一种波导均衡器的制作方法

本实用新型涉及均衡器技术领域，具体而言，涉及一种波导均衡器。

背景技术：

微波均衡器是微波系统中的常用器件。微波均衡器针对系统微波放大电路输出功率随频率的波动曲线，通过使用电阻等阻抗元件和传输线枝节构成均衡电路拓扑结构，得到均衡响应曲线以补偿输出功率的波动，实现系统在工作频带内输出功率的平坦化。

现有已公开的专利名称为“一种x波段介质波导电调微波均衡器”、公告号为cn209747693u的中国实用新型专利，该专利在电路板两面设置介质波导铜皮，在介质波导铜皮上设置陷波谐振器，陷波谐振器分布在介质波导传输线两侧，陷波谐振器内的介质波导铜皮上设置用于焊接pin二极管的焊接孔，以pin二极管作为该专利公开技术方案中调节信号功率的功率负载。

但是，该专利公开的技术方案功率负载即pin二极管采用焊接的方式进行装配，增加了均衡器的生产工艺难度和生产成本，而且，由于焊点本身和焊点质量对功率信号会产生不确定的影响，导致成品均衡器输出的均衡曲线与仿真得出的理论曲线存在差异，降低了均衡精度。

技术实现要素：

本实用新型的目的包括提供一种波导均衡器，其能够解决上述中国专利公开的技术方案功率负载即pin二极管采用焊接的方式进行装配，增加了均衡器的生产工艺难度，而且，由于焊点本身和焊点质量对功率信号会产生不确定的影响，导致成品均衡器输出的均衡曲线与仿真得出的理论曲线存在差异，降低了均衡精度的问题，实现降低生产工艺难度和生产成本，避免因功率负载的焊接装配导致均衡曲线出现误差，提高均衡精度的目的。

本实用新型的实施例通过以下技术方案实现：

一种波导均衡器，包括均衡器上腔和均衡器下腔，所述均衡器下腔内一体成型有传输波导和若干谐振腔，若干所述谐振腔配置于传输波导两侧，所述谐振腔与所述传输波导耦合，所述谐振腔内置有用于调节信号功率的功率负载。

在其中一个实施例中，所述功率负载配置为吸波材质的功率负载。

在其中一个实施例中，所述功率负载配置为劈尖形、平板形、弧形、波浪形中的一种。

在其中一个实施例中，所述功率负载配置为劈尖形。

在其中一个实施例中，所述功率负载配置有硅胶层，所述硅胶层粘接于所述谐振腔腔壁。

在其中一个实施例中，所述谐振腔的数量与波导均衡器输出的频响曲线相匹配。

在其中一个实施例中，相邻所述谐振腔之间的间距与与波导均衡器输出的频响曲线相匹配。

在其中一个实施例中，所述均衡器上腔、所述均衡器下腔配置为金属材质的腔体。

本实用新型实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：

本实用新型实施例在均衡器下腔上直接加工出传输波导和谐振腔22，即传输波导和谐振腔一体成型，省去了分体式的装配工艺，简化了制造工艺，降低了生产成本，缩小均衡器的体积。本实用新型实施例采用吸波材质的功率负载，并且将功率负载内置与谐振腔内，省去了pin二极管的焊接和焊点，避免了焊接对均衡器精度的影响，提高了均衡精度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型实施例中均衡器下腔的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的主视图；

图3为本实用新型实施例的仰视图；

图4为本实用新型实施例的左视图。

图标：

1-均衡器上腔，2-均衡器下腔，21-信号传输波导腔，22-谐振腔，23-功率负载。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，若出现术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“安装”、“配置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

请参照图1至图4，一种波导均衡器，包括均衡器上腔1和均衡器下腔2，所述均衡器下腔2内一体成型有信号传输波导腔21和若干谐振腔22，若干所述谐振腔22配置于信号传输波导腔21两侧，所述谐振腔22与所述信号传输波导腔21耦合，所述谐振腔22内置有用于调节信号功率的功率负载23。

