bl)、第二电子传输层(etl)、第二阴极(cathode)和第二光取出层(cpl，如npb)；
63.所述第一蓝光子像素包括依次层叠设置的第三阳极(anode，如ito/ag/ito)、第三空穴注入层(hil)、第三空穴传输层(htl)、蓝光有机发光材料层(eml-b，oled)、第三过渡层(bl)、第三电子传输层(etl)、第三阴极(cathode)和第三光取出层(cpl，如npb)；
64.其中，所述红光子像素、绿光子像素和第一蓝光子像素中的第一阳极、第二阳极和第三阳极位于显示器件的同一侧；
65.其中，所述第一过渡层的材料、第二过渡层的材料和第三过渡层的材料均包括具有共扼平面的芳香族化合物，所述第一电子传输层的材料、第二电子传输层的材料和第三电子传输层的材料均包括金属氧化物。
66.本实施例中，显示器件包括若干像素，每个像素包括三个子像素，所述三个子像素
为：红光子像素(r子像素)、绿光子像素(g子像素)和第一蓝光子像素(b1子像素)。本实施例中，每个像素包括r子像素、g子像素和b1子像素，基于r、g、b1三原色光，实现显示器件全彩显示。其中阵列排列的r、g、b1三个子像素，每个子像素通过独立驱动点亮，每个子像素由驱动电路独立驱动发光。
67.本实施例中，r、g子像素均为基于量子点发光材料的电致发光二极管(即qled)，b1子像素为基于有机发光材料的电致发光二极管(即oled)。这样r、g子像素可以实现高的发光效率和长的寿命，b1子像素也可以实现高的发光效率和长的寿命，通过将红绿qled和蓝光oled结合，从整体上提高了全彩显示器件的发光效率和寿命。
68.本实施例中，所述第一过渡层的材料、第二过渡层的材料和第三过渡层的材料均为具有共扼平面的芳香族化合物，该材料具有一定的电子传输能力，其电子传输能力比量子点发光二极管中常用的金属氧化物电子传输材料的传输能力低一个量级以上。在一种实施方式中，所述具有共扼平面的芳香族化合物可以选自8-羟基喹啉铝(alq)、1，2，4-三唑衍生物、pbd、tpbi、bpq、ncb、beq2和dpvbi等中的一种或多种。
[0069][0070]
在现有基于量子点材料的r、g子像素中，通常电子的注入和传输效率远大于空穴的注入和传输效率，造成电子空穴注入不平衡而限制器件效率的提升。本实施例r、g子像素中，通过在量子点发光层与金属氧化物电子传输层之间增设一层具有一定电子传输能力的过渡层，由于所述过渡层电子传输能力比金属氧化物电子传输材料的传输能力低一个量级以上，因此所述过渡层能够起到抑制电子传输的作用，从而有利于调节r、g子像素中载流子的注入与传输平衡，提升r、g子像素的性能。同时，所述过渡层能够将金属氧化物电子传输层与量子点发光层隔离，从而有效抑制金属氧化物的缺陷态发光。
[0071]
本实施例b1子像素中，通过在有机材料发光层与金属氧化物电子传输层之间增设一层具有一定电子传输能力的过渡层，所述过渡层可以起到电子传输的作用，且由于所述b1子像素中电子传输层采用的是金属氧化物，其电子传输能力远远高于所述过渡层，从而确保了电子的传输。
[0072]
因此，通过在基于量子点的r、g子像素和基于有机发光材料的b1子像素中增设过渡层，且b1子像素中电子传输层采用金属氧化物，最终确保了r、g、b1三个子像素结构和工艺相同，有效解决了现有qled和oled制备过程中面临结构和工艺无法兼容的问题。
[0073]
在一种实施方式中，所述第一过渡层的厚度为2-20nm；
[0074]
和/或，所述第二过渡层的厚度为2-20nm；
[0075]
和/或，所述第三过渡层的厚度为2-20nm；
[0076]
和/或，所述第四过渡层的厚度为2-20nm。
[0077]
在该厚度范围内，可以进一步控制r、g子像素的载流子平衡，实现更高的发光效率。
[0078]
在一种实施方式中，所述第一电子传输层的厚度为20-50nm；
[0079]
和/或，所述第二电子传输层的厚度为20-50nm；
[0080]
和/或，所述第三电子传输层的厚度为20-50nm；
[0081]
和/或，所述第四电子传输层的厚度为20-50nm。
[0082]
