技术总结
本专利公开了一种LED芯片，其特征在于，包括衬底，外延层，设置在所述衬底上，包括P型半导体材料层、N型半导体材料层、有源层；图案单元，设置在所述外延层中至少一层的侧边；所述图案单元包括在所述衬底侧边上形成的起伏图案，所述起伏图案的直径小于10微米，所述图案单元在所述侧边重复设置。该方式对芯片侧壁进行调整可以避免侧壁出光时的全反射，同时增加侧壁出光面积，从而有效提高芯片的出光效率，同时此改进可适用于各种有刻蚀工艺的芯片，以及全波段的芯片的使用。及全波段的芯片的使用。及全波段的芯片的使用。
技术研发人员：薛建凯 崔志勇 郭凯 张向鹏 尉尊康 李勇强 王雪 张晓娜
受保护的技术使用者：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
技术研发日：2020.06.15
技术公布日：2021/1/29