一种隔磁片的制作方法

文档序号:22194007发布日期:2020-09-11 22:15阅读:565来源:国知局
一种隔磁片的制作方法

涉及隔磁片技术领域,具体涉及一种隔磁片。



背景技术:

隔磁片广泛应用于无线充电、nfc(近距离无线通讯)和rfid(射频识别)技术领域,可制成无线充电器中的导磁片、nfc和rfid设备中的隔磁片。导磁片在无线充电器中,通过高磁通量,给充电器交感磁场提供回路,提高效率,同时将电子涡流隔离,防止电子涡流影响线路主板,使充电器能正常工作。nfc和rfid设备中的隔磁片既能吸收金属衰减反射波,又能增强磁场感应距离,提高通讯灵敏度。

目前所使用的隔磁片都是经过高温烧结而成的磁性薄片,但是由于现有的无线通讯的技术愈发成熟,实现远距离的无线充电已经变成可能,但是现有的铁氧体隔磁片已经无法满足要求,即隔磁片无法实现高磁通量,给充电器交感磁场提供回路,造成效率低。



技术实现要素:

本实用新型的目的是开发一种可提高磁场强度,具有良好的电磁性能的隔磁片。

本实用新型通过如下的技术方案实现:

一种隔磁片,包括隔磁片本体,所述隔磁片本体包括设于第二隔磁片上的第一隔磁片,所述第一隔磁片底部设有多个第一凸块及第一插槽,所述第二隔磁片顶部对应设有多个分别与第一凸块及第一插槽配合的第二插槽和第二凸块,所述第一插槽及第二插槽内端部设有磁板,所述磁板内设有两端尺寸大于中部尺寸的容纳腔,所述容纳腔内设有纳米磁粉,所述隔磁片本体外还设有一层保护层,所述保护层为硅胶保护膜,隔磁片本体内设有纳米磁粉,使其具有良好的电磁性能。

进一步的,所述第一隔磁片底部的第一凸块及第二隔磁片顶部的第二插槽皆为条形状。

进一步的,所述第一凸块及第二插槽分别在第一隔磁片底部及第二隔磁片顶部等间距布置。

进一步的,所述第一凸块及第二插槽分别在第一隔磁片底部及第二隔磁片顶部互相平行布置。

进一步的,所述第二凸块及第一插槽的形状结构分别与第一凸块和第二插槽的形状结构相同。

进一步的,所述第二凸块及第一插槽分别在第二隔磁片顶部及第一隔磁片底部等间距布置。

进一步的,所述第二凸块及第一插槽分别在第二隔磁片顶部及第一隔磁片底部互相平行布置。

进一步的,所述第一凸块和第一插槽以及第二凸台和第二插槽分别在第一隔磁片底部及第二隔磁片顶部间隔布置。

进一步的,所述第一插槽及第二插槽的深度长于第一凸块及第二凸块的高度,第一插槽、第二插槽内端部与第一凸块、第二凸块端部之间的空腔内设有形状结构与之配合的磁板。

进一步的,所述容纳腔两端为半圆状,中部为条形状,并且两端向中部收缩。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型隔磁片本体内设有纳米磁粉,使其具有良好的电磁性能,并且磁损小,具有高磁通量,而设于隔磁片本体外部的一体化的保护层可全面保护隔磁片本体,增加第一隔磁片与第二隔磁片间的结构稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型结构图;

图2为磁板结构图。

具体实施方式

在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样,在不脱离本发明创造的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

在本发明创造中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。

如图1和图2所示,本实施例公开了一种隔磁片,包括隔磁片本体,所述隔磁片本体包括设于第二隔磁片2上的第一隔磁片1,所述第一隔磁片1底部设有多个第一凸块11及第一插槽12,所述第二隔磁片2顶部对应设有多个分别与第一凸块11及第一插槽12配合的第二插槽22和第二凸块21,所述第一插槽12及第二插槽22内端部设有磁板3,所述磁板3内设有两端尺寸大于中部尺寸的容纳腔5,所述容纳腔5内设有纳米磁粉,所述隔磁片本体外还设有一层保护层,所述保护层为硅胶保护膜,隔磁片本体内设有纳米磁粉,使其具有良好的电磁性能。

具体地,隔磁片本体包括上下布置的第一隔磁片1和第二隔磁片2,所述第一隔磁片1底部等间距设有多个第一凸块11,所述第一凸块11为条形状,多个所述第一凸块11互相平行设于第一隔磁片1底部。

第二隔磁片2顶部等间距设有多个第二凸块21,所述第二凸块21为形状结构与第一凸块11相同的条形状,多个所述第二凸块21也互相平行设于第二隔磁片2顶部,且第二凸块21与第一凸块11错位设置。

第一隔磁片1底部及第二隔磁片2顶部分别设有多个第一插槽12及第二插槽22,多个所述第一插槽12与第一凸块11在第一隔磁片1底部间隔布置,且多个所述第一插槽12等间距互相平行设置,所述第一插槽12也为条形状,所述第一插槽12的宽度与第一凸块11及第二凸块21相同,所述第一插槽12的深度长于第一凸块11及第二凸块21的高度,所述第一插槽12的位置与第二凸块21对应,使第一插槽12与第二凸块21配合,第二隔磁片2上的第二凸块21可插入第一隔磁片1上的第一插槽12内。

第二隔磁片2顶部的第二插槽22与第一插槽12的形状结构相同,所述第二插槽22也在第二隔磁片2顶部与第二凸块21间隔布置,并且多个所述第二插槽22等间距互相平行,所述第二插槽22的位置与第一凸块11对应,使第二插槽22与第一凸块11配合,第一隔磁片1底部的第一凸块11可插入第二隔磁片2顶部的第二插槽22内。

第一隔磁片1与第二隔磁片2连接,第一隔磁片1底部的第一凸块11插入第二隔磁片2顶部的第二插槽22内,第二隔磁片2顶部的第二凸块21插入第一隔磁片1底部的第一插槽12内,第一隔磁片1底部与第二隔磁片2顶部贴合,由于第一插槽12及第二插槽22的深度长于第一凸块11及第二凸块21的高度,因此第一凸块11及第二凸块21插入第一插槽12及第二插槽22后,第一插槽12及第二插槽22内部还具有一个条形空腔,所述条形空腔内设有磁板3,所述磁板3为与条形空腔配合的条形状结构,所述磁板3内设有容纳纳米四氧化三铁磁粉的容纳腔5,所述容纳腔5两端尺寸大,中间尺寸小,所述容纳腔5两端分别为半圆状,中间为宽度小于容纳腔5两端直径的条形状,容纳腔5两端向中间收缩,由此,可增加纳米磁粉在容纳腔5内运动的稳定性。

隔磁片本体外围还设有一层保护层,所述保护层对隔磁片本体进行保护,所述保护层为硅胶保护膜,所述保护层设于隔磁片本体的整个表面,包括隔磁片本体的侧面,保护层增强了第一隔磁片1与第二隔磁片2之间的结构稳定性,将隔磁片本体清洁后,可使用自动化设备,采用喷涂或浸渍的方法在隔磁片本体上设置保护层。

本实用新型隔磁片本体内设有纳米磁粉,使其具有良好的电磁性能,并且磁损小,具有高磁通量,而设于隔磁片本体外部的一体化的保护层可全面保护隔磁片本体,增加第一隔磁片1与第二隔磁片2间的结构稳定性。

上述实施例只是本实用新型的较佳实施例,并不是对本实用新型技术方案的限制,只要是不经过创造性劳动即可在上述实施例的基础上实现的技术方案,均应视为落入本实用新型专利的权利保护范围内。

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