为了降低生产工艺难度和生产成本，避免因功率负载23的焊接装配导致均衡曲线出现误差，提高均衡精度，本技术方案在均衡器下腔2内配置信号传输波导腔21和若干谐振腔22，均衡器下腔2为一块金属板，在均衡器下腔2铣削加工出一条主干槽作为信号传输波导腔21，在信号传输波导腔21两侧铣削加工若干与主干槽连通的分支槽作为谐振腔22，谐振腔22与信号传输波导腔21耦合即谐振腔22与信号传输波导腔21连通，在谐振腔22内固定有功率负载23，功率负载23为吸波材质制成，通过硅胶固定在谐振腔22内，谐振腔22的总数、相邻谐振腔22之间的间距、单侧谐振腔22的数量均由所需的目标信号功率决定，即根据实际需要决定。

在使用时，输入信号输入信号传输波导腔21，输入信号在沿信号传输波导腔21传输的过程中，输入信号进入沿途对应的谐振腔22中，谐振腔22内具有吸波性能的功率负载吸收输入信号的一部分能量，降低输入信号功率。与现有技术相比，本技术方案在均衡器下腔22上直接加工出信号传输波导腔21和谐振腔22，即信号传输波导腔21和谐振腔22一体成型，省去了分体式的装配工艺，简化了制造工艺，降低了生产成本，缩小均衡器的体积，而且如果采用彼此分离的信号传输波导腔21和谐振腔22装配成均衡器，谐振腔22无论是采用焊接、螺钉连接，还是采用粘接，相邻谐振腔22之间的间距都必须满足大于或等于设定的最小间距，为谐振腔22的固定留出余地，否则将无法固定谐振腔22，因此限制了均衡器调节范围的下限，所以采用信号传输波导腔21和谐振腔22一体成型，相邻谐振腔22之间的间距可根据需要设计为任意值，只要能生产加工即可，降低了均衡器调节范围的下限，扩大了均衡器的调节范围。

与现有技术相比，本技术方案采用吸波材质的功率负载23，并且将功率负载23内置与谐振腔22内，省去了pin二极管的焊接和焊点，避免了焊接对均衡器精度的影响，提高了均衡精度。

现有技术中还有另一种实现信号均衡的方式：将微带线接在波导主传输线上，微带线分布在波导主传输线两侧，在微带线末端焊接或粘接功率负载。当均衡器的输入信号为高功率信号或高能量信号时，微带线会承受较高温度，导致微带线因高温而断裂。采用本实施例中的技术方案，将功率负载23内置于谐振腔22内，代替采用微带线的方式，使得均衡器能承受较高的温度，应当说明的是，此处所说的较高温度，是由功率负载23的耐受功率极限决定的。

在本实施例中，所述功率负载23配置为吸波材质的功率负载23。

为了实现对输入信号的调节，吸收输入信号的能量，并且避免采用焊接装配工艺，本技术方案采用吸波材质的功率负载23，功率负载23可以是铁氧体吸波材质、聚氨酯泡沫材质、无纺布吸波材质等，具体应用时，根据信号调节需要选择具体的材质。

在本实施例中，所述功率负载23配置为劈尖形、平板形、弧形、波浪形中的一种。

功率负载23的形状可配置为劈尖形、平板形、弧形、波浪形中的一种，也可配置为其他任意形状，只有能吸收输入信号的能量即可。

在本实施例中，所述功率负载23配置为劈尖形。

在功率负载23的所有形状中，由于劈尖形状的功率负载23具有由窄到宽的宽度变化，能减少输入信号反射出谐振腔22，所以本技术方案选择劈尖形状的功率负载。但是，对于正方形的功率负载23，虽然也能实现吸收输入信号的能量，但是输入信号遇到正方形的功率负载23时，会有部分信号反射出谐振腔22，与劈尖形的功率负载23相比，正方形的功率负载23容易导致均衡器输出信号出现误差。

在本实施例中，所述功率负载23配置有硅胶层，所述硅胶层粘接于所述谐振腔22腔壁。

为了将功率负载23固定在谐振腔22内，本技术方案采用硅胶粘接功率负载23。如果所用的硅胶内含有填充物，对均衡器的性能会有很小的影响，可忽略不计。

在本实施例中，所述谐振腔22的数量与波导均衡器输出的频响曲线相匹配。

在本实施例中，相邻所述谐振腔22之间的间距与与波导均衡器输出的频响曲线相匹配。

在本实施例中，所述均衡器上腔1、所述均衡器下腔2配置为金属材质的腔体。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。