1.一种led芯片，其特征在于，包括：
衬底；
位于衬底第一侧表面的缓冲层；
位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的n型氮化镓层；
位于所述n型氮化镓层背离所述缓冲层一侧的多量子阱发光层；
位于所述多量子阱发光层背离所述n型氮化镓层一侧的空穴注入层，所述空穴注入层包括层叠的alingan层、含镁材料层和p型alingan层，其中，所述含镁材料层用于提高所述alingan层和所述p型alingan层中镁的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述含镁材料层中还含有铟。
3.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述alingan层的厚度与所述p型alingan层的厚度相同或不同。
4.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述alingan层的厚度取值范围为1nm～20nm，包括端点值，所述p型alingan层的厚度取值范围为1nm～20nm，包括端点值；
或，所述alingan层的厚度取值范围为1nm～15nm，包括端点值；所述p型alingan层的厚度取值范围为5nm～25nm，包括端点值。