一种充磁式电磁灭弧熔断器的制作方法

文档序号:21908705发布日期:2020-08-18 19:33阅读:356来源:国知局
一种充磁式电磁灭弧熔断器的制作方法

本实用新型涉及一种熔断器,更具体地,是用于电力、电子、新能源汽车等领域电路保护的熔断器。



背景技术:

熔断器(fuse)是指当电流超过规定值时,以本身产生的热量使熔体熔断,断开电路的一种电器。熔断器是根据电流超过规定值一段时间后,以其自身产生的热量使熔体熔化,从而使电路断开;运用这种原理制成的一种电流保护器。现有的熔断器内包括设有狭颈的熔体,在过载电流作用下,狭颈处温度急剧升高出现熔断,从而实现电路断开。

但是此种结构,在狭颈熔断断口处会产生电弧,当电弧较大时,电弧会影响分断速度。故本领域技术人员,通过设置永磁体,在熔断器内形成稳定磁场,能够使增大的电流受到洛伦兹力被迅速推离电弧发生处,从而提高其灭弧能力。然而这种方法由于两个永磁体需要对应设置,即异性相吸形成同向磁场,但是在安装时,当一个永磁体安装完成,另一个永磁体在安装过程中会将之前安装完成的永磁体吸取出来,导致安装十分不方便。



技术实现要素:

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种充磁式电磁灭弧熔断器。

本实用新型所解决其技术问题所采用的技术方案是:一种充磁式电磁灭弧熔断器,包括壳体,壳体两端上分别设有第一触刀端盖以及第二触刀端盖,壳体内设有带有狭颈的熔体以及灭弧介质,熔体连接第一触刀端盖以及第二触刀端盖,其中,壳体内设有第一未磁化层以及第二未磁化层,第一未磁化层与第二未磁化层分设在熔体两侧且不与第一触刀端盖或第二触刀端盖连接,狭颈位于第一未磁化层与第二未磁化层的假想垂直连接区域上,第一未磁化层与第二未磁化层充磁形成稳定的磁场。

采用此种结构设置,在安装完成后,通过充磁装置进行整体充磁,使得第一未磁化层与第二未磁化层产生磁场,使得在熔断器内形成稳定磁场。而当电路短路,电流迅速增加,熔体发热使得狭颈熔断时,熔体分断,因此第一未磁化层以及第二未磁化层之间形成的磁场,该磁场方向与电流方向正交,能够使增大的电流受到安培力被迅速推离电弧发生处,从而提高其灭弧能力。

其中,还包括第一导磁背轭以及第二导磁背轭,第一导磁背轭位于第一未磁化层与壳体内壁之间,第二导磁背轭位于第二未磁化层与壳体内壁之间,第一导磁背轭与第二导磁背轭连通。

通过导磁背轭的设置,使得在充磁过程中,更加方便。

其中,第一导磁背轭与第二导磁背轭为一体成型设置。

通过两个导磁背轭一体设置,使得整体在安装过程更为方便。

其中,还包括第一导磁环,第一导磁背轭通过第一导磁环与第二导磁背轭连接,第一导磁环不与第一触刀端盖或第二触刀端盖连接。

通过导磁环进行两个导磁背轭的连接,提高充磁效果。

其中,第一导磁环位于第一未磁化层与第二未磁化层的同一端上。

第一导磁环的位置设置,进一步,提高整体充磁的效果。

其中,第一导磁背轭与第二导磁背轭包裹第一导磁环。

采用包裹式安装,使得第一导磁环固定更加稳定。

其中,还包括第一绝缘环,第一绝缘环位于第一导磁环与第一触刀端盖之间。

绝缘环的设置,使得第一未磁化层与第二未磁化层不受到触刀端盖的影响。

其中,还包括第二导磁环以及第二绝缘环,第二导磁环位于第一未磁化层与第二未磁化层的另一端上,第二绝缘环位于第二导磁环与第二触刀端盖之间。

其中,还包括第一绝缘筒以及第二绝缘筒,第一绝缘筒位于灭弧介质与第一未磁化层之间,第二绝缘筒位于灭弧介质与第二未磁化层之间。

绝缘筒的设置,提高未磁化层的固定效果,同时也起到绝缘作用。

其中,第一未磁化层与第二为磁化层为磁粉或磁粉与固化剂的混合物。

采用磁粉或混合物的方式,装配更加方便。

附图说明

图1是本实用新型实施例1的剖视图;

