一种具有侧边拼接结构的硅晶片的制作方法

本实用新型涉及硅晶片技术领域，具体为一种具有侧边拼接结构的硅晶片。

背景技术：

随着社会的快速发展，电气时代的来临，我国在电器方面的发展也越来越好，在一些集成电路的制造和数据的存储传输中，会使用到硅晶片，硅晶片是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，所以就会使用到专门的具有侧边拼接结构的硅晶片；

但是市面上现有的硅晶片在进行使用时，不便于对硅晶片之间进行拼接安装，不便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积，适用性较差，所以现开发出一种具有侧边拼接结构的硅晶片，以解决上述问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种具有侧边拼接结构的硅晶片，以解决上述背景技术中提出不便于对硅晶片之间进行拼接安装，不便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积，适用性较差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种具有侧边拼接结构的硅晶片，包括硅晶片主体和晶体管，所述硅晶片主体的内部均设置有晶体管，所述硅晶片主体的外部贯穿有防护结构，所述硅晶片主体的两侧固定有拆装结构，所述拆装结构包括第一连接块、卡块、第二连接块和卡槽，所述第一连接块固定于硅晶片主体的一侧，所述第一连接块的一侧固定有卡块，所述第二连接块固定于硅晶片主体的另一侧，所述第二连接块的一侧固定有卡槽，所述硅晶片主体的内部固定有加强结构。

优选的，所述防护结构包括防护套、预留槽、凸块、限位块和限位槽，所述防护套贯穿于硅晶片主体外部的边缘处，所述防护套内部的一侧设置有预留槽，所述凸块固定于硅晶片主体的一侧，所述限位块固定于硅晶片主体的两端。

优选的，所述限位槽设置于防护套内部的两端，所述预留槽的横截大于凸块的横截面，所述限位块的横截面小于限位槽的横截面。

优选的，所述卡块的横截面小于卡槽的横截面，所述卡块和卡槽之间构成卡合结构。

优选的，所述加强结构包括防腐层、金属丝经线、金属丝纬线和加强网，所述防腐层设置于硅晶片主体内部的边缘处，所述金属丝经线固定于硅晶片主体的内部，所述金属丝经线的外部缠绕有金属丝纬线。

优选的，所述加强网固定于硅晶片主体内部的中间位置处，所述金属丝经线和金属丝纬线之间相互编织呈网状结构设计。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该具有侧边拼接结构的硅晶片不仅实现了可以对硅晶片之间进行拼接安装，便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积，适用性较强，也同时实现了可以对硅晶片主体的边缘处进行防护和加强了硅晶片主体内部的结构强度，提高了硅晶片主体的耐腐蚀性；

（1）通过设置有拆装结构实现了可以对硅晶片之间进行拼接安装，通过第一连接块的一侧固定有卡块，当需要对两片硅晶片主体进行拼接时，把硅晶片主体一侧的卡块对接到另一个硅晶片主体的卡槽的一侧，把卡块插入卡槽的内部，旋转卡块，此时卡块会固定在卡槽的内部，可以对硅晶片之间进行拼接安装，便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积，适用性较强；

（2）通过设置有防护结构实现了可以对硅晶片主体的边缘处进行防护，通过把防护套套在硅晶片主体的外部，凸块会限位在预留槽的内部，限位槽会固定在限位块的外部，此时防护套会包裹在硅晶片主体的边缘处，便于对硅晶片主体的边角处进行防护的功能；

（3）通过设置有加强结构实现了加强了硅晶片主体内部的结构强度，通过防腐层可以增强硅晶片主体整体的耐腐蚀性，金属丝经线和金属丝纬线之间相互编织呈网状结构设计可以加强硅晶片主体内部的结构强度，从而加强了硅晶片主体内部的结构强度，提高了硅晶片主体的耐腐蚀性。