在一种实施方式中，如图2所示，每个像素还包括第二蓝光子像素，所述第二蓝光子像素包括依次层叠设置的第四阳极(anode，如ito/ag/ito)、第四空穴注入层(hil)、第四空穴传输层(htl)、蓝光量子点发光层(eml-b，qd)、第四过渡层(bl)、第四电子传输层(etl)、第四阴极(cathode)和第四光取出层(cpl，如npb)；
[0083]
其中，所述第二蓝光子像素中的第四阳极与第一蓝光子像素中的第三阳极位于同一侧。
[0084]
本实施例中，第一阳极、第二阳极、第三阳极和第四阳极均为全反射电极，第一阴极、第二阴极、第三阴极和第四阴极均为透射电极，显示器件发出的光从第一阴极、第二阴极、第三阴极和第四阴极射出，在所述第一阴极、第二阴极、第三阴极和第四阴极上分别设置第一光取出层、第二光取出层、第三光取出层和第四光取出层，可以增加光取出效率，从而提高了器件的发光效率。当然所述第一阳极、第二阳极、第三阳极和第四阳极也可以为透射电极，第一阴极、第二阴极、第三阴极和第四阴极为全反射电极，显示器件发出的光从第一阳极、第二阳极、第三阳极和第四阳极射出，在所述第一阳极、第二阳极、第三阳极和第四阳极上设置所述第一光取出层、第二光取出层、第三光取出层和第四光取出层，可以增加光取出效率，从而提高了器件的发光效率。
[0085]
在一种实施方式中，所述第一光取出层的材料、第二光取出层的材料、第三光取出层的材料和第四光取出层的材料均可以与空穴传输层的材料相同，如cbp等；也可以与电子传输层的材料相同，如lif等；还可以为邻菲啰啉及其衍生物等。
[0086]
在一种实施方式中，所述第一光取出层的厚度为30nm-150nm；
[0087]
和/或，所述第二光取出层的厚度为30nm-150nm；
[0088]
和/或，所述第三光取出层的厚度为30nm-150nm；
[0089]
和/或，所述第四光取出层的厚度为30nm-150nm。
[0090]
在一种实施方式中，红光量子点的发光波长为610-625nm，和/或绿光量子点的发光波长为525-550nm，和/或蓝光量子点的发光波长为450-480nm。
[0091]
在一种实施方式中，所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层、第一蓝光量子点发光层和第二蓝光量子点发光层的厚度均为5nm-100nm。
[0092]
在一种实施方式中，所述红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点可以独立地选自二元相、三元相、四元相量子点等中的一种或多种；其中二元相量子点包括cds、cdse、cdte、inp、ags、pbs、pbse、hgs等中的一种或多种，三元相量子点包括zncds、cuins、zncdse、
znses、zncdte、pbses等中的一种或多种，四元相量子点包括zncds/znse、cuins/zns、zncdse/zns、cuinses、zncdte/zns、pbses/zns等中的一种或多种。该量子点可以为含镉或者不含镉。该材料的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。
[0093]
在一种实施方式中，所述蓝光有机发光材料可以选自聚芴和聚芴衍生物等中的一种或多种。
[0094]
在一种实施方式中，所述第一阳极、第二阳极、第三阳极和第四阳极均为全反射电极，所述全反射电极的材料可以选自al、ag、mo等金属及其合金材料中的一种，但不限于此。需说明的是，本发明实施例中，所述全反射电极两侧还可以设置ito电极(透明电极)，如ito/ag/ito，以降低电极的功函数，利于电荷注入。在一种实施方式中，所述全反射电极的厚度大于等于80nm，如80nm-120nm。在一种实施方式中，所述ito电极的厚度为10nm-20nm。
[0095]
在一种实施方式中，所述第一空穴注入层、第二空穴注入层和第三空穴注入层、第四空穴注入层的材料均可以选自但不限于：聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(pedot：pss)、cupc、p3ht、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或两种或多种。其中，所述过渡金属氧化物包括nio