图2是本实用新型实施例1的充磁状态图;

图3是本实用新型实施例2的剖视图;

图4是本实用新型实施例2的充磁状态图;

图5是本实用新型实施例3的剖视图;

图6是本实用新型实施例3的充磁状态图。

具体实施方式

实施例1:

参照附图1-2所示,一种电场自灭弧熔断器,包括壳体1,壳体1两端上分别设有第一触刀端盖21以及第二触刀端盖22,壳体1内设有带有狭颈51的熔体5以及灭弧介质9。此处壳体1具体为陶瓷材料。

熔体5两端分别连接第一触刀端盖21以及第二触刀端盖22,形成电气连接。此处需要注意的是,熔体5的数量以及熔体5的固定方式为现有技术,故在此不多加赘述,而且熔体5上的狭颈51数量不一定为一个。本实施例仅以一个熔体5,且熔体5上设有一个狭颈51为例。

壳体1内设有第一未磁化层31以及第二未磁化层32,第一未磁化层31与第二未磁化层32分设在熔体5两侧且不与第一触刀端盖21或第二触刀端盖22连接,狭颈51位于第一未磁化层31与第二未磁化层32的假想垂直连接区域上。第一未磁化层31与第二为磁化层为磁粉或磁粉与固化剂的混合物。此处未磁化层具体是指可以通过充磁磁化产生磁场的磁粉或磁粉与固化剂的混合物。

还包括第一导磁背轭41、第二导磁背轭42、第一导磁环61、第一绝缘环71、第一绝缘筒81以及第二绝缘筒82,第一导磁背轭41位于第一未磁化层31与壳体1内壁之间,第一绝缘筒81位于灭弧介质9与第一未磁化层31之间。第二导磁背轭42位于第二未磁化层32与壳体1内壁之间,第二绝缘筒82位于灭弧介质9与第二未磁化层32之间。

第一未磁化层31与第二未磁化层32的一端上(即靠近第一触刀端盖21的一端)套设有第一导磁环61,第一导磁环61的侧面连通第一导磁背轭41与第二导磁背轭42,第一导磁环61的一端面连通第一未磁化层31与第二未磁化层32,此处第一导磁环61被第一导磁背轭41与第二导磁背轭42包裹安装。第一绝缘环71套设在第一导磁环61上,使得第一绝缘环71位于第一导磁环61与第一触刀端盖21之间,形成隔离防护效果。

进一步,还包括第二导磁环62以及第二绝缘环72,第二导磁环62位于第一未磁化层31与第二未磁化层32的另一端上(即靠近第二触刀端盖22的一端)。第二导磁环62的侧面连通第一导磁背轭41与第二导磁背轭42,第二导磁环62的一端面连通第一未磁化层31与第二未磁化层32,此处第二导磁环62被第一导磁背轭41与第二导磁背轭42包裹安装。第二绝缘环72在第二导磁环62上方,使得第二绝缘环72位于第二导磁环62与第二触刀端盖22之间,形成隔离防护效果。

采用此种结构设置,在安装完成后,通过充磁装置进行整体充磁,使得第一未磁化层31与第二未磁化层32产生磁场。当电路短路时,电流会迅速增加。由电磁场理论可知,安培力f=bil,安培力方向与磁场和电流方向均正交。因此大电流会在磁场作用下横向吹弧,拉长电弧,增加灭弧能力。

实施例2:

参照附图3-4所示,实施例2与实施例1之间的区别在于,第一导磁背轭41与第二导磁背轭42并未包裹第一导磁环61与第二导磁环62,即第一导磁背轭41、第二导磁背轭42、第一未磁化层31以及第二未磁化层32长度相同。

实施例3:

参照附图5-6所示,实施例3与实施例1之间的区别在于,第一导磁背轭41与第二导磁背轭42为一体成型设置,且壳体内未设置有第一导磁环以及第二导磁环。此处第一导磁背轭41与第二导磁背轭42为套筒式结构。

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