附图说明

图1为本实用新型的正视结构示意图；

图2为本实用新型的正视剖面结构示意图；

图3为本实用新型的防护结构俯视局部剖面结构示意图；

图4为本实用新型的卡槽和卡块拼接后正视局部剖面结构示意图。

图中：1、硅晶片主体；2、晶体管；3、防护结构；301、防护套；302、预留槽；303、凸块；304、限位块；305、限位槽；4、拆装结构；401、第一连接块；402、卡块；403、第二连接块；404、卡槽；5、加强结构；501、防腐层；502、金属丝经线；503、金属丝纬线；504、加强网。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-4，本实用新型提供的一种实施例：一种具有侧边拼接结构的硅晶片，包括硅晶片主体1和晶体管2，硅晶片主体1的内部均设置有晶体管2，硅晶片主体1的两侧固定有拆装结构4，拆装结构4包括第一连接块401、卡块402、第二连接块403和卡槽404，第一连接块401固定于硅晶片主体1的一侧，第一连接块401的一侧固定有卡块402，第二连接块403固定于硅晶片主体1的另一侧，所述第二连接块403的一侧固定有卡槽404；

卡块402的横截面小于卡槽404的横截面，卡块402和卡槽404之间构成卡合结构；

具体地，如图1、图2和图4所示，使用该机构时，首先，通过第一连接块401的一侧固定有卡块402，第二连接块403的一侧固定有卡槽404，当需要对两片硅晶片主体1进行拼接时，把硅晶片主体1一侧的卡块402对接到另一个硅晶片主体1的卡槽404的一侧，之后把卡块402插入卡槽404的内部，旋转卡块402，此时卡块402会固定在卡槽404的内部，可以对硅晶片之间进行拼接安装，便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积，适用性较强；

硅晶片主体1的外部贯穿有防护结构3，防护结构3包括防护套301、预留槽302、凸块303、限位块304和限位槽305，防护套301贯穿于硅晶片主体1外部的边缘处，防护套301内部的一侧设置有预留槽302，凸块303固定于硅晶片主体1的一侧，限位块304固定于硅晶片主体1的两端，限位槽305设置于防护套301内部的两端，预留槽302的横截面大于凸块303的横截面，限位块304的横截面小于限位槽305的横截面；

具体地，如图1和图3所示，使用该机构时，首先，通过防护套301贯穿于硅晶片主体1外部的边缘处，防护套301内部的一侧设置有预留槽302，把防护套301套在硅晶片主体1的外部，凸块303会限位在预留槽302的内部，限位槽305会固定在限位块304的外部，此时防护套301会包裹在硅晶片主体1的边缘处，可以对硅晶片主体1的边缘处进行防护，从而实现了便于对硅晶片主体1的边角处进行防护的功能；

硅晶片主体1的内部固定有加强结构5，加强结构5包括防腐层501、金属丝经线502、金属丝纬线503和加强网504，防腐层501设置于硅晶片主体1内部的边缘处，金属丝经线502固定于硅晶片主体1的内部，金属丝经线502的外部缠绕有金属丝纬线503，加强网504固定于硅晶片主体1内部的中间位置处，金属丝经线502和金属丝纬线503之间相互编织呈网状结构设计；

具体地，如图1和图2所示，使用该机构时，首先，通过防腐层501设置于硅晶片主体1内部的边缘处，金属丝经线502固定于硅晶片主体1的内部，防腐层501可以增强硅晶片主体1整体的耐腐蚀性，金属丝经线502和金属丝纬线503之间相互编织呈网状结构设计可以加强硅晶片主体1内部的结构强度，加强网504固定于硅晶片主体1的内部可以减少硅晶片主体1产生断裂的现象，从而加强了硅晶片主体1内部的结构强度，提高了硅晶片主体1的耐腐蚀性。

工作原理：本实用新型在使用时，首先，把硅晶片拿取至合适位置处，把硅晶片安装到集成电路的内部，把防护套301套在硅晶片主体1的外部，凸块303会限位在预留槽302的内部，限位槽305会固定在限位块304的外部，此时防护套301会包裹在硅晶片主体1的边缘处，可以对硅晶片主体1的边缘处进行防护；

其次，当需要对两片硅晶片主体1进行拼接时，把硅晶片主体1一侧的卡块402对接到另一个硅晶片主体1的卡槽404的一侧，之后把卡块402插入卡槽404的内部，旋转卡块402，此时卡块402会固定在卡槽404的内部，可以对硅晶片之间进行拼接安装；

最后，当一些腐蚀性的物质接触到硅晶片时，防腐层501可以对一些腐蚀性的物质进行阻挡，同时加强网504固定于硅晶片主体1的内部可以减少硅晶片主体1产生断裂的现象，最终完成硅晶片的使用工作。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。