x
、moo
x
、wo
x
、cro
x
、cuo中的一种或两种或多种。所述金属硫系化合物包括mos
x
、mose
x
、ws
x
、wse
x
、cus中的一种或两种或多种。
[0096]
在一种实施方式中，所述第一空穴注入层的厚度约为10nm-40nm；
[0097]
和/或，所述第二空穴注入层的厚度约为10nm-40nm；
[0098]
和/或，所述第三空穴注入层的厚度约为10nm-40nm；
[0099]
和/或，所述第四空穴注入层的厚度约为10nm-40nm。
[0100]
在一种实施方式中，所述第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层、第四空穴传输层的材料均可以选自具有良好空穴传输性能的材料，例如可以包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)(tfb)、聚乙烯咔唑(pvk)、聚(n,n'双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)(poly-tpd)、4,4’,4
”‑
三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(cbp)、npb、nio、moo3等中的一种或多种。
[0101]
在一种实施方式中，所述第一空穴传输层的厚度约为10nm-40nm；
[0102]
和/或，所述第二空穴传输层的厚度约为10nm-40nm；
[0103]
和/或，所述第三空穴传输层的厚度约为10nm-40nm；
[0104]
和/或，所述第四空穴传输层的厚度约为10nm-40nm。
[0105]
在一种实施方式中，所述第一电子传输层的材料、第二电子传输层的材料、第三电子传输层的材料和第四电子传输层的材料均可采用本领域常规的电子传输材料，包括但不限于zno、mzo(镁锌氧)、amo(铝锌氧)、mlzo(镁锂锌氧)、tio2、csf、lif、csco3和alq3中的一种或者为其任意组合的混合物。
[0106]
在一种实施方式中，所述第一电子传输层的厚度为20-50nm；
[0107]
和/或，所述第二电子传输层的厚度为20-50nm；
[0108]
和/或，所述第三电子传输层的厚度为20-50nm；
[0109]
和/或，所述第四电子传输层的厚度为20-50nm。
[0110]
在一种实施方式中，所述第一阴极、第二阴极、第三阴极和第四阴极均可选自铝(al)电极、银(ag)电极和金(au)电极等中的一种，还可选自纳米铝线、纳米银线和纳米金线
等中的一种。上述材料具有较小的电阻，使得载流子能顺利的注入。
[0111]
在一种实施方式中，所述第一阴极的厚度约为5nm-40nm；
[0112]
和/或，所述第二阴极的厚度约为5nm-40nm；
[0113]
和/或，所述第三阴极的厚度约为5nm-40nm；
[0114]
和/或，所述第四阴极的厚度约为5nm-40nm。
[0115]
以图2所示结构的为例，对显示器件的制备方法做介绍。本发明实施例提供一种显示器件的制备方法，所述显示器件包括呈阵列排列的若干像素，每个像素包括呈阵列排列的红光子像素、绿光子像素和第一蓝光子像素。如图3所示，每个像素的制备方法包括步骤：
[0116]
s10、将基板划分成红光子像素区域、绿光子像素区域、第二蓝光子像素区域、第一蓝光子像素区域；
[0117]
s11、在所述红光子像素区域、绿光子像素区域、第二蓝光子像素区域、第一蓝光子像素区域内分别形成第一阳极、第二阳极、第四阳极和第三阳极(anode)，在所述第一阳极、第二阳极、第四阳极和第三阳极上分别形成第一空穴注入层、第二空穴注入层、第四空穴注入层和第三空穴注入层(hil)，见图4所示；
[0118]
s12、在所述第一空穴注入层、第二空穴注入层、第四空穴注入层和第三空穴注入层上分别形成第一空穴传输层、第二空穴传输层、第四空穴传输层和第三空穴传输层(htl)，见图5所示；
[0119]
s13、在所述第一空穴传输层、第二空穴传输层、第四空穴传输层和第三空穴传输层上分别形成红光量子点发光层(eml-r，qd)、绿光量子点发光层(eml-g，qd)、蓝光量子点发光层(eml-b，qd)和蓝光有机发光材料层(eml-b，oled)，见图6所示；
[0120]
s14、在所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层、蓝光量子点发光层和蓝光有机发光材料层上分别形成第一过渡层、第二过渡层、第四过渡层和第三过渡层(bl)，见图7所示；
[0121]
s15、在所述第一过渡层、第二过渡层、第四过渡层和第三过渡层上分别形成第一电子传输层、第二电子传输层、第四电子传输层和第三电子传输层(etl)，见图8所示；
[0122]
s16、在所述第一电子传输层、第二电子传输层、第四电子传输层和第三电子传输层上分别形成第一阴极、第二阴极、第四阴极和第三阴极(cathode)，见图9所示；
[0123]
s17、在所述第一阴极、第二阴极、第四阴极和第三阴极上分别形成第一光取出层、第二光取出层、第四光取出层和第三光取出层(cpl)，见图10所示，分别得到红光子像素、绿光子像素、第二蓝光子像素和第一蓝光子像素；
[0124]
其中，所述第一过渡层的材料、第二过渡层的材料、第三过渡层的材料和第四过渡层的材料均包括具有共扼平面的芳香族化合物，所述第一电子传输层的材料、第二电子传输层的材料、第三电子传输层的材料和第四电子传输层的材料均包括金属氧化物。
[0125]
需说明的是，通过在基板上制坝状的像素界定层的方法，将基板划分成r、g、b1、b2子像素区域。关于像素界定层的材料及其制备为现有技术，在此不再赘述。图10所示的显示器件中的像素界定层除去后，即对应得到图2所示的显示器件。
[0126]
本实施例中，r、g子像素均为基于量子点发光材料的电致发光二极管(即qled)，b1子像素为基于有机发光材料的电致发光二极管(即oled)。这样r、g子像素可以实现高的发光效率和长的寿命，b1子像素也可以实现高的发光效率和长的寿命，通过将红绿qled和蓝
光oled结合，从整体上提高了全彩显示器件的发光效率和寿命。
[0127]
本实施例中，所述第一过渡层的材料、第二过渡层的材料、第三过渡层的材料和第四过渡层的材料均为具有共扼平面的芳香族化合物，该材料具有一定的电子传输能力，其电子传输能力比量子点发光二极管中常用的金属氧化物电子传输材料的传输能力低一个量级以上。在一种实施方式中，所述具有共扼平面的芳香族化合物可以选自8-羟基喹啉铝(alq)、1，2，4-三唑衍生物、pbd、tpbi、bpq、ncb、beq2和dpvbi等中的一种或多种。
[0128]
在现有基于量子点材料的r、g子像素中，通常电子的注入和传输效率远大于空穴的注入和传输效率，造成电子空穴注入不平衡而限制器件效率的提升。本实施例r、g子像素中，通过在量子点发光层与金属氧化物电子传输层之间增设一层具有一定电子传输能力的过渡层，由于所述过渡层电子传输能力比金属氧化物电子传输材料的传输能力低一个量级以上，因此所述过渡层能够起到抑制电子传输的作用，从而有利于调节r、g子像素中载流子的注入与传输平衡，提升r、g子像素的性能。同时，所述过渡层能够将金属氧化物电子传输层与量子点发光层隔离，从而有效抑制金属氧化物的缺陷态发光。
[0129]
本实施例b1子像素中，通过在有机材料发光层与金属氧化物电子传输层之间增设一层具有一定电子传输能力的过渡层，所述过渡层可以起到电子传输的作用，且由于所述b1子像素中电子传输层采用的是金属氧化物，其电子传输能力远远高于所述过渡层，从而确保了电子的传输。
[0130]
因此，通过在基于量子点的r、g子像素和基于有机发光材料的b1子像素中增设过渡层，且b1子像素中电子传输层采用金属氧化物，最终确保了r、g、b1三个子像素结构和工艺相同，有效解决了现有qled和oled制备过程中面临结构和工艺无法兼容的问题。
[0131]
关于显示器件的更多细节见上文，在此不再赘述。
[0132]
本发明实施例中，上述各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、元素层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
[0133]
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。